公开(公告)号：CN109427652A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710770218.9

申请日：2017-08-31

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 林哲平 ,  林冠君 ,  许启茂 ,  詹书俨 ,  邹世芳 ,  吕佐文 ,  詹电针 ,  张峰溢 ,  颜士贵 ,  李甫哲

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L27/108

摘要： 本发明公开一种埋入式字符线结构的制作方法和结构，其制作方法包含：首先，提供一基底，一字符线沟槽位于基底中，二源极/漏极掺杂区位于字符线沟槽两侧的基底中，然后形成一氧化硅层覆盖字符线沟槽，之后形成一氮化钛层覆盖氧化硅层，接着进行一斜角掺质注入制作工艺，将硅原子注入氮化钛层中使得部分的氮化钛层转变为一氮硅化钛层，接续形成一导电层于字符线沟槽中，再移除部分的导电层、部分的氮硅化钛层、部分氧化硅以形成一凹槽，最后形成一帽盖层填入凹槽。

公开(公告)号：CN109427687B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201710785056.6

申请日：2017-09-04

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 林哲平 ,  詹电针 ,  詹书俨 ,  许启茂 ,  邹世芳 ,  钟定邦 ,  吴家伟

IPC分类号： H01L21/8242

摘要： 本发明公开一种半导体元件的制作方法，其步骤包含：提供一电容结构、在该电容结构上形成一导体层、对该导体层进行氢掺杂制作工艺、该氢掺杂制作工艺之后在该导体层上形成一金属层、及图形化该金属层、该导体层，形成一上电极板。

公开(公告)号：CN109216433A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710537348.8

申请日：2017-07-04

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 詹电针 ,  林哲平 ,  吕佐文 ,  吴劲苇 ,  王育群 ,  詹书俨

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

摘要： 本发明公开一种埋入式字符线和鳍状结构上栅极的制作方法，该埋入式字符线的制作方法为，首先形成一沟槽于一基底，接着进行一沉积制作工艺，以在沟槽的内侧的一侧壁和一底部形成一硅材料层，在沉积制作工艺后，在沟槽内形成一栅极介电层，最后形成一导电层填入沟槽。

公开(公告)号：CN109309123B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201710628502.2

申请日：2017-07-28

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 吕佐文 ,  吴劲苇 ,  詹电针 ,  林哲平 ,  詹书俨

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/285

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含有一半导体衬底，具有一栅极沟槽，穿过主动区域及围绕主动区域的一沟槽绝缘区域，其中栅极沟槽显露出主动区域的侧壁及沟槽绝缘结构的侧壁，其中沟槽绝缘结构包含一孔隙；一第一栅极介电层，共形的覆盖住主动区域的侧壁及沟槽绝缘区域的侧壁，其中孔隙被第一栅极介电层填满；一第二栅极介电层，从主动区域的侧壁上生长出来；及一栅极，设于栅极沟槽中。

公开(公告)号：CN109427687A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710785056.6

申请日：2017-09-04

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 林哲平 ,  詹电针 ,  詹书俨 ,  许启茂 ,  邹世芳 ,  钟定邦 ,  吴家伟

IPC分类号： H01L21/8242

摘要： 本发明公开一种半导体元件的制作方法，其步骤包含：提供一电容结构、在该电容结构上形成一导体层、对该导体层进行氢掺杂制作工艺、该氢掺杂制作工艺之后在该导体层上形成一金属层、及图形化该金属层、该导体层，形成一上电极板。

公开(公告)号：CN109326595B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201710637712.8

申请日：2017-07-31

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 吕佐文 ,  林哲平 ,  詹电针 ,  詹书俨

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含：一半导体基底，其上具有一栅极沟槽，该栅极沟槽包含一上沟槽及一下沟槽，其中该上沟槽较该下沟槽宽；一栅极，嵌入于该栅极沟槽中，其中该栅极包含一栅极上部及一栅极下部；一第一栅极介电层，设于该栅极上部与该上沟槽的侧壁之间，其中该第一栅极介电层具有一第一厚度；及一第二栅极介电层，设于该栅极下部与该下沟槽的侧壁之间，其中该第二栅极介电层具有一第二厚度，且该第二厚度小于该第一厚度。

公开(公告)号：CN109427652B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201710770218.9

申请日：2017-08-31

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 林哲平 ,  林冠君 ,  许启茂 ,  詹书俨 ,  邹世芳 ,  吕佐文 ,  詹电针 ,  张峰溢 ,  颜士贵 ,  李甫哲

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L27/108

摘要： 本发明公开一种埋入式字符线结构的制作方法和结构，其制作方法包含：首先，提供一基底，一字符线沟槽位于基底中，二源极/漏极掺杂区位于字符线沟槽两侧的基底中，然后形成一氧化硅层覆盖字符线沟槽，之后形成一氮化钛层覆盖氧化硅层，接着进行一斜角掺质注入制作工艺，将硅原子注入氮化钛层中使得部分的氮化钛层转变为一氮硅化钛层，接续形成一导电层于字符线沟槽中，再移除部分的导电层、部分的氮硅化钛层、部分氧化硅以形成一凹槽，最后形成一帽盖层填入凹槽。

公开(公告)号：CN109326595A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201710637712.8

申请日：2017-07-31

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 吕佐文 ,  林哲平 ,  詹电针 ,  詹书俨

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含：一半导体基底，其上具有一栅极沟槽，该栅极沟槽包含一上沟槽及一下沟槽，其中该上沟槽较该下沟槽宽；一栅极，嵌入于该栅极沟槽中，其中该栅极包含一栅极上部及一栅极下部；一第一栅极介电层，设于该栅极上部与该上沟槽的侧壁之间，其中该第一栅极介电层具有一第一厚度；及一第二栅极介电层，设于该栅极下部与该下沟槽的侧壁之间，其中该第二栅极介电层具有一第二厚度，且该第二厚度小于该第一厚度。

公开(公告)号：CN109309123A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201710628502.2

申请日：2017-07-28

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 吕佐文 ,  吴劲苇 ,  詹电针 ,  林哲平 ,  詹书俨

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/764 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/511 ,  H01L21/285 ,  H01L29/513

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含有一半导体衬底，具有一栅极沟槽，穿过主动区域及围绕主动区域的一沟槽绝缘区域，其中栅极沟槽显露出主动区域的侧壁及沟槽绝缘结构的侧壁，其中沟槽绝缘结构包含一孔隙；一第一栅极介电层，共形的覆盖住主动区域的侧壁及沟槽绝缘区域的侧壁，其中孔隙被第一栅极介电层填满；一第二栅极介电层，从主动区域的侧壁上生长出来；及一栅极，设于栅极沟槽中。