公开(公告)号：CN105103297A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201380068265.9

申请日：2013-12-04

申请人： 科锐

发明人： Q.张 ,  B.哈尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/749 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/332 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/749 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828

摘要： 半导体器件，例如功率MOSFET、IGBT或MOS晶闸管，例如由SiC制成，具有在栅极氧化物层界面处的减小的电场。在一个实施例中，器件包括栅极（36）、源极（34）和漏极，其中栅极至少部分地接触栅极氧化物层（40）。为了减小在栅极氧化物层上的电场，器件具有在例如N型JFET区的第二相对的导电类型的JFET区（52）内的例如P+型区的第一导电类型的高掺杂区（46’），所述JFET区（52）是例如N型漂移区的所述第二导电类型的漂移区（42）的一部分，位于例如P+型阱的所述第一导电类型的高掺杂阱（50）之间。

公开(公告)号：CN1236499C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN98125384.9

申请日：1996-07-17

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 高桥彻雄 ,  中村胜光 ,  凑忠玄 ,  原田真名

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/745

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/749 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一个由一个P+集电区(1)，一个n型缓冲区(3)，一个n-区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n-区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘膜与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与P+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样，一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。

公开(公告)号：CN104241363A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410006584.3

申请日：2014-01-07

申请人： 竹懋科技股份有限公司 ,  金勤海

发明人： 金勤海

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/747 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42308 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/742 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明公开了一种沟渠式MOS整流元件及其制造方法，该元件包含：多个沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-外延层内，多个沟渠内具有沟渠氧化层形成于沟渠底部及侧壁；一导电性杂质掺杂第一多晶硅层填满多个沟渠；一平面栅极氧化层形成于多个沟渠相间的平台；一导电性杂质掺杂第二多晶硅层形成于所述平台上，第二多晶硅层及其下的平面栅极氧化层被图案化，而形成平面MOS结构。p型掺杂区形成于平台上MOS结构的两侧作为阳极的一部分；一顶部金属层形成于该半导体基板正面，连接该MOS结构的源、栅极及第一多晶硅层。本发明提供的沟渠式MOS整流元件结构，可充分利用可被利用的平面面积，使得顺向偏压更低，反向漏电更小。

公开(公告)号：CN1052342C

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN96102369.4

申请日：1996-07-17

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 高桥彻雄 ,  中村胜光 ,  湊忠玄 ,  原田真名

IPC分类号： H01L29/68 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/749 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一个由一个P+集电区(1)，一个n型缓冲区(3)，一个n-区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n-区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与p+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样，一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。

公开(公告)号：CN104241363B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201410006584.3

申请日：2014-01-07

申请人： 竹懋科技股份有限公司 ,  金勤海

发明人： 金勤海

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/747 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42308 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/742 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861

摘要： 本发明公开了一种沟渠式MOS整流元件及其制造方法，该元件包含：多个沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n‑外延层内，多个沟渠内具有沟渠氧化层形成于沟渠底部及侧壁；一导电性杂质掺杂第一多晶硅层填满多个沟渠；一平面栅极氧化层形成于多个沟渠相间的平台；一导电性杂质掺杂第二多晶硅层形成于所述平台上，第二多晶硅层及其下的平面栅极氧化层被图案化，而形成平面MOS结构。p型掺杂区形成于平台上MOS结构的两侧作为阳极的一部分；一顶部金属层形成于该半导体基板正面，连接该MOS结构的源、栅极及第一多晶硅层。本发明提供的沟渠式MOS整流元件结构，可充分利用可被利用的平面面积，使得顺向偏压更低，反向漏电更小。

公开(公告)号：CN100452429C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN03826494.3

申请日：2003-05-19

申请人： ST微电子公司

发明人： 西萨尔·龙西斯瓦尔

IPC分类号： H01L29/745 ,  H01L21/332

CPC分类号： H01L29/66378 ,  H01L29/7455

摘要： 一种由在第一和第二导电端子(A、S)之间串联的半导体闸流管(25)和MOSFET晶体管(26)形成的功率器件(1)。该功率器件(1)还具有连接到MOSFET晶体管(26)的绝缘栅极电极(20)并接收用于关断该器件的控制电压的控制端子(G)，以及具有连接到半导体闸流管(25)用于在关断期间快速提取电荷的第三导电端子(B)。由此，在关断时，没有电流拖尾，关断非常地快。该功率器件没有寄生部件，由此具有非常高的反向偏置安全区(RBSOA)。

公开(公告)号：CN1777996A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN03826494.3

申请日：2003-05-19

申请人： ST微电子公司

发明人： 西萨尔·龙西斯瓦尔

IPC分类号： H01L29/745 ,  H01L21/332

CPC分类号： H01L29/66378 ,  H01L29/7455

摘要： 一种由在第一和第二导电端子(A、S)之间串联的半导体闸流管(25)和MOSFET晶体管(26)形成的功率器件(1)。该功率器件(1)还具有连接到MOSFET晶体管(26)的绝缘栅极电极(20)并接收用于关断该器件的控制电压的控制端子(G)，以及具有连接到半导体闸流管(25)用于在关断期间快速提取电荷的第三导电端子(B)。由此，在关断时，没有电流拖尾，关断非常地快。该功率器件没有寄生部件，由此具有非常高的反向偏置安全区(RBSOA)。

公开(公告)号：CN105304699A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510752924.1

申请日：2015-11-09

申请人： 电子科技大学

发明人： 陈万军 ,  唐血锋 ,  刘超 ,  娄伦飞 ,  周琦 ,  张波

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L21/332

CPC分类号： H01L29/742 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66378

摘要： 本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法，尤其是逆导型的MOS触发负阻性器件。本发明包括N型衬底，在N型衬底上表面设置有P型基区，在P型基区上表面有N型源区、PIN阳极区和N型发射区，其中N型源区是MOS管的源端、PIN阳极区是反向PIN管的阳极区、N型发射区是NPNP晶闸管的阴极区；在N型衬底下表面设置有P型阳极区，在P型阳极区7的中间位置设有N型阳极区，并且N型阳极区没有穿通P型阳极区直接和N型衬底连接，而是包含于P型阳极区内。本发明的有益效果为，具有常关功能、极高的峰值电流能力和电流上升率、反向导通能力，同时本发明还提供简单的制造方法，本发明的器件还具有较高的可靠性。

公开(公告)号：CN1226751A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN98125384.9

申请日：1996-07-17

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 高桥彻雄 ,  中村胜光 ,  凑忠玄 ,  原田真名

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/745

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/749 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一个由一个p+集电区(1),一个n型缓冲区(3),一个n－区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n－区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与p+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样,一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。

公开(公告)号：CN1142688A

公开(公告)日：1997-02-12

申请号：CN96102369.4

申请日：1996-07-17

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 高桥彻雄 ,  中村胜光 ,  凑忠玄 ,  原田真名

IPC分类号： H01L29/68 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/749 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一个由一个p+集电区(1)，一个n型缓冲区(3)，一个n-区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n-区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与p+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样，一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。