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公开(公告)号：CN103650057A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280033629.5
申请日：2012-06-28
申请人： 美光科技公司
发明人： 维沙尔·萨林 , 威廉·H·拉德克 , 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/3454
摘要： 本发明揭示编程存储器的方法及存储器。在至少一个实施例中，通过确定选定单元的预目标阈值电压来编程存储器，其中使用所述选定单元的至少一个相邻单元的预目标阈值电压值来确定所述预目标阈值电压。
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公开(公告)号：CN101889314B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200880119378.6
申请日：2008-12-01
申请人： 美光科技公司
发明人： 维沙尔·萨林 , 辉俊胜 , 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 , 朱利奥-朱塞佩·马罗塔
CPC分类号： G11C16/12 , G11C7/16 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/28 , G11C2211/5621 , G11C2211/5634 , G11C2211/5642
摘要： 本发明包括用于操作存储器单元的方法、装置、模块及系统。一个方法实施例包括将斜变电压(503)施加到存储器单元的控制栅极(505)及施加到模/数转换器(ADC)(507)。一种方法的前述实施例还包括至少部分地响应于所述斜变电压何时致使所述存储器单元使感测电路跳脱(511)而检测所述ADC的输出(515)。
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公开(公告)号：CN101821812B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200880111474.6
申请日：2008-10-16
申请人： 美光科技公司
发明人： 维沙尔·萨林 , 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 , 乔纳森·帕布斯坦 , 辉俊胜
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7211
摘要： 在一个或一个以上实施例中，将一种存储器装置揭示为具有可调整编程窗口，所述可调整编程窗口具有多个可编程电平。移动所述编程窗口以补偿当所述存储器装置经历例如改变所述编程窗口的擦除/编程循环等因素时可达到的可靠编程及擦除阈值中的改变。在初始擦除/编程循环之前确定初始编程窗口。接着在所述编程窗口改变时移动所述编程电平，使得多个可编程电平仍保留在所述编程窗口内且随所述编程窗口改变而被追踪。
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公开(公告)号：CN101681295B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200880020400.1
申请日：2008-06-04
申请人： 美光科技公司
发明人： 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 , 维沙尔·萨林 , 荣-盛·赫埃
IPC分类号： G06F12/00
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/3418
摘要： 适于接收及传输表示两个或多于两个位的位模式的模拟数据信号的存储器装置相对于传送指示个别位的数据信号的装置促进数据传送速率的增加。对此类存储器装置的编程包括用粗略编程脉冲对单元进行初始编程以便以大步长将其阈值电压移动接近于已编程状态。然后使用粗略编程对相邻单元进行编程。然后算法返回到所述经初始编程的单元，然后用以较小步长将所述阈值电压缓慢移动到最终已编程状态阈值电压的一个或一个以上精细脉冲对所述单元进行编程。
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公开(公告)号：CN101617242B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880005513.4
申请日：2008-02-21
申请人： 美光科技公司
发明人： 本杰明·路易 , 斯科特·N·加策迈尔 , 亚当·约翰逊 , 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔
IPC分类号： G01R31/3185 , G11C29/40
CPC分类号： G01R31/318547 , G11C29/1201 , G11C29/40 , G11C29/48 , G11C2029/3202
摘要： 本发明提供一种用于测试存储器阵列和/或逻辑电路的I/O压缩设备，其由从所述存储器阵列/逻辑电路输出经压缩测试数据的可选择的压缩电路组成。I/O扫描寄存器耦合到每一I/O垫以用于响应于测试模式选择信号、测试数据输入以及测试时钟而将串行数据转换为并行以及将并行数据转换为串行。
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公开(公告)号：CN101432821B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200780015739.8
申请日：2007-05-04
申请人： 美光科技公司
发明人： 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/3454 , G11C16/3459
摘要： 用编程验证电压使选定字线偏置。用经修改的V通过电压使所述选定字线与位线之间预定数量的未固定填块1≥≤偏置，所述经修改的V通过电压是响应于预定漏极电阻而确定的。在一个实施例中，所述预定数量是全部字线。其它实施例可使用较小的数量。用正常的V通过电压使剩余未选定字线偏置。所述经修改的V通过改变在编程验证操作期间充当通过门的存储器单元的电阻，以模仿已经编程的存储器单元的电阻。
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公开(公告)号：CN102197437A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980143155.8
申请日：2009-10-30
申请人： 美光科技公司
发明人： 维沙尔·萨林 , 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔
CPC分类号： G11C7/1006 , G11C8/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C2211/5641
摘要： 本发明提供用于数据传送及/或编程存储器装置的方法、存储器装置及存储器系统。根据至少一个此种方法，将额外数据附加到原始数据且在选定存储器单元中编程所得数据。所述所附加的数据增加所述原始数据的编程阈值电压容限。所述所附加的数据可为所述原始数据的复制品或若干逻辑零。举例来说，当读取所述选定存储器单元时，存储器控制电路可仅读取MSB字段中的所述原始数据，或所述存储器控制电路可读取所述整个经编程的数据并忽略LSB字段。
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公开(公告)号：CN104409089B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201410658718.X
申请日：2007-02-27
申请人： 美光科技公司
发明人： 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔
CPC分类号： G11C7/02 , G11C7/1048 , G11C7/12 , G11C16/0483 , G11C16/24
摘要： 本发明涉及NAND存储器装置列充电。NAND快闪存储器装置及方法的实施例认识到可通过在阵列的相邻列上维持源电压来减小有效列耦合电容。在阵列操作(读取、写入及编程)之前将所述列维持在经充电状态会减小电流浪涌并改善数据读取定时。装置及方法在预充电时且在阵列存取操作之后对所述阵列列进行充电。
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公开(公告)号：CN103730166B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410036255.3
申请日：2008-07-14
申请人： 美光科技公司
发明人： 维沙尔·萨林 , 辉俊胜 , 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔
IPC分类号： G11C27/02
CPC分类号： G11C16/28 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C27/005 , G11C27/02 , G11C2211/5621 , G11C2211/5634
摘要： 本发明涉及一种固态存储器装置中的存储器单元的模拟感测.本发明揭示一种存储器装置，其包含耦合到位线的取样与保持电路。所述取样与保持电路存储选定存储器单元的目标阈值电压。编程所述存储器单元且接着以经斜升读取电压检验所述存储器单元。将接通所述存储器单元的所述读取电压存储在所述取样与保持电路中。通过比较器电路将所述目标阈值电压与所述读取电压进行比较。当所述读取电压至少大致等于(即，大致等于且/或开始超过)所述目标阈值电压时，所述比较器电路产生禁止信号。
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公开(公告)号：CN101361136B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200680051664.4
申请日：2006-12-19
申请人： 美光科技公司
发明人： 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔
IPC分类号： G11C16/04
CPC分类号： G11C16/26 , G11C16/0483
摘要： 当与传统NAND存储器阵列架构相比时，使用经修改的NAND架构的非易失性存储器装置可促进存储器密度的提高、制作步骤的减少及读取操作的加快，在所述经修改的NAND架构中存储器单元的NAND串的两端选择性地耦合到同一位线。可采用与传统NAND存储器阵列相同的方式完成对所述存储器单元的编程及擦除。然而，可使用类似于DRAM装置中的读取操作的电荷共享技术来完成对所述存储器单元的读取。
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