公开(公告)号：CN108231538A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711293365.8

申请日：2017-12-08

申请人： 圆益IPS股份有限公司

发明人： 赵炳哲 ,  李相镇 ,  李仁焕 ,  陈光善

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32

摘要： 本发明一实施例的薄膜沉积方法包括：提供形成图案的基板的步骤；表面处理步骤，利用沉积抑制气体形成沉积抑制层，所述沉积抑制气体用于抑制在所述图案上端的薄膜沉积；薄膜沉积步骤，利用工艺气体在包括所述表面处理的所述图案上沉积所述薄膜；其中，所述沉积抑制气体为包括氟的气体。

公开(公告)号：CN105575988A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201511002977.8

申请日：2015-12-28

申请人： 上海集成电路研发中心有限公司

发明人： 曾绍海 ,  李铭

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L21/02142

摘要： 本发明公开了一种防止高K材料氧扩散的方法，通过在超薄界面层和高K材料界面处增加淀积一层金属Ru作为缓冲层，并在高K材料淀积完好后进行退火，使高K材料中的氧和金属Ru结合，形成稳定的RuO2，从而可防止氧和衬底中的硅反应形成氧扩散；同时，还可阻止超薄界面层中的OH—和高K材料生成Hf的亚氧化物HfO2H2x,避免电子由Hf向功函数金属转移形成界面，造成有效功函数的降低，从而提高了电路的电学特性和可靠性。

公开(公告)号：CN101006566A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027487.1

申请日：2005-08-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 新实宽明 ,  路吉·克罗姆伯 ,  下村晃司 ,  菅原卓也 ,  松土龙夫

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。

公开(公告)号：CN1926209A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200580001499.7

申请日：2005-10-24

申请人： LG化学株式会社

发明人： 高敏镇 ,  李奇烈 ,  崔范圭 ,  文明善 ,  姜旲昊 ,  孙祯晚

IPC分类号： C09D183/04 ,  H01B3/46 ,  C09D7/12

CPC分类号： C09D183/04 ,  C08G77/34 ,  C08L71/02 ,  C08L83/04 ,  C09D7/65 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H05K3/285 ,  H05K3/4676 ,  Y10T428/31663

摘要： 本发明涉及用于介电绝缘膜的涂料组合物，该组合物包括a)有机硅氧烷聚合物；b)选自包括Rb离子、Cs离子和其混合物的组的第一金属离子；和c)有机溶剂，其中，基于该组合物的重量，第一金属离子含量为1～200ppm；本发明还涉及由上述涂料组合物制备的介电绝缘膜和包括该绝缘膜的电气或电子装置。由本发明的涂料组合物制备的介电绝缘膜具有改善的介电常数和优异的机械强度与电性能。

公开(公告)号：CN104465730A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410412444.6

申请日：2014-08-20

申请人： 株式会社东芝

发明人： 清水达雄

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/518 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/32105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28008

摘要： 实施方式的半导体装置具备SiC层、设置在上述SiC层的表面上的栅绝缘膜和设置在栅绝缘膜上的栅电极，所述栅绝缘膜含有与上述SiC层的表面接触的氧化膜或氧氮化膜，所述氧化膜或氧氮化膜含有选自B(硼)、Al(铝)、Ga(镓)、In(铟)、Sc(钪)、Y(钇)、La(镧)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)中的至少1种元素，栅绝缘膜中的上述元素的峰位于栅绝缘膜的SiC侧，上述元素的峰位于氧化膜或氧氮化膜中，并且在峰的与所述SiC层相反的一侧具有元素的浓度为1×1016cm-3以下的区域。

公开(公告)号：CN103930973A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280041907.1

申请日：2012-06-26

申请人： 科锐

发明人： S.达 ,  L.程 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔穆尔 ,  E.马基 ,  J.古尔加努斯 ,  D.J.利希滕瓦尔纳

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

摘要： 本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。

公开(公告)号：CN101032004A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580032958.8

申请日：2005-08-31

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 考利·瓦吉达

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 本发明公开了一种用于在半导体应用中形成薄的完整高k层(106、207)的方法。该方法包括在处理室(10、402)中提供衬底(25、102、202、406)，在衬底(25、102、202、406)上沉积厚的完整高k层(206)，并使所沉积的厚的高k层(206)变薄以在衬底(25、102、202、406)上形成薄的完整高k层(106、207)。或者，衬底(25、102、202、406)可以在衬底(25、102、202、406)与高k层(106、207)之间含有界面层(104、204)。变薄可以通过将厚的高k层(206)暴露于反应等离子刻蚀处理来进行，或者也可以通过等离子处理来进行，该等离子处理能够对一部分厚的高k层(206)进行改性并随后用湿法处理除去厚的高k层(206)中经过改性的部分(206a)。

公开(公告)号：CN1677691A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510052442.1

申请日：2005-02-28

申请人： 株式会社东芝

发明人： 清水达雄 ,  山口豪 ,  西川幸江

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517

摘要： 半导体器件，具备：以Si为主要成分的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的有源元件，上述有源元件包含在上述半导体衬底上形成的绝缘性金属硅化物薄膜，上述半导体衬底的Si的悬挂键以由上述绝缘性金属硅化物薄膜进行了终端。

公开(公告)号：CN104218083A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310381537.2

申请日：2013-08-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 让-皮埃尔·科林格 ,  江国诚 ,  张广兴 ,  吴志强 ,  王志豪 ,  卡洛斯·H.·迪亚兹

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

摘要： 一种鳍式场效应晶体管（FinFET）包括位于衬底之上的半导体层，其中，半导体层形成FinFET的沟道。第一硅锗氧化物层位于衬底之上，其中，第一硅锗氧化物层具有第一锗百分比。第二硅锗氧化物层位于第一硅锗氧化物层之上。第二硅锗氧化物层具有高于第一锗百分比的第二锗百分比。栅极介电层位于半导体层的侧壁和顶面上。栅电极位于栅极介电层之上。本发明还提供了一种调整半导体器件中的应变。

公开(公告)号：CN100492663C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510052442.1

申请日：2005-02-28

申请人： 株式会社东芝

发明人： 清水达雄 ,  山口豪 ,  西川幸江

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517

摘要： 半导体器件，具备：以Si为主要成分的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的有源元件，上述有源元件包含在上述半导体衬底上形成的绝缘性金属硅化物薄膜，上述半导体衬底的Si的悬挂键以由上述绝缘性金属硅化物薄膜进行了终端。