公开(公告)号：CN107430269A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580077483.8

申请日：2015-03-06

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 张崇 ,  I.A.萨拉马

IPC: G02B26/10

Abstract: 本公开的实施例指向用于激光束操纵的声光学偏转器和反射镜以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，一种激光系统可以包括：声光学模块，用以当集成电路（IC）衬底处于激光束的路径中时在所述IC衬底上使所述激光束在所述激光束的第一扫描方向上偏转；以及反射镜，具有至少一个表面以接收来自所述声光学模块的所述激光束，所述反射镜要进行移动以控制所述激光束在第二扫描方向上的位置，其中所述第二扫描方向基本上垂直于所述第一扫描方向。可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN107406248B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201680018801.8

申请日：2016-02-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K.O.李 ,  Z.周 ,  I.A.萨拉马 ,  F.艾德 ,  S.N.奥斯特 ,  L.W.孔 ,  J.索托冈萨莱斯

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 描述了形成传感器集成封装器件的方法和由此形成的结构。实施例包括提供基板核，其中第一导电迹线结构和第二导电迹线结构设置在基板核上；在第一导电迹线结构和第二导电迹线结构之间形成腔体；以及将磁体放置在设置于第一和第二导电迹线结构中的每一个的部分上的抗蚀剂材料上，其中抗蚀剂材料不在腔体之上延伸。

公开(公告)号：CN107430269B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201580077483.8

申请日：2015-03-06

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 张崇 ,  I.A.萨拉马

IPC: G02B26/10

Abstract: 本公开的实施例指向用于激光束操纵的声光学偏转器和反射镜以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，一种激光系统可以包括：声光学模块，用以当集成电路（IC）衬底处于激光束的路径中时在所述IC衬底上使所述激光束在所述激光束的第一扫描方向上偏转；以及反射镜，具有至少一个表面以接收来自所述声光学模块的所述激光束，所述反射镜要进行移动以控制所述激光束在第二扫描方向上的位置，其中所述第二扫描方向基本上垂直于所述第一扫描方向。可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN111696949A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010092639.2

申请日：2020-02-14

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R.贾因 ,  李圭伍 ,  I.A.萨拉马 ,  A.P.阿卢尔 ,  任纬纶 ,  Y.闵 ,  李声

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 实施例包括半导体封装。半导体封装包括多个堆积层以及堆积层中的多个导电层。导电层包括第一导电层和第二导电层。第一导电层在第二导电层和堆积层上方，其中第一通孔耦合第一导电层和第二导电层。该半导体封装还包括堆积层中的薄膜电容器（TFC），其中第二通孔将TFC耦合到第一导电层，并且第二通孔具有比第一通孔的厚度小的厚度。第一导电层可以是第一级互连。堆积层可以是电介质。TFC可包括第一电极、第二电极和电介质。第一电极可在第二电极上方，并且电介质可在第一电极和第二电极之间。

公开(公告)号：CN107750388A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201580081219.1

申请日：2015-06-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K-O.李 ,  I.A.萨拉马

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L23/538 ,  H01L23/66 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/66 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/6666 ,  H01L2224/16157 ,  H01L2224/16197 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本文公开了具有带有凹槽的内插器的集成电路（IC）结构。例如，IC结构可包含：具有抗蚀表面的内插器；部署在抗蚀表面中的凹槽，其中凹槽的底部是表面精加工的；以及位于抗蚀表面处的多个导电接触。可公开和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN107406248A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680018801.8

申请日：2016-02-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K.O.李 ,  Z.周 ,  I.A.萨拉马 ,  F.艾德 ,  S.N.奥斯特 ,  L.W.孔 ,  J.索托冈萨莱斯

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 描述了形成传感器集成封装器件的方法和由此形成的结构。实施例包括提供基板核，其中第一导电迹线结构和第二导电迹线结构设置在基板核上；在第一导电迹线结构和第二导电迹线结构之间形成腔体；以及将磁体放置在设置于第一和第二导电迹线结构中的每一个的部分上的抗蚀剂材料上，其中抗蚀剂材料不在腔体之上延伸。