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公开(公告)号：CN114038055A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111254371.9
申请日：2021-10-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州) , 电子科技大学
IPC: G06V40/20 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 该发明公开了一种基于对比学习和生成对抗网络的图像生成方法，属于计算机视觉领域。该方法首先选择使用生成对抗网络作为基本框架，训练生成对抗网络时，需要分别为判别器和生成器的查询对象构造正负样本，目的是利用判别器将图像映射到表示空间中，使得判别器能在自监督下学习到图像的合理表示，并能减少引入额外的模型参数，而生成器则能在自监督下将相似的输入随机向量映射为相似的图像，而将不相似的随机向量映射为不同的图像，从而提升生成图像的多样性。在训练好生成对抗网络后，通过往生成器中输入噪声即可生成图像。通过上述方法，本发明充分利用了对比学习和生成对抗网络的优势，提高了现有生成方法的生成图像多样性。
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公开(公告)号：CN114038055B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202111254371.9
申请日：2021-10-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州) , 电子科技大学
IPC: G06V40/20 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/045 , G06N3/0475 , G06N3/094 , G06N3/0895
Abstract: 该发明公开了一种基于对比学习和生成对抗网络的图像生成方法，属于计算机视觉领域。该方法首先选择使用生成对抗网络作为基本框架，训练生成对抗网络时，需要分别为判别器和生成器的查询对象构造正负样本，目的是利用判别器将图像映射到表示空间中，使得判别器能在自监督下学习到图像的合理表示，并能减少引入额外的模型参数，而生成器则能在自监督下将相似的输入随机向量映射为相似的图像，而将不相似的随机向量映射为不同的图像，从而提升生成图像的多样性。在训练好生成对抗网络后，通过往生成器中输入噪声即可生成图像。通过上述方法，本发明充分利用了对比学习和生成对抗网络的优势，提高了现有生成方法的生成图像多样性。
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公开(公告)号：CN114864711A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210646462.5
申请日：2022-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于极性二维材料量子阱的pn型β‑Ga2O3日盲深紫外光电探测器，主要解决现有pn结型光电探测器内部增益不足的问题。其自下而上设有衬底(1)、β‑Ga2O3层(2)、多量子阱层(3)和NiO层(4)，其中，多量子阱层(3)由α‑In2Se3与MoSSe两种二维层状极性材料构成，其位于β‑Ga2O3层的一端上部；β‑Ga2O3层的另一端上设有负电极(6)，NiO层上部设有正电极(5)。本发明由于在β‑Ga2O3层与NiO层之间增设了多量子阱层，利用其量子限制斯塔克效应和单极载流子输运的效果，增加了器件的光导增益，提高了器件的量子效率和响应度，可用于火灾预警、目标识别和信息通讯。
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公开(公告)号：CN111798369B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010608734.3
申请日：2020-06-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06T3/00 , G06V40/16 , G06V10/774 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 该发明公开了一种基于循环条件生成对抗网络的人脸衰老图像合成方法，属于计算机视觉领域。该方法首先选择使用生成对抗网络作为基本框架，同时，借鉴循环生成对抗网络的对偶学习的思想，并利用辅助分类器的监督学习思想，创新地在循环生成对抗网络进行衰老图片生成时引入类别标签，使网络对特定的年龄特征增加关注度，并通过给判别器增加一个辅助分类支路，使得生成网络可以有效利用标签信息去学习特定的知识，并且通过对偶学习的思想，单次训练即可完成生成网络在不同年龄段图像的生成转换。通过上述的方法，本发明充分利用了对偶学习和辅助分类监督思想的优势，大大地提高了循环生成对抗网络在衰老图像生成的效率和图片质量。
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公开(公告)号：CN115148844A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210816620.7
申请日：2022-07-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/18 , H01L31/0336 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种基于WSe2/MoS2和MoS2/β‑Ga2O3双异质结的光电探测器及其制备方法，主要解决现有MoS2/β‑Ga2O3异质结光电探测器暗电流过大、响应度较低的问题。其自下而上包括：衬底、β‑Ga2O3层和MoS2层，该MoS2层的上部增设有WSe2层，以在β‑Ga2O3层与MoS2层之间形成Ⅰ型异质结，在MoS2层与WSe2层之间形成Ⅱ型异质结，该WSe2层和MoS2层的两端对称设置阳极和阴极。本发明通过设置Ⅱ型异质结与Ⅰ型异质结组合的双异质结结构，实现对光生载流子的分离、增强电场强度、增加光吸收率，进而降低暗电流、提高器件响应速度，可用于紫外区间光电探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113483793A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110752350.3
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明提供了一种基于双偏振D型光子晶体光纤双参量SPR传感器。所述传感器具有顶部侧抛平面和底部n型微通道，在侧抛平面上方和n型微通道顶部弧形内壁上均涂覆有金膜和TiO2层。本发明利用偏振控制器来控制产生X偏振或Y偏振，Y偏振与侧抛平面上的金膜产生SPR可检测待测介质折射率，X偏振与n型微通道顶部弧形内壁上的金膜产生SPR可检测磁场强度，从而实现双偏振检测双参量。本发明的优点是：双偏振检测减少各参量间影响，增大各参量检测范围；n型微通道减少磁流体到待测介质距离，增大磁流体体积，提升磁场强度检测灵敏度；TiO2层提升传感器检测灵敏度。该传感器设计新颖，检测范围宽，灵敏度高，抗干扰性强，具有良好传感特性。
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公开(公告)号：CN114864711B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210646462.5
申请日：2022-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于极性二维材料量子阱的pn型β‑Ga2O3日盲深紫外光电探测器，主要解决现有pn结型光电探测器内部增益不足的问题。其自下而上设有衬底(1)、β‑Ga2O3层(2)、多量子阱层(3)和NiO层(4)，其中，多量子阱层(3)由α‑In2Se3与MoSSe两种二维层状极性材料构成，其位于β‑Ga2O3层的一端上部；β‑Ga2O3层的另一端上设有负电极(6)，NiO层上部设有正电极(5)。本发明由于在β‑Ga2O3层与NiO层之间增设了多量子阱层，利用其量子限制斯塔克效应和单极载流子输运的效果，增加了器件的光导增益，提高了器件的量子效率和响应度，可用于火灾预警、目标识别和信息通讯。
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公开(公告)号：CN113379655B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110537516.X
申请日：2021-05-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于动态自注意力生成对抗网络的图像合成方法，属于计算机视觉领域。该方法首先选择生成对抗网络作为基本框架，并对训练图片进行归一化，还对正态分布进行采样得到噪声样本。本发明借鉴了Linformer算法和动态卷积算法，并对发明中使用的多头自注意力机制进行改进，增加了每个自注意力头之间的联系和约束，使得这些自注意力头可以去学习到图像的各种模式知识。本发明充分地发挥了动态自注意力机制和生成对抗网络的优势，提出的动态自注意力模块可大幅度降低多头自注意力机制的计算复杂度，并改善生成对抗网络的模式崩塌和训练不稳定等问题。
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公开(公告)号：CN113640251A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110752420.5
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种D型双芯光子晶体光纤双参量等离子体传感器。所述光纤SPR传感器包括具有开口环形通道和曲面侧壁的D型光子晶体光纤；包括纤芯、空气孔、金属膜、TiO2层、温敏介质、液体分析物及完美匹配层。本发明由光子晶体光纤的纤芯和大小一致的空气孔排列而成，基底材料为石英，纤芯的中间的一个空气孔填有温敏介质PDMS，并在其外圈涂有金属薄膜；在开口环形的平面上有金属薄膜与TiO2层。温敏介质的折射率随着温度改变而变化，同时纳米金层表面自由电子共振产生吸收峰，其共振波长会发生偏移，通过观测共振波长的偏移过程实现对温度的传感测量，采用的是表面等离子共振原理。该传感器灵敏度高，检测范围宽，抗腐蚀能力强。
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公开(公告)号：CN110113021A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910316927.9
申请日：2019-04-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声表面波传感器的设计领域，具体为一种高温稳定性电极及其制备方法。该高温稳定性电极从下至上依次包括：氧化铝阻挡层、氧化锌缓冲层、Pt电极、ITO保护层和氧化铝保护层；ITO保护层设置于Pt电极上，与Pt电极一起被氧化铝保护层包覆。本发明利用了ITO能在高温下能抑制Pt电极的结块现象的发生；同时，ITO在高温下具有较好的导电性，当Pt在高温下结块时，不连续的空洞会被ITO填充，有效的降低了电极的电阻率，提高了电极在高温状态下的稳定性。
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