公开(公告)号：CN118073228A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311477784.2

申请日：2023-11-08

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金容准 ,  金兑根 ,  崔俊熙 ,  金康卨 ,  李炅珉

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本公开提供了能够允许液体化学品深深地渗透到基板的图案中的基板处理设备及基板处理方法，基板处理设备包括：壳体，用于形成处理基板的处理空间；基板支承部，安装在处理空间中以围绕旋转轴线旋转，并且设置成支承基板；液体化学品供应部，设置在基板支承部的上方，以朝向由基板支承部支承的基板的上表面喷出液体化学品；以及喷出部，设置在处理空间的一侧，以向基板上喷出具有与液体化学品的温度不同的温度的传热介质。

公开(公告)号：CN117096053A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202210520384.4

申请日：2022-05-12

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金兑根 ,  李炅珉 ,  赵旼熙 ,  姜元荣

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本发明构思提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括将包含聚合物和溶剂的处理液排放到基板上；和通过从基板上的处理液中挥发溶剂来将处理液的液膜固化，其中固化液膜包括停止旋转基板或以第一速度旋转基板持续第一时间段的第一时段。

公开(公告)号：CN116206972A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202210944623.9

申请日：2022-08-08

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李炅珉 ,  金兑根 ,  金康卨 ,  赵旼熙 ,  姜元荣

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了将用于剥离基板上的涂膜的剥离液同时提供到基板的整个表面以处理基板的基板处理装置及方法。所述基板处理方法包括以下步骤：利用第一喷嘴向基板上喷出第一液体，并且利用第一液体形成捕集有微粒的涂膜；利用第二喷嘴向基板上喷射第二液体，并且利用第二液体从基板剥离涂膜；以及利用第三喷嘴向基板上喷出第三液体，并且利用第三液体从基板上去除涂膜，其中，在剥离的步骤中，向基板的整个表面同时喷射第二液体。

公开(公告)号：CN109411389A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810934866.8

申请日：2018-08-16

申请人： 细美事有限公司

发明人： 赵旼熙 ,  刘在赫 ,  吴世勋 ,  金兑根 ,  延蕊林 ,  吴海琳 ,  郑址洙

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 公开涉及一种用于将清洁液供应到基板的装置。清洁液供应单元包括：混合容器，在其内部具有液体混合空间；第一供应构件，其被构造成将第一液体供应到液体混合空间中；第二供应构件，其被构造成将不同于第一液体的第二液体供应到液体混合空间中；以及混合构件，其被构造成将供应到液体混合空间中的第一液体和第二液体进行混合，并且混合构件可包括：循环管线，供在液体混合空间中的液体循环；和压力调节构件，其被构造成向液体提供压力，使得液体混合空间中的液体流入循环管线中，并且被构造成调节压力。

公开(公告)号：CN118116835A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311425650.6

申请日：2023-10-30

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金康卨 ,  金兑根 ,  崔俊熙 ,  李炅珉 ,  金容准

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 公开了一种基板处理装置，该基板处理装置允许化学液体深入地渗透到基板的图案之间的间隙中。该基板处理装置包括：壳体，具有限定在壳体中的处理空间，在处理空间中处理基板；基板支撑件，安装在处理空间中以便能够围绕旋转轴旋转，并且被配置为支撑基板；化学液体供应装置，设置在基板支撑件的顶部上，并且被配置为向支撑在基板支撑件上的基板的上表面喷射化学液体；以及控制器，被配置为向基板支撑件反复地施加指示不同转速的第一旋转控制信号和第二旋转控制信号，以便产生涂覆在基板上的化学液体的惯性行为。

公开(公告)号：CN109411389B

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN201810934866.8

申请日：2018-08-16

申请人： 细美事有限公司

发明人： 赵旼熙 ,  刘在赫 ,  吴世勋 ,  金兑根 ,  延蕊林 ,  吴海琳 ,  郑址洙

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 公开涉及一种用于将清洁液供应到基板的装置。清洁液供应单元包括：混合容器，在其内部具有液体混合空间；第一供应构件，其被构造成将第一液体供应到液体混合空间中；第二供应构件，其被构造成将不同于第一液体的第二液体供应到液体混合空间中；以及混合构件，其被构造成将供应到液体混合空间中的第一液体和第二液体进行混合，并且混合构件可包括：循环管线，供在液体混合空间中的液体循环；和压力调节构件，其被构造成向液体提供压力，使得液体混合空间中的液体流入循环管线中，并且被构造成调节压力。

公开(公告)号：CN110120358A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910034834.7

申请日：2019-01-15

申请人： 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

发明人： 朴美贤 ,  吴政玟 ,  金伶厚 ,  李晓山 ,  金兑根 ,  延蕊林 ,  吴海琳 ,  郑址洙 ,  赵旼熙

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 公开了清洁组合物、清洁装置和制造半导体器件的方法，清洁组合物包括：表面活性剂；去离子水；以及有机溶剂，其中，表面活性剂以约0.28M至约0.39M的浓度或约0.01至约0.017的摩尔分数包括在清洁组合物中，其中，有机溶剂以约7.1M至约7.5M的浓度或约0.27至约0.35的摩尔分数包括在清洁组合物中。

公开(公告)号：CN106185854A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610369957.2

申请日：2016-05-30

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李昇浩 ,  赵旼熙 ,  姜基文 ,  金兑根

IPC分类号： C01B25/237 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/31111 ,  B01D1/0011 ,  B01D1/0041 ,  B01D1/0082 ,  B01D11/0484 ,  B01D11/0492 ,  C09K13/08 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708 ,  C01B25/237 ,  C01B25/2375 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67023

摘要： 公开了一种从包括硅(Si)、氟化氢(HF)和磷酸的处理液中再生磷酸溶液的方法，所述方法包括：通过向所述处理液供应对应于预设量或更多量的氟化氢而去除硅，通过将所述处理液加热到氟化氢的沸点或更高温度而去除所述氟化氢，和将所述磷酸的温度和浓度调节到预设值。

公开(公告)号：CN118197954A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311681572.6

申请日：2023-12-08

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李炅珉 ,  金兑根 ,  金康卨

IPC分类号： H01L21/67 ,  F16L39/00

摘要： 本发明涉及一种处理液排放组件和处理液排放方法，并且所述处理液排放组件包括：排出歧管，所述排出歧管连接到基底处理设备的至少一个排放管线，并且被配置为限定预定容纳空间以临时容纳处理液；以及排出管，所述排出管连接到所述容纳空间的底表面，其中，所述排出管在排出歧管的所述容纳空间中限定具有预定高度的水平差，并且所述排出管从所述容纳空间的所述底表面朝向所述容纳空间的上侧突出所述预定高度以限定临时容纳所述处理液的缓冲空间。

公开(公告)号：CN118116834A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311390926.1

申请日：2023-10-25

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔俊熙 ,  金兑根 ,  金康卨 ,  李炅珉 ,  金容准

IPC分类号： H01L21/67 ,  B08B3/02 ,  B08B13/00

摘要： 公开了一种允许化学液体深层地渗透到基底的图案之间的间隙中的基底处理设备和基底处理方法。所述基底处理设备包括：室，具有限定在所述室中的处理空间，在所述处理空间中处理基底；卡盘，安装在所述处理空间中并配置成支撑所述卡盘上的所述基底；化学液体供应部，形成在所述卡盘上方并配置成朝向被支撑在所述卡盘上的所述基底的上表面供应化学液滴；以及加压器，形成在所述卡盘上方并配置成对供应在所述基底的所述上表面上的所述化学液滴加压，使得受压的所述化学液滴填充形成在所述基底上的图案之间的间隙。