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公开(公告)号：CN105683410B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201480059221.4
申请日：2014-10-14
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C01G55/008 , B01D7/00 , C01P2006/80 , C23C16/16
Abstract: 本发明提供了一种DCR的制造方法，该方法可以有效地升华大量的粗制DCR，并且能够稳定地供应DCR。而且，本发明还涉及一种可适用于该制造方法的升华装置。在十二羰基三钌(DCR)形成的化学沉积原料用的有机钌化合物的制造方法中，包括通过升华法从粗制DCR中分离杂质元素以纯化DCR的工序；在该纯化工序中，在一氧化碳浓度30～100％的气氛下加热粗制DCR使其升华后，进行冷却以析出DCR。通过本发明，可以有效地升华大量的粗制DCR，并且能够稳定地供应DCR。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106458637B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201580029464.8
申请日：2015-06-02
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C01G55/008 , C01P2002/88 , C01P2006/80 , C07F15/00 , C23C16/16
Abstract: 本发明的目的在于提供用以得到十二羰基三钌(DCR)的纯化方法，该DCR为化学沉积原料用的DCR，并且即使在形成钌薄膜时也不会在薄膜中混入杂质。本发明涉及通过重结晶法纯化由DCR构成的化学沉积原料用的有机钌化合物的方法，其中至少在溶解阶段中，溶剂中的溶解氧浓度为0.2mg/L以下。根据本发明，可从DCR中分离出微量的杂质，如果通过由此得到的DCR来形成钌薄膜，则难以在形成的膜中混入杂质。另外，本发明的纯化方法也可在用于形成钌薄膜后，应用于DCR的回收纯化。
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公开(公告)号：CN105683410A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480059221.4
申请日：2014-10-14
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C01G55/008 , B01D7/00 , C01P2006/80 , C23C16/16
Abstract: 本发明提供了一种DCR的制造方法，该方法可以有效地升华大量的粗制DCR，并且能够稳定地供应DCR。而且，本发明还涉及一种可适用于该制造方法的升华装置。在十二羰基三钌(DCR)形成的化学沉积原料用的有机钌化合物的制造方法中，包括通过升华法从粗制DCR中分离杂质元素以纯化DCR的工序；在该纯化工序中，在一氧化碳浓度30～100％的气氛下加热粗制DCR使其升华后，进行冷却以析出DCR。通过本发明，可以有效地升华大量的粗制DCR，并且能够稳定地供应DCR。
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公开(公告)号：CN107532294B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201680026945.8
申请日：2016-05-09
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C23C16/18 , C07C211/21 , C07F15/00 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及下述所示的由在2价铂上配位有烯基胺及烷基阴离子的有机铂化合物构成的化学蒸镀用原料。在下述中，n为1以上5以下。烯基胺的取代基R1至R5分别为氢原子、烷基等，并且它们的碳原子数均为4以下。烷基阴离子R6及R7分别为碳原子数为1以上3以下的烷基。本发明的原料的蒸气压较高，可在低温下制造铂薄膜，同时也兼具适度的热稳定性。
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公开(公告)号：CN107532294A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026945.8
申请日：2016-05-09
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C23C16/18 , C07C211/21 , C07F15/00 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及下述所示的由在2价铂上配位有烯基胺及烷基阴离子的有机铂化合物构成的化学蒸镀用原料。在下述中，n为1以上5以下。烯基胺的取代基R1至R5分别为氢原子、烷基等，并且它们的碳原子数均为4以下。烷基阴离子R6及R7分别为碳原子数为1以上3以下的烷基。本发明的原料的蒸气压较高，可在低温下制造铂薄膜，同时也兼具适度的热稳定性。
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公开(公告)号：CN106458637A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029464.8
申请日：2015-06-02
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C01G55/008 , C01P2002/88 , C01P2006/80 , C07F15/00 , C23C16/16
Abstract: 本发明的目的在于提供用以得到十二羰基三钌(DCR)的纯化方法，该DCR为化学沉积原料用的DCR，并且即使在形成钌薄膜时也不会在薄膜中混入杂质。本发明涉及通过重结晶法纯化由DCR构成的化学沉积原料用的有机钌化合物的方法，其中至少在溶解阶段中，溶剂中的溶解氧浓度为0.2mg/L以下。根据本发明，可从DCR中分离出微量的杂质，如果通过由此得到的DCR来形成钌薄膜，则难以在形成的膜中混入杂质。另外，本发明的纯化方法也可在用于形成钌薄膜后，应用于DCR的回收纯化。
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