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公开(公告)号：CN107293485A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710599656.3
申请日：2017-07-21
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/66333 , H01L29/7395
摘要： 本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种低压逆导FS-IGBT的制备方法。本发明的方法包括：在一块低电阻率高掺杂浓度的P型半导体硅片上通过光刻离子注入N型杂质形成P型区与N型区交隔结构；在形成的P型区与N型区交隔结构上外延N型缓冲层；在形成的N型缓冲层上继续外延形成N型漂移区；在形成的N型漂移区上完成IGBT正面工艺；减薄背面硅片至P型区与N型区交隔区，继续缓慢减薄硅片至设计厚度，注意保留部分P型区与N型区交隔结构；在背面的P型区与N型区交隔结构上蒸发淀积金属层，形成FS-IGBT集电极；本发明用于制备低压逆导FS-IGBT，不需要高能离子注入设备制备缓冲层，可有效提高芯片成品率，降低成本。
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公开(公告)号：CN107180758A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710599649.3
申请日：2017-07-21
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/66333 , H01L29/7395
摘要： 本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导FS‑IGBT的制备方法。本发明的方法包括：在一块N型半导体硅片上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层(FS层)；所形成的FS层上通过光刻刻蚀，间隔注入N型杂质与P型杂质，使其在表面形成P型区与N型区交隔的结构；在所形成的P型区与N型区交割的结构上淀积厚度约1um的二氧化硅层；另取一块N型或P型硅片与形成二氧化硅层表面键合，使两个硅片键合在一起；翻转硅片，减薄硅片至设计厚度，并在减薄后的表面上完成IGBT正面工艺；翻转硅片，减薄硅片背面至氧化层，使用湿法刻蚀完全去除背面氧化层，并对裸露出的P型区与N型区交割的结构进行适当较薄清洗，随后淀积背面金属层，形成集电极。
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公开(公告)号：CN107170817A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710456204.X
申请日：2017-06-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/7394 , H01L29/41708 , H01L29/42356
摘要： 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT。本发明提出一种新的横向IGBT结构，通过抑制P阱区对漂移区非平衡空穴的抽取作用，增大发射极的电子注入效率，增强P阱区与漂移区所形成PN结附近的电导调制效应，进而减小器件导通压降；通过抑制栅极与漂移区之间的电荷耦合作用可以降低密勒电容，进而提升器件的开关特性。
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公开(公告)号：CN106898554A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710159280.4
申请日：2017-03-17
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66348
摘要： 发明提供一种场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制备方法。本发明的方法包括：在一块N型半导体硅片上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层；在形成的FS层上通过离子注入P型杂质并退火制作P型透明集电区；在形成的透明集电区上淀积二氧化硅层；另取一块重掺杂的N型或P型硅片，与二氧化硅层键合，使两个硅片键合在一起；翻转硅片，减薄，并在减薄后的表面上完成IGBT正面工艺；翻转硅片，光刻、分别刻蚀减薄后的硅片至FS层和集电区，用先多晶硅填充FS层沟槽，后用金属填充集电极区沟槽。本发明能提高传统截止型反向导通FS‑IGBT的成品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN106098651B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201610677974.2
申请日：2016-08-17
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及一种功率器件封装结构及封装方法及封装方法，本发明功率器件封装结构包括芯片槽、与芯片槽一体的是可以单独用作一个电极的金属外壳、通过环形绝缘层固定在金属外壳的侧下方的引脚，以及用于器件密封的金属盖板。本发明的金属管壳可以做独立的电极使用，以贴片的形式焊接的在电路中；本封装所具有的四管腿结构可以满足新型功率器件对管脚数目的要求；与传统功率器件相比较本发明具有更大的用于安放芯片的芯片槽，而由金属制成的外管壳尺寸较小，可以实现高功率器件的大芯片小封装。
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公开(公告)号：CN107592101A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710798725.3
申请日：2017-09-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K17/0812 , H03K17/72
摘要： 本发明属于电子技术领域，具体的说是涉及一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器。本发明的主要包括由直流电源、CS-MCT(M1)和负载构成的主回路和由直流电源、电容C、电感L、CS-MCT(M2)、二极管(D1和D2)构成的换流回路、由电流采样电阻R和放大器构成的电流检测单元以及栅极控制单元。其特点是：采用具有低导通电阻和高di/dt能力的CS-MCT作为开关管，结合电流检测和栅极控制单元实现短路电流采样和控制信号反馈并利用换流回路的分流作用实现短路电流的迅速中断。与传统固态断路器相比，本发明中基于CS-MCT的固态直流断路器具有功耗低，响应速度快的优势。
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公开(公告)号：CN106783610A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710092140.X
申请日：2017-02-21
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/66333 , H01L29/7395
摘要： 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。其方法包括：提供一块相对低电阻率的N型硅片，在N型硅片上方外延形成相对高电阻率的外延层；在形成的外延层上方完成器件的正面制作工序；将硅片减薄至设计厚度；清洗硅片，背面离子注入P型杂质，退火形成P型集电区；完成背面金属淀积。该绝缘栅双极型晶体管的制备方法与现有工艺兼容，不需要专有设备，可大大降低成本，相比于传统的非穿通型绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管还具有FS‑IGBT的优点，在相同工作电压下具有更小的漏电流，这将很好的提高IGBT的高温稳定性。
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公开(公告)号：CN107170817B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201710456204.X
申请日：2017-06-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/417
摘要： 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT。本发明提出一种新的横向IGBT结构，通过抑制P阱区对漂移区非平衡空穴的抽取作用，增大发射极的电子注入效率，增强P阱区与漂移区所形成PN结附近的电导调制效应，进而减小器件导通压降；通过抑制栅极与漂移区之间的电荷耦合作用可以降低密勒电容，进而提升器件的开关特性。
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公开(公告)号：CN106409895B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610490201.3
申请日：2016-06-27
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
摘要： 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法。本发明在传统槽栅型绝缘栅双极晶体管的基础上，通过在P‑base区内引入了N型重掺杂层，当器件正向导通时，空穴电流在埋层下方横向流动，经Rb产生横向压降，当电压降大于0.7V时，N型重掺杂层向漂移区和下P‑base区注入电子，发生强烈的电导调制，使得器件具有极低的导通压降，从而大大降低了器件导通损耗；在阻断态下，由于在沟槽边缘处没有向CSTBT一样的高浓度CS层且阻断电压主要由漂移区承受，因此器件的耐压不会受到N型重掺杂层的影响；在关断期间，漂移区内存储的空穴经过N型重掺杂层的开口区域被发射极抽出，表现出和传统器件一直的关断特性。
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公开(公告)号：CN109309086A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810970618.9
申请日：2018-08-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种阴极短路栅控晶闸管(CS-MCT)的版图设计方法。本发明的方法主要是，使得元胞的栅结构形成沿水平方向的条形栅结构；将和结终端相连的一圈元胞定义为边缘元胞，其他元胞定义为内部元胞；其中，边缘元胞的半导体掺杂区通过条形的接触孔与阴极连接，内部元胞通过方形的接触孔与阴极连接。此种改进措施增大了边缘元胞的闩锁电流，延长边缘元胞进入闩锁的时间；同时，减小栅电容，提前内部元胞进入闩锁的时间；另外，在水平方向的中部，条形栅极沿垂直方向还具有金属叉指，可以减小多晶硅上寄生的栅电阻，也能提前内部元胞进入闩锁的时间。总之，使边缘元胞和内部元胞尽量同时触发闩锁，使电流分布均匀。
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