公开(公告)号：CN104716256A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410783835.9

申请日：2011-11-14

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 渡边敬仁 ,  山道新太郎 ,  牛山吉孝

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/552 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/97 ,  H01L27/224 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1435 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体器件，包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有第一主表面、与所述第一主表面相反的第二主表面、以及布置在所述第一主表面和所述第二主表面之间的侧表面，所述半导体芯片包括磁存储器件，第一磁屏蔽，所述第一磁屏蔽覆在所述第一主表面上；第二磁屏蔽，所述第二磁屏蔽覆在所述第二主表面上；以及第三磁屏蔽，所述第三磁屏蔽覆在所述侧表面上，其中所述第一磁屏蔽和所述第二磁屏蔽经由所述第三磁屏蔽机械连接屏蔽经由所述第三磁屏蔽机械连接。

公开(公告)号：CN107818999B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201710793111.6

申请日：2017-09-06

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 牛山吉孝

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置，提高半导体装置的性能。一个实施方式的半导体装置(PKG1)的制造方法包括：在布线基板(WB)上固定的框部件的上表面，隔着粘接材料(BND2)搭载盖部件(CVG)的工序；以及对在框部件(FLP)上搭载的粘接材料(BND2)照射紫外线而使粘接材料(BND2)硬化的工序。布线基板(WB)具有基体材料(BSP)以及覆盖基体材料(BSP)的绝缘膜(SR1)，框部件(FLP)以及半导体芯片搭载(固定)到绝缘膜(SR1)的上表面(SR1t)。框部件(FLP)含有玻璃纤维(GC)。另外，框部件(FLP)的上表面(FLt)的粗糙度与绝缘膜(SR1)的上表面(SR1t)的粗糙度相同、或者不比绝缘膜(SR1)的上表面(SR1t)的粗糙度粗。

公开(公告)号：CN102468275B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201110360175.X

申请日：2011-11-14

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 渡边敬仁 ,  山道新太郎 ,  牛山吉孝

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/552 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/97 ,  H01L27/224 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1435 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体芯片包括磁存储器件并且在第一面上包括电极焊盘。在其中至少暴露电极焊盘的状态下用磁屏蔽层涂覆半导体芯片。半导体芯片通过凸块安装在互连基板上。半导体芯片和互连基板中的至少一个包括凸部，并且凸块被布置在凸部上方。

公开(公告)号：CN102468275A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110360175.X

申请日：2011-11-14

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 渡边敬仁 ,  山道新太郎 ,  牛山吉孝

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/552 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/97 ,  H01L27/224 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1435 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体芯片包括磁存储器件并且在第一面上包括电极焊盘。在其中至少暴露电极焊盘的状态下用磁屏蔽层涂覆半导体芯片。半导体芯片通过凸块安装在互连基板上。半导体芯片和互连基板中的至少一个包括凸部，并且凸块被布置在凸部上方。

公开(公告)号：CN104716256B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201410783835.9

申请日：2011-11-14

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 渡边敬仁 ,  山道新太郎 ,  牛山吉孝

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/552 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/97 ,  H01L27/224 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1435 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体器件，包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有第一主表面、与所述第一主表面相反的第二主表面、以及布置在所述第一主表面和所述第二主表面之间的侧表面，所述半导体芯片包括磁存储器件，第一磁屏蔽，所述第一磁屏蔽覆在所述第一主表面上；第二磁屏蔽，所述第二磁屏蔽覆在所述第二主表面上；以及第三磁屏蔽，所述第三磁屏蔽覆在所述侧表面上，其中所述第一磁屏蔽和所述第二磁屏蔽经由所述第三磁屏蔽机械连接屏蔽经由所述第三磁屏蔽机械连接。

公开(公告)号：CN107818999A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710793111.6

申请日：2017-09-06

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 牛山吉孝

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14683 ,  H04N5/2253 ,  H01L27/1469

摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置，提高半导体装置的性能。一个实施方式的半导体装置(PKG1)的制造方法包括：在布线基板(WB)上固定的框部件的上表面，隔着粘接材料(BND2)搭载盖部件(CVG)的工序；以及对在框部件(FLP)上搭载的粘接材料(BND2)照射紫外线而使粘接材料(BND2)硬化的工序。布线基板(WB)具有基体材料(BSP)以及覆盖基体材料(BSP)的绝缘膜(SR1)，框部件(FLP)以及半导体芯片搭载(固定)到绝缘膜(SR1)的上表面(SR1t)。框部件(FLP)含有玻璃纤维(GC)。另外，框部件(FLP)的上表面(FLt)的粗糙度与绝缘膜(SR1)的上表面(SR1t)的粗糙度相同、或者不比绝缘膜(SR1)的上表面(SR1t)的粗糙度粗。