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公开(公告)号：CN101903286B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200880121253.7
申请日：2008-10-20
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00301 , B81B2207/095 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/13025 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及一种用于制造传感器用的、尤其是机动车传感器用的、具有至少一个罩的罩形晶片(100)、尤其是封接玻璃罩形晶片(100)的方法，该方法包括以下步骤：制造穿过所述罩形晶片(100)的触点接触通孔(110)，并且在时间上接着用导电材料(51)填充所述触点接触通孔(110)。本方面还涉及一种用于制造具有根据本发明制成的罩形晶片(100)的传感器堆栈的方法。此外，本发明涉及一种具有根据本发明的通孔式电触点接触部的罩形晶片(100)、一种具有根据本发明的罩的传感器，以及包括根据本发明传感器的衬底的装置。
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公开(公告)号：CN101903286A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880121253.7
申请日：2008-10-20
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00301 , B81B2207/095 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/13025 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及一种用于制造传感器用的、尤其是机动车传感器用的、具有至少一个罩的罩形晶片(100)、尤其是封接玻璃罩形晶片(100)的方法，该方法包括以下步骤：制造穿过所述罩形晶片(100)的触点接触通孔(110)，并且在时间上接着用导电材料(51)填充所述触点接触通孔(110)。本方面还涉及一种用于制造具有根据本发明制成的罩形晶片(100)的传感器堆栈的方法。此外，本发明涉及一种具有根据本发明的通孔式电触点接触部的罩形晶片(100)、一种具有根据本发明的罩的传感器，以及包括根据本发明传感器的衬底的装置。
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公开(公告)号：CN101528590A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780039752.7
申请日：2007-09-10
申请人： 罗伯特.博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0096 , B81B3/0005 , B81C2201/112 , B81C2203/0109 , B81C2203/031
摘要： 本发明建议了一种带有基底和功能元件的微机械的构件，其中该功能元件具有带有至少局部涂覆的，用于减小表面黏附力的不粘层的功能表面，其中此外该不粘层相对于超过800℃的温度是稳定的。
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公开(公告)号：CN101528589A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038991.0
申请日：2007-08-21
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00333 , B81C2201/0115 , B81C2201/0132 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
摘要： 本发明提出了一种覆盖技术，其中，尽管借助于穿过硅－覆盖层(7)的ClF3－蚀刻使被硅锗－填充层(4，3)包围的结构(2)露出，在此也防止了对硅－覆盖件(7，11)的蚀刻侵蚀，即或者通过蚀刻过程本身的特别选择性(大约10000∶1或更高)的调节来保护硅－覆盖件(7，11)或者通过使用下述知识来保护硅覆盖件(7，11)：即富锗层(5，10)的氧化物与氧化的多孔的硅(11)相反地是不稳定的、特别容易溶解的。
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