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公开(公告)号：CN106611779A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201710024792.X
申请日：2017-01-13
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7398 , H01L29/0684 , H01L29/66333
摘要： 本发明属于功率半导体器件领域，具体的涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导型绝缘栅双极晶体管，其创新之处是将结终端阳极区域的P型掺杂替换为N型掺杂，这样在元胞区的N型阳极区可以做的比较短，从而提高了阳极短路电阻以抑制Snapback效应。在加反向电压的时候，元胞区和结终端区的N型阳极区域共同充当PIN二极管的阴极，相当于将结终端区的面积利用起来进行反向导通，这样就在不影响器件反向导通能力的同时抑制了正向导通时候的Snapback效应。在实际应用中可以根据器件正反向导通能力的需要，灵活地调整元胞区的N型阳极区长度来满足要求。
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公开(公告)号：CN105304699A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510752924.1
申请日：2015-11-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/742 , H01L29/0684 , H01L29/66378
摘要： 本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法，尤其是逆导型的MOS触发负阻性器件。本发明包括N型衬底，在N型衬底上表面设置有P型基区，在P型基区上表面有N型源区、PIN阳极区和N型发射区，其中N型源区是MOS管的源端、PIN阳极区是反向PIN管的阳极区、N型发射区是NPNP晶闸管的阴极区；在N型衬底下表面设置有P型阳极区，在P型阳极区7的中间位置设有N型阳极区，并且N型阳极区没有穿通P型阳极区直接和N型衬底连接，而是包含于P型阳极区内。本发明的有益效果为，具有常关功能、极高的峰值电流能力和电流上升率、反向导通能力，同时本发明还提供简单的制造方法，本发明的器件还具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN105304699B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510752924.1
申请日：2015-11-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332
摘要： 本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法，尤其是逆导型的MOS触发负阻性器件。本发明包括N型衬底，在N型衬底上表面设置有P型基区，在P型基区上表面有N型源区、PIN阳极区和N型发射区，其中N型源区是MOS管的源端、PIN阳极区是反向PIN管的阳极区、N型发射区是NPNP晶闸管的阴极区；在N型衬底下表面设置有P型阳极区，在P型阳极区7的中间位置设有N型阳极区，并且N型阳极区没有穿通P型阳极区直接和N型衬底连接，而是包含于P型阳极区内。本发明的有益效果为，具有常关功能、极高的峰值电流能力和电流上升率、反向导通能力，同时本发明还提供简单的制造方法，本发明的器件还具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN105529370A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510891762.X
申请日：2015-11-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/87 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/87 , H01L29/0684 , H01L29/66121
摘要： 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOS触发负阻二极管(MOS-triggered Dynistor，简称MTD)及其制造方法。本发明提供了一种应用于脉冲功率领域的具有常关型MOS触发负阻二极管。相较于常规MCT，本发明MTD具有穿过N型源区连接阴极金属的P型基区凸起结构。阴极金属连接N型源区和P型基区凸起结构形成阴极短路，使器件具备常关特性，这样可简化驱动电路，增加了系统可靠性。本发明MTD工作模式为PNPN负阻二极管模式，具有很高的峰值电流和电流上升率，非常适合使用于脉冲功率领域。
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公开(公告)号：CN106024869A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610348220.2
申请日：2016-05-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/745 , H01L21/28 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/7455 , H01L29/41716 , H01L29/66363
摘要： 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率半导体器件。本发明包括从下至上依次层叠设置的阳极金属、P型阳极区和N型衬底；所述N型衬底上层具有P型基区，所述P型基区上层具有相互独立的N型源区和N型发射区；所述N型衬底上表面具有栅氧化层，所述栅氧化层还延伸覆盖部分P型基区和N型源区的上表面；所述栅氧化层的上表面具有栅极金属；所述N型发射区上表面具有第一阴极金属，所述第一阴极金属还覆盖部分P型基区的上表面；其特征在于，所述N型源区的上表面还具有第二阴极金属。本发明的有益效果为，解决了常规的功率器件在阴极电感引起的栅氧化层击穿问题，从而提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105355655A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510788233.7
申请日：2015-11-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/1004
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案是在常规的CSTBT载流子储存层中插入数个贯穿载流子存储层的掺杂浓度较高的P型条。与常规CSTBT相比，插入的P型条能对槽栅边缘附近的电场进行调制，降低槽栅边缘处电势的曲率半径，避免了器件的提前击穿，进而有效提高了器件的反向耐压能力及稳定性。同时，未完全耗尽的P型条也为少数载流子的输运提供了额外的抽取通道，进而加快少数载流子的抽取速度，缩短关断时间，减小关断损耗。相较于常规TIGBT，载流子储存层沿着新的电导调制型基区的轮廓将基区完全包裹，载流子储存效应依然存在，使FM-TIGBT具有了低导通压降的优势。
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