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公开(公告)号：CN1737685A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510109853.X
申请日：2005-07-04
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： M·K·加拉赫 , G·B·韦顿 , G·P·普罗科波维奇 , S·A·罗伯特森
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/11
Abstract: 本发明涉及涂覆在用于浸渍光刻工艺的光刻胶组合物上的阻挡组合物。另一方面，提供用于浸渍光刻工艺的新方法。
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公开(公告)号：CN1737685B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200510109853.X
申请日：2005-07-04
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： M·K·加拉赫 , G·B·韦顿 , G·P·普罗科波维奇 , S·A·罗伯特森
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/11
Abstract: 本发明涉及涂覆在用于浸渍光刻工艺的光刻胶组合物上的阻挡组合物。另一方面，提供用于浸渍光刻工艺的新方法。
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公开(公告)号：CN101788763B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910261590.2
申请日：2005-07-04
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： M·K·加拉赫 , G·B·韦顿 , G·P·普罗科波维奇 , S·A·罗伯特森
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/11
Abstract: 本发明涉及一种用于处理光刻胶组合物的方法，它包括：(a)将光刻胶组合物涂覆在基材上；(b)在该光刻胶组合物上涂覆有机阻挡组合物层；(c)在单独的步骤中，热处理所涂覆的光刻胶组合物和阻挡层组合物，以从所涂覆的光刻胶组合物和阻挡层组合物中除去溶剂，其中在涂覆所述阻挡层组合物之前，并不通过热处理除去所述光刻胶组合物的溶剂；和(d)将该光刻胶层浸渍曝光于活化辐射中。本发明主要涉及浸渍光刻技术的新材料和工艺。
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公开(公告)号：CN101788763A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910261590.2
申请日：2005-07-04
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： M·K·加拉赫 , G·B·韦顿 , G·P·普罗科波维奇 , S·A·罗伯特森
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/11
Abstract: 本发明涉及一种用于处理光刻胶组合物的方法，它包括：(a)将光刻胶组合物涂覆在基材上；(b)在该光刻胶组合物上涂覆有机阻挡组合物层；(c)在单独的步骤中，热处理所涂覆的光刻胶组合物和阻挡层组合物，以从所涂覆的光刻胶组合物和阻挡层组合物中除去溶剂，其中在涂覆所述阻挡层组合物之前，并不通过热处理除去所述光刻胶组合物的溶剂；和(d)将该光刻胶层浸渍曝光于活化辐射中。本发明主要涉及浸渍光刻技术的新材料和工艺。
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