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公开(公告)号：CN108292607B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201680061749.4
申请日：2016-10-19
申请人： 美国联合碳化硅公司
IPC分类号： H01L21/337 , H01L29/808 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/06
摘要： 形成有垂直元件和水平元件的JFET，由诸如碳化硅的高带隙半导体材料经由包括上漂移区域和下漏极区域的衬底的三重注入制成，三重注入在漂移区域的一部分中形成下栅极、水平沟道和上栅极。源极区域可以通过顶部栅极的一部分形成，并且顶部栅极和底部栅极连接。垂直沟道区域形成为与平面JFET区域相邻并且延伸穿过顶部栅极、水平沟道和底部栅极以连接至漂移区域，使得下栅极调制垂直沟道以及水平沟道，并且来自源极的电流首先流过水平沟道，然后流过垂直沟道进入漂移区域。
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公开(公告)号：CN108292607A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680061749.4
申请日：2016-10-19
申请人： 美国联合碳化硅公司
IPC分类号： H01L21/337 , H01L29/808 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/8083 , H01L21/0465 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/0843 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/42316 , H01L29/66068 , H01L29/66909
摘要： 形成有垂直元件和水平元件的JFET，由诸如碳化硅的高带隙半导体材料经由包括上漂移区域和下漏极区域的衬底的三重注入制成，三重注入在漂移区域的一部分中形成下栅极、水平沟道和上栅极。源极区域可以通过顶部栅极的一部分形成，并且顶部栅极和底部栅极连接。垂直沟道区域形成为与平面JFET区域相邻并且延伸穿过顶部栅极、水平沟道和底部栅极以连接至漂移区域，使得下栅极调制垂直沟道以及水平沟道，并且来自源极的电流首先流过水平沟道，然后流过垂直沟道进入漂移区域。
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公开(公告)号：CN108028203A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680051802.2
申请日：2016-07-12
申请人： 美国联合碳化硅公司
IPC分类号： H01L21/337 , H01L29/808 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/8083 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/045 , H01L21/046 , H01L21/0465 , H01L21/047 , H01L21/0475 , H01L21/0485 , H01L21/76897 , H01L29/0619 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/66909
摘要： 通过使用有限数目的掩模的过程来制造垂直JFET。第一掩模用于同时在有源单元区域和终止区域中形成台面和沟槽。无掩模自对准工艺用于形成硅化物源极接触部和栅极接触部。第二掩膜用于为接触部开设窗口。第三掩模用于将覆盖金属化部图案化。可选的第四掩模用于将钝化部图案化。沟道通过成角度注入被掺杂，并且有源单元区域中的沟槽和台面的宽度可以可选地与终止区域中的沟槽和台面的宽度不同。
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公开(公告)号：CN108028203B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201680051802.2
申请日：2016-07-12
申请人： 美国联合碳化硅公司
IPC分类号： H01L21/337 , H01L29/808 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/10
摘要： 通过使用有限数目的掩模的过程来制造垂直JFET。第一掩模用于同时在有源单元区域和终止区域中形成台面和沟槽。无掩模自对准工艺用于形成硅化物源极接触部和栅极接触部。第二掩膜用于为接触部开设窗口。第三掩模用于将覆盖金属化部图案化。可选的第四掩模用于将钝化部图案化。沟道通过成角度注入被掺杂，并且有源单元区域中的沟槽和台面的宽度可以可选地与终止区域中的沟槽和台面的宽度不同。
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