公开(公告)号：CN104952841A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510136422.6

申请日：2015-03-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭宏瑞 ,  刘重希

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3512 ,  H05K3/3457 ,  H05K3/4007 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括衬底，从衬底暴露的导电互连件，覆盖衬底和导电互连件的部分的钝化件，设置在钝化件上方并且与导电互连件的暴露部分接触的凸块下金属(UBM)焊盘，以及设置在UBM焊盘上方的导体，其中，导体包括顶面、从顶面延伸并且包括第一倾斜度的第一倾斜外表面和从第一倾斜外表面的端部延伸至UBM焊盘并且包括第二倾斜度的第二倾斜外表面，第二倾斜度基本上小于第一倾斜度。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN108140628A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058117.2

申请日：2016-10-07

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 胁山悟 ,  清水完 ,  林利彦 ,  中村卓矢 ,  城直树

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及摄像装置，所述摄像装置包括第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述摄像装置包括第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述摄像装置包括微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。

公开(公告)号：CN104900616A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510098930.X

申请日：2015-03-06

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 温英男 ,  刘建宏 ,  姚皓然

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20646 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包含半导体晶片、第一凹部、第一重布局线路层、第二凹部、第二重布局线路层以及封装层；半导体晶片具有电子元件以及导电垫，导电垫与电子元件电性连接且配置于半导体晶片的上表面；第一凹部自上表面朝半导体晶片的下表面延伸；第一重布局线路层自上表面朝下表面延伸，第一重布局线路层与导电垫电性连接且部分第一重布局线路层配置于第一凹部内；第二凹部自下表面朝上表面延伸且与第一凹部通过连通部连通；第二重布局线路层自下表面朝上表面延伸，部分第二重布局线路层配置于第二凹部内且第二重布局线路层通过连通部与第一重布局线路层电性连接；封装层配置于下表面。本发明可降低制程难度。

公开(公告)号：CN102201383B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110073355.X

申请日：2011-03-25

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 张恕铭 ,  楼百尧 ,  温英男 ,  刘建宏

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/92142 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开一种电子元件封装体及其制造方法，电子元件封装体包括：至少一半导体芯片、至少一抵接部、一钝化保护层以及一基板。半导体芯片具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中至少一重布线设置于半导体芯片的第一表面上，且电连接于半导体芯片的至少一导电垫结构。抵接部设置于重布线上并与其电性接触。钝化保护层覆盖半导体芯片的第一表面且环绕抵接部。基板贴附于半导体芯片的第二表面。本发明也揭示上述电子元件封装体的制造方法。

公开(公告)号：CN108231728A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711318207.3

申请日：2017-12-12

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： M.科茨鲍尔 ,  J.M.S.帕耶 ,  M.施特歇尔 ,  A.詹克尔

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49894 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H04L25/0266 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753

摘要： 本发明公开了半导体器件、电子组件及方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括包含接触衬垫的电流隔离信号传输耦合器。所述接触衬垫包括金属基底层，布置在金属基底层上的金属扩散屏障层，以及布置在金属扩散屏障层上的金属线可接合层。金属扩散屏障层包括第一部分和第二部分。第一部分具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第一表面在外围处包括弯曲表面。第一部分在横向平面中延伸并且具有宽度。第二部分在第一部分的宽度的中间处从第二表面伸出。

公开(公告)号：CN105931954A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610104398.2

申请日：2016-02-25

申请人： 株式会社日立功率半导体

发明人： 古川智康 ,  白石正树 ,  中野广 ,  守田俊章

IPC分类号： H01L21/28 ,  H02M7/00

CPC分类号： H02M7/537 ,  H01L21/283 ,  H01L21/78 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L29/45 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14154 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3511 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/1413 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/03464 ,  H01L21/304 ,  H01L21/22 ,  H01L21/28 ,  H02M7/00

摘要： 本发明提供能减低成膜的Ni电极膜的膜缺损的半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置。半导体装置(100)在形成半导体元件(150)的半导体基板(108)的n+型半导体层(108c)的第1表面(108d)具备：第1半导体芯片的电极结构体(151)，其与该半导体元件(150)电连接，按照Al或Al合金所构成的第1Al金属层(105)、Cu扩散防止层(107)、Al或Al合金所构成的第2Al金属层(106)、以及Ni层(104)的顺序将它们形成；和导电构件(102)，其配置在Ni层(104)的表面(104a)，经由铜烧结层(103)与第1半导体芯片的电极结构体(151)接合，第2Al金属层(106)的表面(106a)的Al晶粒的结晶面方位主要为(110)面。

公开(公告)号：CN105609410A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201511035867.1

申请日：2015-11-13

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·海因里奇 ,  J·希尔施勒 ,  M·米希茨 ,  M·勒斯纳 ,  G·施特兰茨尔 ,  M·兹加加

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03005 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/05794 ,  H01L2224/05847 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02697

摘要： 本发明涉及用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法。根据各种实施例，用于处理半导体衬底的方法可以包括：用金属覆盖半导体衬底的多个管芯区；由半导体衬底形成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有金属；以及随后，对覆盖多个管芯中的至少一个管芯的金属进行退火。

公开(公告)号：CN101410965B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200780011329.6

申请日：2007-04-04

申请人： 国际商业机器公司

发明人： D·C·埃德尔斯坦 ,  M·G·法鲁克 ,  R·汉农 ,  I·D·梅尔维尔

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2224/05552

摘要： 一种用于最后段制程(FBEOL)半导体器件形成的方法，包括：在半导体晶片(106)的上层中形成终端铜衬垫(104)，在所述终端铜衬垫之上形成绝缘叠层(114)，以及在所述绝缘叠层的一部分内构图并开口终端过孔(116)以留下保护所述终端铜衬垫的所述绝缘叠层的底部覆层(118)。在所述绝缘叠层的顶部之上形成并构图有机钝化层(126)，并去除在所述终端铜衬垫之上的所述底部覆层(118)。在所述有机钝化层和终端铜衬垫之上淀积球限制冶金(BLM)叠层(128)，以及在所述BLM叠层的构图的部分上形成焊料球连接(108)。

公开(公告)号：CN108074899A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710057874.4

申请日：2017-01-23

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 瑞格·翰姆施 ,  格兰·瑞讷 ,  德发拉郡·巴拉罗门

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/0519 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/0579 ,  H01L2224/058 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0361 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/033 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/03 ,  H01L23/49 ,  H01L24/10 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27

摘要： 电子装置和其制造方法。一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供一种制造半导体装置的方法，其包括通过至少部分地执行横向镀覆处理形成互连结构，并且提供一种通过这种方法制造的半导体装置。

公开(公告)号：CN107017222A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610984517.8

申请日：2016-11-09

申请人： 安世有限公司

发明人： 梁志豪 ,  波姆皮奥·V·乌马里 ,  杨顺迪 ,  林根伟

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05091 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/013 ,  H01L23/49838 ,  H01L21/4853

摘要： 本发明公开一种半导体装置以及一种制造该半导体装置的方法。该装置包括具有主表面的半导体基板、位于该主表面上的一个或多个接触以及覆盖至少该主表面的包封物。每个接触的外围边缘限定主该表面上的接触面积。该装置还包括位于该包封物外部的一个或多个结合衬垫。每个结合衬垫通过穿过该包封物的相应金属填充通孔电连接到相应接触，该接触位于该基板的该主表面上。当从该基板的该主表面上方查看时，每个相应金属填充通孔的侧壁在该通孔与该相应接触接合的点处落入由该相应接触限定的该接触面积内，由此填充每个相应通孔的该金属都不会延伸到每个相应接触的该接触面积外部。