公开(公告)号：CN102694122A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210193421.1

申请日：2005-09-01

申请人： 统一半导体公司

发明人： D.赖纳森 ,  C.J.谢瓦利耶 ,  W.金尼 ,  R.兰伯特森 ,  S.W.龙科尔 ,  J.E.小桑切斯 ,  L.施洛斯 ,  P.F.S.斯沃布 ,  E.R.沃德

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  G06F17/5045 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/005 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

摘要： 本发明涉及两端可重写非易失性离子传输RRAM器件。该器件包括：可重写非易失性存储元件（ME），所述ME正好具有两个端子并且包括与所述两个端子电相连的：具有第一电导率的隧道势垒和离子贮存器，所述离子贮存器包括可移动离子并且具有高于所述第一电导率的第二电导率，所述离子贮存器和所述隧道势垒彼此电相连。