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公开(公告)号:CN104992968B
公开(公告)日:2018-03-02
申请号:CN201510294056.7
申请日:2015-06-01
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/36
摘要: 本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明采用的技术方案通过设置在P‑body区中的N型重掺杂层9,使器件成为深埋发射极沟槽型IGBT,相当于引入了达林顿管,如图5所示,在开启过程中,J1所在的支路首先导通,电子注入到N‑漂移区4,促使阳极P区向漂移区注入空穴,空穴经外延P‑body区到达阴极。随着J2电流的增大,Rp两端的压降增大,使得达林顿管开启。在导通状态下,N型CS层5与P型外延区PN结的高空穴密度降低了导通电阻,关断时更容易抽取N‑漂移区4的空穴,从而降低了关断时间和关断损耗。本发明尤其适用于绝缘栅双极型晶体管及其制造。
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公开(公告)号:CN104505401B
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201410787496.1
申请日:2014-12-18
申请人: 电子科技大学
摘要: 本发明涉及功率半导体技术领域,特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层,并且环上方两侧均存在多晶硅场板,由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异,因而两侧多晶硅场板在纵向上存在高度差,该交错形成的多晶硅场板结构与其下方场氧化层结构形成了具有电容作用的结构,重新分布削弱了由于总剂量辐照在右侧场板下方的电场形成的叠加作用,故而使得结终端在总剂量辐照后的耐压能力有一定提高。本发明在不增加结终端面积的前提下,提高了器件抗总剂量辐照能力,使得由于辐照引起的耐压下降减少,满足在大功率以及复杂环境应用下的需求。本发明尤其适用于功率半导体器件。
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公开(公告)号:CN103956381A
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201410190970.2
申请日:2014-05-07
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L29/74 , H01L29/423 , H01L29/10
CPC分类号: H01L29/7455 , H01L29/0839 , H01L29/42308 , H01L29/749
摘要: 本发明涉及半导体技术,具体的说是设计一种MOS栅控晶闸管。本发明对P+阴极接触区10进行改进,增大了P+阴极接触区10的宽度,改变了冶金结形貌,减小了自阴极金属11流入的电子的运输通道。器件正向工作特性受到P+阴极接触区10、N阱9组成的JFET的控制,在相对较小的阳极电压下可发生沟道夹断效应,能控制器件饱和电流的大小。P+阴极区接触区10的结深和宽度可根据器件设计要求进行优化取值。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管。
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公开(公告)号:CN104992968A
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201510294056.7
申请日:2015-06-01
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/36
CPC分类号: H01L29/7397 , H01L29/36 , H01L29/66348
摘要: 本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明采用的技术方案通过设置在P-body区中的N型重掺杂层9,使器件成为深埋发射极沟槽型IGBT,相当于引入了达林顿管,如图5所示,在开启过程中,J1所在的支路首先导通,电子注入到N-漂移区4,促使阳极P区向漂移区注入空穴,空穴经外延P-body区到达阴极。随着J2电流的增大,Rp两端的压降增大,使得达林顿管开启。在导通状态下,N型CS层5与P型外延区PN结的高空穴密度降低了导通电阻,关断时更容易抽取N-漂移区4的空穴,从而降低了关断时间和关断损耗。本发明尤其适用于绝缘栅双极型晶体管及其制造。
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公开(公告)号:CN104505401A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201410787496.1
申请日:2014-12-18
申请人: 电子科技大学
CPC分类号: H01L29/404 , H01L29/0615
摘要: 本发明涉及功率半导体技术领域,特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层,并且环上方两侧均存在多晶硅场板,由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异,因而两侧多晶硅场板在纵向上存在高度差,该交错形成的多晶硅场板结构与其下方场氧化层结构形成了具有电容作用的结构,重新分布削弱了由于总剂量辐照在右侧场板下方的电场形成的叠加作用,故而使得结终端在总剂量辐照后的耐压能力有一定提高。本发明在不增加结终端面积的前提下,提高了器件抗总剂量辐照能力,使得由于辐照引起的耐压下降减少,满足在大功率以及复杂环境应用下的需求。本发明尤其适用于功率半导体器件。
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公开(公告)号:CN105679819B
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201610155996.2
申请日:2016-03-18
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L29/745 , H01L21/332 , H01L29/06 , H01L29/417
摘要: 本发明属于功率半导体器件领域,具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管,在电流密度较低时,其可以起到电子势垒的作用,从而减小了N阳极区的元胞长度,减小其有效面积,通过大幅提高阳极短路电阻来抑制snapback效应,而随着电压增加,P浮空区也会向N漂移区进行空穴发射,以进行电导调制,抑制snapback效应;同时,在反向导通时,由于额外引入的P浮空区,导通时将经过寄生PNPN结构,电流到一定量级将出现晶闸管导通,从而使其反向也具有大的电流导通能力。
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公开(公告)号:CN103956381B
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201410190970.2
申请日:2014-05-07
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L29/74 , H01L29/423 , H01L29/10
摘要: 本发明涉及半导体技术,具体的说是设计一种MOS栅控晶闸管。本发明对P+阴极接触区10进行改进,增大了P+阴极接触区10的宽度,改变了冶金结形貌,减小了自阴极金属11流入的电子的运输通道。器件正向工作特性受到P+阴极接触区10、N阱9组成的JFET的控制,在相对较小的阳极电压下可发生沟道夹断效应,能控制器件饱和电流的大小。P+阴极区接触区10的结深和宽度可根据器件设计要求进行优化取值。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管。
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公开(公告)号:CN105679819A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201610155996.2
申请日:2016-03-18
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L29/745 , H01L21/332 , H01L29/06 , H01L29/417
CPC分类号: H01L29/7455 , H01L29/0684 , H01L29/41716 , H01L29/66363
摘要: 本发明属于功率半导体器件领域,具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管,在电流密度较低时,其可以起到电子势垒的作用,从而减小了N阳极区的元胞长度,减小其有效面积,通过大幅提高阳极短路电阻来抑制snapback效应,而随着电压增加,P浮空区也会向N漂移区进行空穴发射,以进行电导调制,抑制snapback效应;同时,在反向导通时,由于额外引入的P浮空区,导通时将经过寄生PNPN结构,电流到一定量级将出现晶闸管导通,从而使其反向也具有大的电流导通能力。
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公开(公告)号:CN115032520A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202210515510.7
申请日:2022-05-12
申请人: 西安电子科技大学
IPC分类号: G01R31/28
摘要: 一种用于测试电源管理芯片的自动化远程测控系统,包括测试部分、远程桥连部分、远程控制部分以及远程测控仪器部分;待测试电源管理芯片的芯片引脚与远程桥连部分连接,远程桥连部分与远程测控仪器部分中各测试仪器连接,远程控制部分远程控制远程桥连部分的桥接状态,实现芯片引脚与各测试仪器的动态连接,完成对芯片引脚的测量控制。针对测试功能需求将不同的仪器接入,通过上位机远程控制测试仪器完成芯片任意波形电压与电流信号,激励和响应信号数据的实时采集和上传,从而实现对电源管理芯片的远程自动化控制与测试。该芯片测控系统可实现功能齐全、高效准确的系统化、集成化电源管理芯片测试,服务于电源管理类芯片产品终测。
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公开(公告)号:CN106024869A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610348220.2
申请日:2016-05-24
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L29/417 , H01L29/745 , H01L21/28 , H01L21/332
CPC分类号: H01L29/7455 , H01L29/41716 , H01L29/66363
摘要: 本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种功率半导体器件。本发明包括从下至上依次层叠设置的阳极金属、P型阳极区和N型衬底;所述N型衬底上层具有P型基区,所述P型基区上层具有相互独立的N型源区和N型发射区;所述N型衬底上表面具有栅氧化层,所述栅氧化层还延伸覆盖部分P型基区和N型源区的上表面;所述栅氧化层的上表面具有栅极金属;所述N型发射区上表面具有第一阴极金属,所述第一阴极金属还覆盖部分P型基区的上表面;其特征在于,所述N型源区的上表面还具有第二阴极金属。本发明的有益效果为,解决了常规的功率器件在阴极电感引起的栅氧化层击穿问题,从而提高了器件的可靠性。
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