公开(公告)号：CN116581197A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310606741.3

申请日：2023-05-26

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(保定)有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  郞芳 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  史金超 ,  刘莹 ,  尚琪 ,  田思 ,  李英叶 ,  程立威 ,  于全庆

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在硅片受光面制备上隧穿氧化层及上掺杂多晶硅层，在硅片背光面制备下隧穿氧化层及下掺杂多晶硅层；在下掺杂多晶硅层外侧制备氧化硅层；对上掺杂多晶硅层进行激光热处理，形成激光损伤层；将硅片放置于碱性药液中，对硅片的受光面未进行激光热处理的表面进行制绒；对激光损伤层进行化学清洗；对硅片进行钝化减反膜沉积，在进行加工指定区域上印刷上金属栅线。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，提升了电池钝化效果，降低受光面的金属接触复合，简化了制备工艺步骤。

公开(公告)号：CN115954413A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202310103241.8

申请日：2023-02-13

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(保定)有限公司

发明人： 郎芳 ,  王子谦 ,  王红芳 ,  潘明翠 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  张磊 ,  张伟 ,  赵亮 ,  李献朋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体公开一种SE电池的选择性制绒方法。本发明提供的SE电池的选择性制绒方法，在制绒之前对硅片的重掺杂区进行激光刻蚀，改变重掺杂区的晶粒取向，从而使得硅片接触区和非接触区的晶粒取向不同，进而使得在相同的制绒条件下，接触区和非接触区制绒后表面存在差异，非接触区形成完整有序排列的金字塔形貌，金字塔绒面致密，有利于陷光，对提高电池短路电流有积极作用；接触区部分形成抛光面+制绒面的混绒结构，增大了与电池正面金属浆料的接触性，电池的填充因子得到了显著提高，进而有效提高了电池的转化效率，且整个工艺操作简单，制绒效率高，具有较高的推广应用价值。

公开(公告)号：CN116864571A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310841571.7

申请日：2023-07-10

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(保定)有限公司

发明人： 马红娜 ,  史金超 ,  赵学玲 ,  王子谦 ,  郎芳 ,  王红芳 ,  王平 ,  翟金叶 ,  潘明翠 ,  孟庆超 ,  宾鹏帅

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B08B7/00

摘要： 本发明提供了一种N型电池硼硅玻璃清洗方法及，属于太阳能电池技术领域，所述方法包括：将鹏扩散后的硅片正面朝下放置于载板上；将载板及硅片放入等离子刻蚀机内，等离子刻蚀机激发含氟离子的气体，将硅片背面及边缘的硼硅玻璃刻蚀干净；将经等离子刻蚀机刻蚀后的硅片及载板放入槽式酸洗设备，对硅片背面及边缘进行抛光处理。本发明采用等离子去除的方法，将硼扩散后的硅片正面朝下平放到载板上，然后将载板置于等离子刻蚀机内，等离子刻蚀机激发含氟的气体产生氟粒子，氟离子即可将硅片背面机边缘的硼硅玻璃刻蚀干净，该方式既能有效去除硅片背面及边缘绕扩的硼硅玻璃，又能避免硼扩后的正面受到破坏，能够保证电池的EL测试性能及外观质量。

公开(公告)号：CN116313867A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310284974.6

申请日：2023-03-22

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(保定)有限公司

发明人： 马红娜 ,  史金超 ,  王平 ,  王子谦 ,  赵学玲 ,  郎芳 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  孟庆超 ,  张文辉 ,  赵亮

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及晶硅电池制备领域，具体公开了一种SE‑TOPCon电池方块电阻测试方法，具体是将同一片硅片平均分成两部分，上部分用激光掺杂，可选择全打，也可选择图案化的部分打，下半部分不掺杂。退火后测试同一片硅片，上半部分全打而下半部分不打的方案，可以同时测试出重掺区和轻掺区；上部分图案化的部分打方案，可以用不同激光工艺进行掺杂，退火后可以同时测试轻掺区和不同激光掺杂退火后的重掺区方阻。本发明提成了一种简单的监控N型SE‑TOPCon电池选择性硼掺杂重掺杂区和轻掺区方块电阻的方法，同时能够简化调试激光掺杂工艺方块电阻的测试。

公开(公告)号：CN219824351U

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202320947795.1

申请日：2023-04-24

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(保定)有限公司

发明人： 郎芳 ,  王子谦 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  张磊 ,  潘明翠 ,  翟金叶 ,  赵学玲 ,  王平 ,  孟庆超 ,  张文辉 ,  赵亮 ,  李献朋 ,  史金超

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/40 ,  C23C16/24 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  H01L31/18

摘要： 本实用新型提供了一种石英舟及镀膜炉管，属于太阳能电池技术领域，包括舟托、多个石英挡板、多个石英隔板组、介质入口和介质出口；多个石英挡板均固定安装于舟托的上端，石英隔板组包括多个间隔平行布置的石英隔板，石英隔板与对应的石英挡板的侧面固定连接，且相邻的两个石英隔板之间形成安装槽；石英挡板和石英隔板内均设有中空腔，介质入口和介质出口分别与各石英挡板中的中空腔相连通，低温介质自介质入口进入到各石英挡板和各石英隔板内的中空腔内，并在硅片周围形成低温环境。本实用新型提供的石英舟，低温介质借助介质入口进入到石英隔板和石英挡板上的中空腔，并对硅片进行降温，避免硅片出现绕镀现象。

公开(公告)号：CN118248785A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410385368.8

申请日：2024-04-01

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  王平 ,  郎芳 ,  翟金叶 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  史金超 ,  于波 ,  麻超 ,  刘莹 ,  邵海涛 ,  张伟 ,  赵亮 ,  李晨曦 ,  李永康 ,  闫美楠 ,  邢博

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明提供了一种降低金属接触复合隧穿钝化接触电池的制备方法及隧穿钝化接触太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括在N型硅片背面制备隧穿氧化硅层和磷掺杂多晶硅层；利用激光对N型硅片背面的磷掺杂多晶硅层指定区域进行热处理，在激光热处理区域形成一层磷掺杂氧化硅层；磷掺杂氧化硅层不接触隧穿氧化硅层。本发明制备的隧穿钝化接触太阳能电池，激光热处理形成的磷掺杂氧化硅层能够阻挡金属栅线，适用于厚度＜80nm的磷掺杂多晶硅层上的低金属接触复合，能够适配更薄的磷掺杂多晶硅层厚度，而不会导致背面金属接触复合的上升，因此能够大幅度降低背面多晶硅层厚度、提升设备产能、减少背面多晶硅层光寄生吸收、提升电池效率。

公开(公告)号：CN115207167A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202211125312.6

申请日：2022-09-16

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 徐卓 ,  王红芳 ,  王平 ,  张文辉 ,  于全庆 ,  李锋 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种硅抛光面的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：依次采用混合酸液和纯水分别对硅片进行清洗，得一级处理片，其中，所述混合酸液为包括磷酸、氟硼酸和硝酸的水溶液；依次采用碱性混合液和纯水分别对所述一级处理片进行清洗，得二级处理片，其中，所述碱性混合液为包括强碱和乙醇的水溶液；依次采用氧化液和纯水分别对所述二级处理片进行清洗，烘干，得抛光硅片，其中所述氧化液为包括氢氟酸和双氧水的水溶液。本发明提供的清洗方法能有效去除抛光工序残留的微小颗粒，降低表面粗糙度，改善表面形态；还能去除表面残留的有机物及金属离子，有利于后续钝化工艺，能够提升光电转换效率。

公开(公告)号：CN114823992A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210744789.6

申请日：2022-06-29

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郎芳 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  吝占胜 ,  张雷 ,  吴萌萌 ,  王钰蕾 ,  张任远 ,  张莉沫 ,  李英叶 ,  张丽娜 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0288

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层及硼原位掺杂非晶硅层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼氧化硅层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。

公开(公告)号：CN114975647B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202210621074.1

申请日：2022-06-02

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郞芳 ,  孟庆超 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  张雷 ,  李峰 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种N型背接触太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括若干个并联的电池组，每个电池组包括若干个在水平方向串联的电池单元，所述电池单元包括第一硅片和第二硅片，每个硅片背光面上设有的N型区和P型区形成平面螺旋且镶嵌的图形，且所述第二硅片的图形是第一硅片的图形沿水平方向镜像得到。本发明利用氧化硅掩膜及去除掩膜，配合单面硼扩散、单面磷扩散工艺，能够在硅片的背光面上形成平面螺旋且镶嵌的N型区和P型区图形，并形成若干相邻的具有特定图形的独立电池单元，相邻电池单元之间可以通过组件焊接工艺进行串并联连接，从而实现不同的电池参数需求。

公开(公告)号：CN115747751A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211423328.5

申请日：2022-11-15

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 马红娜 ,  史金超 ,  张文辉 ,  王子谦 ,  王平 ,  赵学玲 ,  翟金叶 ,  郎芳 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  赵亮 ,  徐卓

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及光伏组件制备方法技术领域，具体公开了一种氧化硅制备方法，包括对清洗后硅片按步骤S1～步骤S14进行隧穿氧化硅层的制备，然后进行掺杂多晶硅层制备；其中，步骤S1～步骤S14为：承载清洗后硅片载片舟进入工艺腔室；抽真空，并升温，温度200℃～300℃；氮气吹扫；抽真空；通入惰性气体，并开启微波，气体流量100～500sccm，时长30～150s；抽真空；氮气吹扫；抽真空；通入氧化气体，气体流量50sccm～200sccm，时长10s～100s；抽真空；氮气吹扫；通入氢气，并开启微波，气体流量100～500sccm，时长30～150s；抽真空；氮气吹扫。本发明提出的方法，优了化PECVD法制备氧化硅工艺，能够保证生长隧穿氧化硅层前硅片表面的洁净，能钝化氧化硅中的悬挂键，得到优质的隧穿氧化硅层。