公开(公告)号：CN114638370A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111357680.9

申请日：2021-11-16

申请人： 英特尔公司

发明人： D·J·米夏拉克 ,  J·M·布莱克韦尔 ,  J·J·普罗姆伯恩 ,  J·S·克拉克

IPC分类号： G06N10/20 ,  G06N10/60

摘要： 本文公开了在量子计算设备中的类金刚石材料，以及相关的方法、设备和材料。例如，在一些实施例中，量子计算设备可以包括：量子比特电路，与量子比特电路导电接触的互连，以及靠近互连的介电材料，其中介电材料包括类金刚石膜。

公开(公告)号：CN107980170B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201580080061.6

申请日：2015-06-17

申请人： 英特尔公司

发明人： P·E·罗梅罗 ,  J·J·普罗姆伯恩

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L43/12

摘要： 说明了用于器件制造的通过氧化物层的原子层去除的过渡金属干法蚀刻以及所得到的器件。在示例中，一种对膜进行蚀刻的方法，包括使包含过渡金属的膜的过渡金属物质的表面层与分子氧化剂物质反应。该方法还包括去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供过渡金属物质的氧化表面层。该方法还包括使过渡金属物质的氧化表面层与分子蚀刻剂反应。该方法还包括通过挥发去除过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。

公开(公告)号：CN106463358B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201480078918.6

申请日：2014-06-16

申请人： 英特尔公司

发明人： R·V·谢比亚姆 ,  C·J·杰泽斯基 ,  T·K·因杜库里 ,  J·S·克拉克 ,  J·J·普罗姆伯恩

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

摘要： 本公开内容的实施例描述了去除金属互连件中的缝隙和空隙以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，一种方法，包括：将金属共形沉积到凹陷部中以形成互连件，该凹陷部被设置在电介质材料中，其中，共形沉积金属在凹陷部内的或直接相邻于凹陷部的所沉积的金属中产生缝隙或空隙；以及在存在反应气体的情况下对金属进行加热，以去除缝隙或空隙，其中，金属的熔点大于铜的熔点。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN106463358A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078918.6

申请日：2014-06-16

申请人： 英特尔公司

发明人： R·V·谢比亚姆 ,  C·J·杰泽斯基 ,  T·K·因杜库里 ,  J·S·克拉克 ,  J·J·普罗姆伯恩

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

摘要： 本公开内容的实施例描述了去除金属互连件中的缝隙和空隙以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，一种方法，包括：将金属共形沉积到凹陷部中以形成互连件，该凹陷部被设置在电介质材料中，其中，共形沉积金属在凹陷部内的或直接相邻于凹陷部的所沉积的金属中产生缝隙或空隙；以及在存在反应气体的情况下对金属进行加热，以去除缝隙或空隙，其中，金属的熔点大于铜的熔点。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN116322062A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211462449.0

申请日：2022-11-21

申请人： 英特尔公司

发明人： A·森古普塔 ,  J·J·普罗姆伯恩 ,  D·E·尼科诺夫 ,  K·P·奥布莱恩 ,  I·A·扬 ,  M·V·梅茨 ,  C-C·林 ,  S·B·克伦德宁 ,  P·德巴什 ,  C·L·罗根 ,  B·J·霍利比 ,  K·奥乌兹

IPC分类号： H10B69/00 ,  H10B12/00 ,  H01L29/24

摘要： 本文描述了使用钙钛矿材料形成的集成电路器件。可以将具有类似晶体结构和不同电性质的钙钛矿材料分层以实现晶体管或存储器器件。在一些实施例中，铁电钙钛矿可以结合到具有其他钙钛矿膜的器件中以形成铁电存储器器件。

公开(公告)号：CN116266583A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211424667.5

申请日：2022-11-14

申请人： 英特尔公司

发明人： C-C·林 ,  T·A·戈萨维 ,  U·E·阿维奇 ,  S-C·常 ,  H·李 ,  D·E·尼科诺夫 ,  K·奥乌兹 ,  A·V·佩努马季哈 ,  J·J·普罗姆伯恩 ,  I·A·扬

IPC分类号： H01L23/64 ,  H10B53/30 ,  H10N97/00 ,  H01G7/06

摘要： 本公开涉及基于铁电氧化物和铁电单硫族化合物的电容器。第一种类型的铁电电容器包括电极和绝缘层，电极和绝缘层包括铁电氧化物。在一些实施例中，电极和绝缘层包括钙钛矿铁电氧化物。第二种类型的铁电电容器包括包含特定单硫族化合物的铁电绝缘层。这两种类型的铁电电容器都可以具有小于一伏的矫顽电压。对于下一代半导体制造技术而言，此类电容器具有被用于低电压非易失性嵌入式存储器的吸引力。

公开(公告)号：CN107980170A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201580080061.6

申请日：2015-06-17

申请人： 英特尔公司

发明人： P·E·罗梅罗 ,  J·J·普罗姆伯恩

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L21/32135 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 说明了用于器件制造的通过氧化物层的原子层去除的过渡金属干法蚀刻以及所得到的器件。在示例中，一种对膜进行蚀刻的方法，包括使包含过渡金属的膜的过渡金属物质的表面层与分子氧化剂物质反应。该方法还包括去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供过渡金属物质的氧化表面层。该方法还包括使过渡金属物质的氧化表面层与分子蚀刻剂反应。该方法还包括通过挥发去除过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。