-
公开(公告)号：CN106206285A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610327451.5
申请日：2016-05-17
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/203 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23C14/22 , C23C14/35
CPC分类号： H01L21/02115 , H01L21/02046 , H01L21/02164 , H01L21/02301 , H01L21/02315 , H01L21/28194 , H01L21/3065 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/1602 , H01L29/1604 , H01L29/51 , H01L29/66181 , H01L29/7395 , H01L21/31116 , C23C14/22 , C23C14/35 , C23C16/44 , H01L21/02266 , H01L21/02271 , H01L21/02274
摘要： 根据各种实施例，一种用于处理半导体层的方法可以包括：在远程等离子体源的等离子体室中生成蚀刻等离子体，其中，远程等离子体源的等离子体室耦合到处理室以用于处理半导体层；将蚀刻等离子体引入处理室以移除来自半导体层的表面的自然氧化层和至多是可忽略的数量的半导体层的半导体材料；并且随后，将介电层直接沉积在半导体层的表面上。
-
公开(公告)号：CN104300003A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410325781.1
申请日：2014-07-09
申请人： 索尼公司
发明人： 甘利浩一
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/786 , H01L29/1604 , H01L29/41733 , H01L29/6675 , H01L29/66757 , H01L29/78618 , H01L51/0001 , H01L51/0021 , H01L51/0508 , H01L51/0545
摘要： 本申请涉及薄膜晶体管及其制造方法以及电子设备。根据本技术的实施方式提供了一种薄膜晶体管，包括：栅电极以及一对源电极和漏电极；以及半导体层，具有在其中形成的沟道，并且具有分别连接至所述一对源电极和漏电极的一对连接部，其中，所述一对连接部的相对面中的一者或者两者为非平面。
-
公开(公告)号：CN102969225A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210320887.3
申请日：2012-08-31
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： 格哈德·施密特
CPC分类号： G01K7/18 , H01L28/22 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/1604 , H01L29/408 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件、温度传感器和制造半导体器件的方法。根据一个实施方式，半导体器件包括半导体基底和半导体基底上的非晶半绝缘层。
-
公开(公告)号：CN1401140A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN01803154.4
申请日：2001-08-13
申请人： 矩阵半导体公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/88 , H01L27/14 , G11C11/34 , H01L21/8246 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/11582 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C2211/5612 , H01L21/31053 , H01L21/76819 , H01L21/8221 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L27/0688 , H01L27/112 , H01L27/11286 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11558 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L27/1158 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L29/0626 , H01L29/0661 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/42324 , H01L29/42332 , H01L29/42364 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7391 , H01L29/78642 , H01L29/7881 , H01L29/7889 , H01L29/792 , H01L29/7926 , H01L29/861 , H01L29/8616
摘要： 提供一种单体三维阵列的电荷存储器件，其包括多个器件层面，其中两个连续器件层面之间至少一个表面用化学机械抛光整平。
-
公开(公告)号：CN106409840A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610916022.1
申请日：2016-10-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1229 , H01L27/127 , H01L29/1604 , H01L29/165
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示面板，在薄膜晶体管中设置由碳纳米管半导体层和非掺杂非晶硅层组成的有源层，并且将非掺杂非晶硅层设置于碳纳米管半导体层与源极和漏极之间。这样，在薄膜晶体管打开时，主要通过有源层中的碳纳米管半导体层导电，碳纳米管半导体层具有较高的电子迁移率，并形成较大的开态电流，在薄膜晶体管关闭时，漏电流主要通过有源层中的非掺杂非晶硅层进行释放，具有较小的漏电流，从而使薄膜晶体管具有较高的开关电流比。
-
公开(公告)号：CN105960713A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201580005427.3
申请日：2015-01-20
申请人： 国际商业机器公司
发明人： B·海克马特少巴塔瑞 , G·G·莎赫迪
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/80 , H01L27/095
CPC分类号： H01L29/8086 , H01L27/0617 , H01L27/098 , H01L29/1066 , H01L29/1604 , H01L29/802 , H01L29/8124 , H01L29/8126 , H01L29/868
摘要： 一种结型场效应晶体管(JFET)，其具有栅极区域，所述栅极区域包括具有不同导电类型的材料的两个分离的子区域，和/或肖特基结，其基本抑制在栅极结被正向偏置时的栅极电流；以及并入这种JFET装置的互补电路。根据本发明的一个方面，提供了一种结型场效应晶体管(JFET)，其包括沟道区和栅极区域。所述栅极区域包括第一栅极子区域以及第二栅极子区域。所述第一栅极子区域与所述沟道区形成结。所述第二栅极子区域与所述第一栅极子区域形成结。所述沟道区以及所述第二栅极子区域包括第一导电类型的材料。所述第一栅极子区域包括第二导电类型的材料，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。
-
公开(公告)号：CN102969225B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210320887.3
申请日：2012-08-31
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： 格哈德·施密特
CPC分类号： G01K7/18 , H01L28/22 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/1604 , H01L29/408 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件、温度传感器和制造半导体器件的方法。根据一个实施方式，半导体器件包括半导体基底和半导体基底上的非晶半绝缘层。
-
公开(公告)号：CN104919595B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201480004623.4
申请日：2014-06-24
申请人： 理想能量有限公司
发明人： 理查德·A.·布兰查德 , 威廉·C.·亚历山大
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/73 , H01L27/102
CPC分类号： H02M3/158 , H01L27/0755 , H01L27/0823 , H01L27/0828 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/7375 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M7/797 , H02M11/00 , H03K3/012 , H03K17/60 , H03K17/66 , H03K17/687
摘要： 使用双向双极晶体管(BTRAN)进行开关的用于功率分组开关功率转换器的方法、系统、电路和器件。四个端子的三层BTRAN在任一方向上都以小于二极管压降的正向电压提供基本相同的操作。BTRAN是完全对称融合的双基极双向双极相反面对的器件，所述器件在高非平衡载流子浓度条件下操作并且在用作用于功率分组开关功率转换器的双向开关时能够具有令人惊奇的协同效应。BTRAN被驱动到高载流子浓度状态，从而使得导通状态电压降非常低。
-
公开(公告)号：CN106206285B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610327451.5
申请日：2016-05-17
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/203 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23C14/22 , C23C14/35
CPC分类号： H01L21/02115 , H01L21/02046 , H01L21/02164 , H01L21/02301 , H01L21/02315 , H01L21/28194 , H01L21/3065 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/1602 , H01L29/1604 , H01L29/51 , H01L29/66181 , H01L29/7395
摘要： 根据各种实施例，一种用于处理半导体层的方法可以包括：在远程等离子体源的等离子体室中生成蚀刻等离子体，其中，远程等离子体源的等离子体室耦合到处理室以用于处理半导体层；将蚀刻等离子体引入处理室以移除来自半导体层的表面的自然氧化层和至多是可忽略的数量的半导体层的半导体材料；并且随后，将介电层直接沉积在半导体层的表面上。
-
公开(公告)号：CN105870167A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610083064.1
申请日：2016-02-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/088
CPC分类号： H01L29/41791 , H01L21/76805 , H01L21/76846 , H01L21/823418 , H01L21/823425 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823814 , H01L21/823871 , H01L23/485 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1604 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L2029/7858 , H01L27/0886 , H01L29/1033 , H01L29/42356
摘要： 本公开提供集成电路器件。一种集成电路器件包括：源极/漏极区域，其具有在其顶部中的凹陷；接触插塞，其在源极/漏极区域上从凹陷内部延伸；以及金属硅化物层，其用作凹陷的衬里，并具有覆盖接触插塞的底面的第一部分和与第一部分成一体并覆盖接触插塞的侧面的下部的第二部分。硅化物层的第二部分可以具有与硅化物层的第一部分的厚度不同的厚度。硅化物层在相对低的温度形成，以在源极/漏极区域与接触插塞之间提供改善的电阻特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
28 条记录 (耗时 0.015 秒)
