公开(公告)号：CN108039360A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711040565.2

申请日：2012-09-07

Applicant: 科锐

Inventor： J.P.亨宁 ,  Q.张 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔莫尔 ,  S.艾伦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本申请涉及采用用于边缘终端元件的凹处的边缘终端结构。一种边缘终端结构的元件（诸如多个同心保护环）是漂移层中的有效掺杂区域。为了增大这些掺杂区域的深度，单独凹处可以被形成其中将形成所述边缘终端结构的元件的漂移层的表面中。一旦所述凹处被形成在所述漂移层中，在所述凹处附近和底部处的这些区域被掺杂以形成相应的边缘终端元件。

公开(公告)号：CN103975439B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201280061214.9

申请日：2012-12-11

Applicant: 科锐

Inventor： L.程 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  S-H.刘

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/0688 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732

Abstract: 本公开内容涉及相对于常规BJT在改善电流增益的同时显著降低电流拥挤的双极性结型晶体管（BJT）结构。BJT包括：集电极、基极区、和发射极。所述基极区被形成在所述集电极上方并包括至少一个外基区并包括内基区，所述内基区在所述至少一个外基区之上延伸以提供台式晶体管。所述发射极被形成在所述台式晶体管上方。BJT可以由各种材料体系形成，诸如碳化硅（SiC）材料体系。在一个实施例中，发射极在台式晶体管上方形成，使得实质上没有发射极在外基区上方形成。通常，但不必须，内基区直接横向邻接至少一个外基区。

公开(公告)号：CN103975439A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280061214.9

申请日：2012-12-11

Applicant: 科锐

Inventor： L.程 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  S-H.刘

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/0688 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732

Abstract: 本公开内容涉及相对于常规BJT在改善电流增益的同时显著降低电流拥挤的双极性结型晶体管（BJT）结构。BJT包括：集电极、基极区、和发射极。所述基极区被形成在所述集电极上方并包括至少一个外基区并包括内基区，所述内基区在所述至少一个外基区之上延伸以提供台式晶体管。所述发射极被形成在所述台式晶体管上方。BJT可以由各种材料体系形成，诸如碳化硅（SiC）材料体系。在一个实施例中，发射极在台式晶体管上方形成，使得实质上没有发射极在外基区上方形成。通常，但不必须，内基区直接横向邻接至少一个外基区。

公开(公告)号：CN103748684B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201280035253.1

申请日：2012-05-10

Applicant: 科锐

Inventor： Q.张 ,  C.卡佩尔 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  S-H.刘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1016 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861

Abstract: 公开了用于碳化硅（SiC）半导体器件的负斜角边缘终端。在一个实施例中，负斜角边缘终端包括以期望的斜度接近于平滑负斜角边缘终端的多个台阶。更具体地，在一个实施例中，负斜角边缘终端包括至少五个台阶、至少十个台阶或至少15个台阶。在一个实施例中，期望的斜度小于或等于十五度。在一个实施例中，负斜角边缘终端导致半导体器件的阻断电压为至少10千伏（kV）或至少12 kV。半导体器件优选地但不一定是诸如功率晶闸管之类的晶闸管、双极性结型晶体管（BJT）、绝缘栅双极性晶体管（IGBT）、U沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（UMOSFET）或PIN二极管。

公开(公告)号：CN103782393B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280044080.X

申请日：2012-09-07

Applicant: 科锐

Inventor： J.P.亨宁 ,  Q.张 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔摩尔 ,  S.艾伦

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本公开总体上涉及一种肖特基二极管，所述肖特基二极管具有衬底、在所述衬底上所提供的漂移层和在所述漂移层的有源区域上所提供的肖特基层。选择用于所述肖特基层的金属以及用于所述漂移层的半导体材料，用以在所述漂移层和所述肖特基层之间提供低位垒高度肖特基结。

公开(公告)号：CN103930973A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280041907.1

申请日：2012-06-26

Applicant: 科锐

Inventor： S.达 ,  L.程 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔穆尔 ,  E.马基 ,  J.古尔加努斯 ,  D.J.利希滕瓦尔纳

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。

公开(公告)号：CN107342318B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201710685897.X

申请日：2012-06-26

Applicant: 科锐

Inventor： S.达 ,  L.程 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔穆尔 ,  E.马基 ,  J.古尔加努斯 ,  D.J.利希滕瓦尔纳

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16

Abstract: 本申请涉及用于制造沟道迁移率增强的半导体器件的湿法化学法。本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。

公开(公告)号：CN103765598B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201280044076.3

申请日：2012-09-07

Applicant: 科锐

Inventor： J.P.亨宁 ,  Q.张 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔莫尔 ,  S.艾伦

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种边缘终端结构的元件（诸如多个同心保护环）是漂移层中的有效掺杂区域。为了增大这些掺杂区域的深度，单独凹处可以被形成其中将形成所述边缘终端结构的元件的漂移层的表面中。一旦所述凹处被形成在所述漂移层中，在所述凹处附近和底部处的这些区域被掺杂以形成相应的边缘终端元件。

公开(公告)号：CN107342318A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710685897.X

申请日：2012-06-26

Applicant: 科锐

Inventor： S.达 ,  L.程 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔穆尔 ,  E.马基 ,  J.古尔加努斯 ,  D.J.利希滕瓦尔纳

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16

Abstract: 本申请涉及用于制造沟道迁移率增强的半导体器件的湿法化学法。本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。

公开(公告)号：CN103930973B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201280041907.1

申请日：2012-06-26

Applicant: 科锐

Inventor： S.达 ,  L.程 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔穆尔 ,  E.马基 ,  J.古尔加努斯 ,  D.J.利希滕瓦尔纳

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。