公开(公告)号：CN111699378B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201880089068.8

申请日：2018-12-27

申请人： 统一半导体公司

发明人： 马约·杜朗德热维涅

IPC分类号： G01N21/88 ,  G01N21/95

摘要： 本发明涉及一种用于检查衬底(2)的方法(100、200)并且涉及一种实施这种方法的检查系统，所述方法包括以下步骤：在源自同一个光源(20)的两个光束(4、5)的相交处创建测量空间，并且所述测量空间包含干涉条纹，所述衬底(2)相对于所述测量空间移动；获取(102、202)表示由衬底(2)散射的光的测量信号；计算(108、208)表示缺陷(3)穿过测量空间的期望信号的至少一个期望调制频率；确定(114、214)表示所述测量信号在邻域中的频率含量的特征值，以构成表示缺陷(3)的存在的已验证信号；以及分析所述已验证信号以定位和/或识别缺陷(3)。

公开(公告)号：CN111868471B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201980017172.0

申请日：2019-01-25

申请人： 统一半导体公司 ,  原子能和替代能源委员会

发明人： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  斯特凡·戈德尼

IPC分类号： G01B9/02 ,  G01B9/0209 ,  G01B11/06 ,  G01B11/24

摘要： 本发明涉及一种用于测量待测量对象(300)的表面(400)的轮廓的方法(100)，所述表面尤其包括由至少两种不同材料制成的区域，待测对象(300)形成多个基本上相同的对象的部分，多个对象还包括具有至少一个参考表面的至少一个参考对象(304、306)，所述方法(100)包括以下步骤：根据第一参考表面的第一轮廓信号和第二参考表面的第二轮廓信号，确定(102)校正函数，所述第二参考表面被金属涂覆；获取(110)待测对象的表面的轮廓信号；以及将校正函数应用(116)于待测对象(300)的表面(400)的轮廓信号，以获得经校正的轮廓信号；所述轮廓信号是从干涉测量(104、112)获得的。本发明还涉及一种用于使用这种方法来测量对象的表面的轮廓的装置。

公开(公告)号：CN109073355A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780022856.0

申请日：2017-04-05

申请人： 统一半导体公司

发明人： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  伯努瓦·图伊

IPC分类号： G01B9/02 ,  G01B11/24 ,  G02B21/00 ,  G01N21/956 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95 ,  G01B11/06

摘要： 本发明涉及用于检查和测量物体表面的方法(100)，该表面包括至少两个相对于彼此在深度上交错的面，所述面特别地形成所述表面上/中的阶梯或沟槽，所述方法(100)包括以下步骤：在所述被检查表面的称为测量点的几个点处测量(102)称为被测信号的干涉信号；针对至少一个测量点，相对于至少一个、特别是每个面提取(108)被测信号，所述提取(108)向所述测量点和所述面传递称为单独干涉信号的干涉信号；分别对每个面的单独信号进行轮廓测量分析(110)。本发明还涉及一种实现这种方法的用于检查和测量物体表面的系统。

公开(公告)号：CN104620071B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201380043727.1

申请日：2013-08-20

申请人： 统一半导体公司

发明人： 吉莱斯·弗莱斯阔特 ,  西尔万·佩罗

IPC分类号： G01B11/00 ,  B24B49/12 ,  G01B11/06 ,  G01N21/95 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC分类号： G06T7/0012 ,  B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  G01B9/02091 ,  G01B11/06 ,  G01B11/0633 ,  G01B11/0683 ,  G01B11/14 ,  G01N21/9501 ,  G06T7/0008 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/10004 ,  G06T2207/10152 ,  G06T2207/30148 ,  H04N5/2256 ,  H04N7/18

摘要： 本发明涉及用于在对象(20)、如晶片的区域中检查包围在所述对象(20)中的结构(70a、70b、70c)、如通孔的存在的成像方法和装置，其采用：成像传感器(22)；能够在所述成像传感器(22)上产生在视场中的对象(20)的图像(73、74)的光学成像单元(34)；和用于产生照明光束(25、30)并以反射方式照亮所述视场的照明单元(23、27)，其特征在于其包括以下步骤：通过用第一照明光束(25、30)照明所述对象(20)来获取第一图像(73)，所述第一照明光束(25、30)的光谱成分适合于对象(20)的性质以使得所述光束(25、30)的光基本能够射入到所述对象(20)中；通过用第二照明光束(25、30)照明所述对象(20)来获取第二图像(74)，所述第二照明光束(25、30)的光谱成分适合于对象(20)的性质以使得所述光束(25、30)的光基本上被对象(20)的表面反射；和比较所述第一图像(73)和第二图像(74)以识别出现在第一图像(73)中但不出现在第二图像(74)中的结构(71a)。

公开(公告)号：CN102694122A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210193421.1

申请日：2005-09-01

申请人： 统一半导体公司

发明人： D.赖纳森 ,  C.J.谢瓦利耶 ,  W.金尼 ,  R.兰伯特森 ,  S.W.龙科尔 ,  J.E.小桑切斯 ,  L.施洛斯 ,  P.F.S.斯沃布 ,  E.R.沃德

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  G06F17/5045 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/005 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

摘要： 本发明涉及两端可重写非易失性离子传输RRAM器件。该器件包括：可重写非易失性存储元件（ME），所述ME正好具有两个端子并且包括与所述两个端子电相连的：具有第一电导率的隧道势垒和离子贮存器，所述离子贮存器包括可移动离子并且具有高于所述第一电导率的第二电导率，所述离子贮存器和所述隧道势垒彼此电相连。

公开(公告)号：CN118369568A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202280081672.2

申请日：2022-11-17

申请人： 统一半导体公司 ,  统一半导体股份有限公司

发明人： A·布特克维奇 ,  J·F·布兰格

IPC分类号： G01N21/88 ,  G01N21/95 ,  G01N21/958 ,  G01N21/896

摘要： 本发明涉及区分存在于基板的正面的缺陷和存在于基板的背面的缺陷的装置和方法，基板由在检查波长下透明的材料制成。方法包括将基板设置在检查系统中，检查系统包括耦合到光学系统的至少一个光源，基板设置在支承件上且关于光学系统定位成使得第一和第二光束在基板的正面的测量点处相交，以及控制支承件和光学系统的相对移动以沿基板的正面的测量路径扫描测量点，相对移动被控制成使得参考平面保持与测量路径相切。方法还包括在信号中标识第一图案，其对应于由基板的背面的颗粒散射的光并且呈现按确定的分开间隔彼此分开的两个强度峰，确定的分开间隔对应于缺陷(P)要在分开两个照射点(S1、S2)的距离(d)上移动所需的时间。

公开(公告)号：CN113330274B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201980089648.1

申请日：2019-11-28

申请人： 统一半导体公司

发明人： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  伊莎贝尔·贝尔然

IPC分类号： G01B9/02 ,  G01B9/0209 ,  G01B11/06

摘要： 本发明涉及一种用于使用低相干光学干涉测量法测量包括至少一个结构(41、42)的物体(17)的表面的方法(100)，该方法(100)包括以下步骤：‑在视场中的所述表面的多个点处获取(102)干涉测量信号，所述点称为测量点；对于至少一个测量点：‑将所获取的干涉测量信号归属(104)于多个类别的干涉测量信号中的一类别，每个类别与表示典型结构的参考干涉测量信号相关联；以及‑对该干涉测量信号进行分析(114)，以便根据其类别从该干涉测量信号中得出关于测量点处的结构的信息。本发明还涉及一种实现根据本发明的方法的测量系统。

公开(公告)号：CN110945316B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201880048331.9

申请日：2018-07-16

申请人： 统一半导体公司

发明人： 特里斯坦·孔比耶 ,  菲利普·加斯塔尔多

IPC分类号： G01B9/02 ,  G01B11/06 ,  G02B21/00 ,  G02B6/125

摘要： 一种多通道共焦传感器，其包括光源(14)、聚焦透镜布置(10)以及光学检测器(25)。该传感器还包括：‑第一光学集成电路(11)，其布置为将来自所述宽频带光源的光束(24)分离成多个发射光束，所述多个发射光束施加到发射孔(29)的高密度阵列；‑第二光学集成电路(20)，其布置为在多个收集孔(18)上收集来自待检查样品(17)的多个反射光束并且将所述反射光束传输到光学检测器(25)；‑分束器(22)，其布置为(i)通过聚焦透镜布置(10)将所述发射光束从第一光学集成电路(11)引导到检查基底(17)，以及(ii)通过聚焦透镜布置(10)将反射光束从检查样品(17)引导到第二光学集成电路(20)中。

公开(公告)号：CN113330274A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980089648.1

申请日：2019-11-28

申请人： 统一半导体公司

发明人： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  伊莎贝尔·贝尔然

IPC分类号： G01B9/02 ,  G01B11/06

摘要： 本发明涉及一种用于使用低相干光学干涉测量法测量包括至少一个结构(41、42)的物体(17)的表面的方法(100)，该方法(100)包括以下步骤：‑在视场中的所述表面的多个点处获取(102)干涉测量信号，所述点称为测量点；对于至少一个测量点：‑将所获取的干涉测量信号归属(104)于多个类别的干涉测量信号中的一类别，每个类别与表示典型结构的参考干涉测量信号相关联；以及‑对该干涉测量信号进行分析(114)，以便根据其类别从该干涉测量信号中得出关于测量点处的结构的信息。本发明还涉及一种实现根据本发明的方法的测量系统。

公开(公告)号：CN112119341A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201980026694.7

申请日：2019-03-13

申请人： 统一半导体公司

发明人： 马约·杜朗德热维涅 ,  热罗姆·波尔凯

IPC分类号： G02B21/08 ,  G02B21/10

摘要： 本发明涉及一种照明设备(1、100)，其用于具有成像物镜(2)的成像系统，所述照明设备包括：套筒(10)，其被配置为围绕所述成像物镜(2)定位；至少一根光纤(14)，所述至少一根光纤与所述套筒(10)刚性连接，并且被布置为引导来自至少一个光源的光；以及引导装置(17、17')，其被配置为定向由所述至少一根光纤(14)发射的光束，以便沿照明轴线照射所述成像系统的视场，所述照明轴线相对于所述物镜(2)的光轴形成大于成像系统的数值孔径的角度。本发明还涉及一种使用该装置的成像系统。