公开(公告)号：CN103930973A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280041907.1

申请日：2012-06-26

申请人： 科锐

发明人： S.达 ,  L.程 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔穆尔 ,  E.马基 ,  J.古尔加努斯 ,  D.J.利希滕瓦尔纳

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

摘要： 本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。

公开(公告)号：CN107342318B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201710685897.X

申请日：2012-06-26

申请人： 科锐

发明人： S.达 ,  L.程 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔穆尔 ,  E.马基 ,  J.古尔加努斯 ,  D.J.利希滕瓦尔纳

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16

摘要： 本申请涉及用于制造沟道迁移率增强的半导体器件的湿法化学法。本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。

公开(公告)号：CN107342318A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710685897.X

申请日：2012-06-26

申请人： 科锐

发明人： S.达 ,  L.程 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔穆尔 ,  E.马基 ,  J.古尔加努斯 ,  D.J.利希滕瓦尔纳

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16

摘要： 本申请涉及用于制造沟道迁移率增强的半导体器件的湿法化学法。本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。

公开(公告)号：CN103930973B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201280041907.1

申请日：2012-06-26

申请人： 科锐

发明人： S.达 ,  L.程 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔穆尔 ,  E.马基 ,  J.古尔加努斯 ,  D.J.利希滕瓦尔纳

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

摘要： 本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。