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公开(公告)号：CN108231728A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711318207.3
申请日：2017-12-12
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L23/49894 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/49822 , H01L23/5222 , H01L23/5227 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/19 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/03464 , H01L2224/03831 , H01L2224/03848 , H01L2224/039 , H01L2224/04042 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05556 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/49171 , H01L2224/85375 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H04L25/0266 , H01L2924/01015 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/013 , H01L2924/01042 , H01L2924/00012 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753
摘要： 本发明公开了半导体器件、电子组件及方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括包含接触衬垫的电流隔离信号传输耦合器。所述接触衬垫包括金属基底层，布置在金属基底层上的金属扩散屏障层，以及布置在金属扩散屏障层上的金属线可接合层。金属扩散屏障层包括第一部分和第二部分。第一部分具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第一表面在外围处包括弯曲表面。第一部分在横向平面中延伸并且具有宽度。第二部分在第一部分的宽度的中间处从第二表面伸出。
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公开(公告)号：CN114464592A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210133054.X
申请日：2017-12-12
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了半导体器件、电子组件及方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括包含接触衬垫的电流隔离信号传输耦合器。所述接触衬垫包括金属基底层，布置在金属基底层上的金属扩散屏障层，以及布置在金属扩散屏障层上的金属线可接合层。金属扩散屏障层包括第一部分和第二部分。第一部分具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第一表面在外围处包括弯曲表面。第一部分在横向平面中延伸并且具有宽度。第二部分在第一部分的宽度的中间处从第二表面伸出。
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公开(公告)号：CN108231728B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201711318207.3
申请日：2017-12-12
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了半导体器件、电子组件及方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括包含接触衬垫的电流隔离信号传输耦合器。所述接触衬垫包括金属基底层，布置在金属基底层上的金属扩散屏障层，以及布置在金属扩散屏障层上的金属线可接合层。金属扩散屏障层包括第一部分和第二部分。第一部分具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第一表面在外围处包括弯曲表面。第一部分在横向平面中延伸并且具有宽度。第二部分在第一部分的宽度的中间处从第二表面伸出。
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