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公开(公告)号：CN111640709A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010126813.0
申请日：2020-02-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/482
摘要： 一种模制半导体封装包括：模制化合物；具有嵌入模制化合物中的第一端和从模制化合物的侧面突出的第二端的多个引线；以及嵌入模制化合物中并在模制化合物内电连接到多个引线的半导体管芯。多个引线中的每个引线的第二端具有底表面，该底表面与模制化合物的底部主表面面向相同的方向。多个引线中的每个引线的底表面与模制化合物的底部主表面共面或设置于模制化合物的底部主表面上方的平面中，使得多个引线中没有引线延伸至模制化合物的底部主表面下方。
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公开(公告)号：CN111312678A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911264867.7
申请日：2019-12-11
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/482 , H01L25/16 , H01L21/60
摘要： 功率半导体模块包括第一衬底，其中，该第一衬底包括铝；布置在第一衬底上的第一氧化铝层；布置在第一氧化铝层上的导电层；第一半导体芯片，其中，该第一半导体芯片布置在导电层上并且与该导电层电连接；电绝缘材料，该电绝缘材料包围该第一半导体芯片，其中，该第一氧化铝层构造用于将第一半导体芯片与第一衬底电隔离。
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公开(公告)号：CN107275316A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710325396.0
申请日：2017-03-31
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/50
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L21/4825 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L2224/0603 , H01L2224/40245 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49113 , H02M7/003 , H02M7/44 , H02M7/5387 , H01L25/065 , H01L23/50
摘要： 一种半导体封装包括衬底、固定到衬底的第一晶体管管芯和固定到衬底的第二晶体管管芯。第一晶体管管芯具有：源极端子，位于第一晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及漏极端子和栅极端子，位于第一晶体管管芯的背离衬底的顶侧处。第二晶体管管芯具有：漏极端子，位于第二晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及源极端子和栅极端子，位于第二晶体管管芯的背离衬底的顶侧处。所述封装还包括在第一晶体管管芯的漏极端子和第二晶体管管芯的源极端子之间的公共电连接。
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公开(公告)号：CN117334696A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310719260.3
申请日：2023-06-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L27/092 , H01L23/48 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H03K17/687
摘要： 本公开涉及在半导体材料中形成的双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，以及使用该双栅极MOSFET器件的电路和技术。在一些示例中，双栅极MOSFET器件可以包括在半导体材料中形成的第一MOSFET和在半导体材料中形成的第二MOSFET，其中第一MOSFET和第二MOSFET在半导体材料中并联布置，其中第一MOSFET和第二MOSFET包括公共漏极节点和公共源极节点，并且其中第一MOSFET和第二MOSFET限定不同的传输特性。
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公开(公告)号：CN111627883A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010127018.3
申请日：2020-02-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种半导体装置，其包括引线框架，该引线框架包括至少第一和第二载体，所述第一和第二载体彼此横向地并排布置；至少第一和第二半导体管芯，所述第一半导体管芯布置在第一载体上并电耦合到第一载体，并且第二半导体管芯被布置在第二载体上并电耦合到第二载体；以及互连，其被配置为将第一载体机械地固定到第二载体并且使第一载体与第二载体电绝缘，其中，第一和第二半导体管芯至少部分地暴露于外部。
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