公开(公告)号：CN107731785B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201710951501.1

申请日：2014-09-25

申请人： 英特尔公司

发明人： 俞辉在 ,  T·K·因杜库里 ,  R·V·谢比亚姆 ,  J·S·克拉克

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

摘要： 本发明描述了一种电介质层和形成所述电介质层的方法。在电介质层中限定了开口，并且在所述开口内沉积了导线，其中，所述导线包括被护套材料包围的芯材料，其中，所述护套材料呈现出第一电阻率ρ1，并且所述芯材料呈现出第二电阻率ρ2，并且ρ2小于ρ1。

公开(公告)号：CN109216267A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811066638.X

申请日：2014-12-23

申请人： 英特尔公司

发明人： Y·V·舒斯特曼 ,  F·格里吉欧 ,  T·K·因杜库里 ,  R·A·布雷恩

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 公开了用于提供解耦过孔填充的技术。给定过孔沟槽，将第一阻挡层共形地沉积到沟槽的底部和侧壁上。将第一金属填料毯式沉积到沟槽中。随后，使非选择性沉积物凹进，使得仅沟槽的部分填充有第一金属。与第一金属一起去除先前沉积的第一阻挡层，由此重新暴露沟槽的上部侧壁。将第二阻挡层共形地沉积到第一金属的顶部和现在曝露的沟槽的侧壁上。将第二金属填料毯式沉积到剩余沟槽中。能够如随后的处理所需地执行平坦化和/或蚀刻。从而，提供了用于使用双金属工艺来填充高纵横比过孔的方法学。然而，需要注意，第一填充金属和第二填充金属可以相同。

公开(公告)号：CN107452711B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201710556412.7

申请日：2013-12-16

申请人： 英特尔公司

发明人： C·J·杰泽斯基 ,  J·S·克拉克 ,  T·K·因杜库里 ,  F·格瑟特莱恩 ,  D·J·谢拉斯

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485

摘要： 本发明描述了包括钴的金属互连和形成包括钴的金属互连的方法。在实施例中，包括钴的金属互连包括设置在衬底上的电介质层、形成在所述电介质层中以使所述衬底被露出的开口。实施例还包括设置在所述衬底之上的晶种层、以及形成在所述开口内和所述晶种层的表面上的包括钴的填充材料。

公开(公告)号：CN106068549B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201580002697.9

申请日：2015-02-21

申请人： 英特尔公司

发明人： C·J·杰泽斯基 ,  T·K·因杜库里 ,  R·V·谢比亚姆 ,  C·T·卡弗

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/28

摘要： 实施例包括金属互连结构，所述金属互连结构包括：设置在衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且暴露所述衬底和互连线的至少其中之一的导电区；设置在所述导电区之上和所述侧壁上的粘附层，所述粘附层包括锰；以及所述开口内和所述粘附层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴。本文中描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN106463358B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201480078918.6

申请日：2014-06-16

申请人： 英特尔公司

发明人： R·V·谢比亚姆 ,  C·J·杰泽斯基 ,  T·K·因杜库里 ,  J·S·克拉克 ,  J·J·普罗姆伯恩

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

摘要： 本公开内容的实施例描述了去除金属互连件中的缝隙和空隙以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，一种方法，包括：将金属共形沉积到凹陷部中以形成互连件，该凹陷部被设置在电介质材料中，其中，共形沉积金属在凹陷部内的或直接相邻于凹陷部的所沉积的金属中产生缝隙或空隙；以及在存在反应气体的情况下对金属进行加热，以去除缝隙或空隙，其中，金属的熔点大于铜的熔点。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN106463358A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078918.6

申请日：2014-06-16

申请人： 英特尔公司

发明人： R·V·谢比亚姆 ,  C·J·杰泽斯基 ,  T·K·因杜库里 ,  J·S·克拉克 ,  J·J·普罗姆伯恩

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

摘要： 本公开内容的实施例描述了去除金属互连件中的缝隙和空隙以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，一种方法，包括：将金属共形沉积到凹陷部中以形成互连件，该凹陷部被设置在电介质材料中，其中，共形沉积金属在凹陷部内的或直接相邻于凹陷部的所沉积的金属中产生缝隙或空隙；以及在存在反应气体的情况下对金属进行加热，以去除缝隙或空隙，其中，金属的熔点大于铜的熔点。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN114361132A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202210020138.2

申请日：2015-02-21

申请人： 英特尔公司

发明人： C·J·杰泽斯基 ,  T·K·因杜库里 ,  R·V·谢比亚姆 ,  C·T·卡弗

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

摘要： 实施例包括金属互连结构，所述金属互连结构包括：设置在衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且暴露所述衬底和互连线的至少其中之一的导电区；设置在所述导电区之上和所述侧壁上的粘附层，所述粘附层包括锰；以及所述开口内和所述粘附层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴。本文中描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN107924993B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201580082488.X

申请日：2015-09-18

申请人： 英特尔公司

发明人： M·L·多齐 ,  B·S·多伊尔 ,  C·C·郭 ,  K·奥乌兹 ,  K·P·奥布莱恩 ,  S·苏里 ,  T·K·因杜库里

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 公开了用于制造自旋转移矩存储器(STTM)元件的技术。在一些实施例中，该技术包括用于去除再沉积的层和/或中断在STTM元件的一个或多个侧壁上形成的再沉积层在其形成期间的电气连续性的方法。还描述了包括这样的STTM元件的器件和系统。

公开(公告)号：CN104813446B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380062154.7

申请日：2013-12-16

申请人： 英特尔公司

发明人： C·J·杰泽斯基 ,  J·S·克拉克 ,  T·K·因杜库里 ,  F·格瑟特莱恩 ,  D·J·谢拉斯

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76841 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明描述了包括钴的金属互连和形成包括钴的金属互连的方法。在实施例中，包括钴的金属互连包括设置在衬底上的电介质层、形成在所述电介质层中以使所述衬底被露出的开口。实施例还包括设置在所述衬底之上的晶种层、以及形成在所述开口内和所述晶种层的表面上的包括钴的填充材料。

公开(公告)号：CN104813446A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380062154.7

申请日：2013-12-16

申请人： 英特尔公司

发明人： C·J·杰泽斯基 ,  J·S·克拉克 ,  T·K·因杜库里 ,  F·格瑟特莱恩 ,  D·J·谢拉斯

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76841 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明描述了包括钴的金属互连和形成包括钴的金属互连的方法。在实施例中，包括钴的金属互连包括设置在衬底上的电介质层、形成在所述电介质层中以使所述衬底被露出的开口。实施例还包括设置在所述衬底之上的晶种层、以及形成在所述开口内和所述晶种层的表面上的包括钴的填充材料。