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公开(公告)号：CN107680905B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201710652352.9
申请日：2017-08-02
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/22 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/739
摘要： 晶格空位在半导体层(700)的与工艺表面(701)直接邻接的预处理区(710)中生成。掺杂剂至少注入到所述预处理区(710)中。通过用激光束(850)照射所述工艺表面(701)，来加热所述半导体层(700)的熔化区(712)，激活至少在所述熔化区(712)中的注入的掺杂剂。
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公开(公告)号：CN110896063A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201911274738.6
申请日：2017-03-14
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/532
摘要： 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
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公开(公告)号：CN106876270A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611123257.1
申请日：2016-12-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/331
摘要： 用于形成半导体器件的方法包括形成非晶或多晶半导体层，该非晶或多晶半导体层与位于半导体衬底中的具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域相邻。该方法还包括在形成非晶或多晶半导体层期间或之后将掺杂物结合到该非晶或多晶半导体层中。该方法还包括退火非晶或多晶半导体层，以将非晶或多晶半导体层的至少一部分转换为基本单晶半导体层并且在该单晶半导体层中形成具有第二导电类型的至少一个掺杂区域，使得pn结形成在具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域与具有第二导电类型的至少一个掺杂区域之间。
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公开(公告)号：CN107195616A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710149143.2
申请日：2017-03-14
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
摘要： 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
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公开(公告)号：CN112542436A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010986411.8
申请日：2020-09-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/48 , C22C21/10 , C22C21/16 , C22C21/06 , C22C21/00 , C22C21/02 , C22C21/08 , C22C21/12 , C23C14/14
摘要： 半导体衬底(100)具有接合焊盘(110)。所述接合焊盘(110)包括铝合金层，所述铝合金所具有的化学成分包括选自Zn、Mg、Cu、Si和Sc的主要合金元素。如果主要合金元素是Cu，则所述化学成分还包括选自Ti、Mg、Ag和Zr的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN106876270B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201611123257.1
申请日：2016-12-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/331
摘要： 用于形成半导体器件的方法包括形成非晶或多晶半导体层，该非晶或多晶半导体层与位于半导体衬底中的具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域相邻。该方法还包括在形成非晶或多晶半导体层期间或之后将掺杂物结合到该非晶或多晶半导体层中。该方法还包括退火非晶或多晶半导体层，以将非晶或多晶半导体层的至少一部分转换为基本单晶半导体层并且在该单晶半导体层中形成具有第二导电类型的至少一个掺杂区域，使得pn结形成在具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域与具有第二导电类型的至少一个掺杂区域之间。
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公开(公告)号：CN104637940B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410640890.2
申请日：2014-11-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/868
摘要： 一种半导体器件包括在半导体器件的半导体衬底和被布置为邻近半导体衬底的导电结构之间的至少一个欧姆接触区。此外，该半导体器件包括在导电结构和半导体器件的半导体衬底之间的至少一个肖特基接触区。至少一个欧姆接触区被布置为邻近至少一个肖特基接触区地。半导体衬底包括被布置为邻近导电结构的第一掺杂层。在至少一个欧姆接触区的一个区域中的第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度不同于在至少一个肖特基接触区的一个区域中的第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度，相差小于10％。
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公开(公告)号：CN104637940A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410640890.2
申请日：2014-11-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/868
摘要： 一种半导体器件包括在半导体器件的半导体衬底和被布置为邻近半导体衬底的导电结构之间的至少一个欧姆接触区。此外，该半导体器件包括在导电结构和半导体器件的半导体衬底之间的至少一个肖特基接触区。至少一个欧姆接触区被布置为邻近至少一个肖特基接触区地。半导体衬底包括被布置为邻近导电结构的第一掺杂层。在至少一个欧姆接触区的一个区域中的第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度不同于在至少一个肖特基接触区的一个区域中的第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度，相差小于10％。
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公开(公告)号：CN110896063B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201911274738.6
申请日：2017-03-14
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/532
摘要： 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
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公开(公告)号：CN113013240A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011509191.6
申请日：2020-12-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/06
摘要： 一种功率半导体器件，包括：半导体本体，具有前侧和背侧；第一负载端子结构和第二负载端子结构；半导体本体的有源区域；半导体本体的漂移区，具有第一导电类型并且被配置用于传导负载电流；半导体本体的背侧区，包括第一背侧发射极区带和第二背侧发射极区带。第一和第二背侧发射极区带中的至少之一包括：多个第一区段；和/或多个第二区段。第二背侧发射极区带与第一背侧发射极区带的不同之处至少在于以下之一：第一区段的存在；第二区段的存在；第一区段的最小横向延伸；第二区段的最小横向延伸；邻近的第一区段之间的横向距离；邻近的第二区段之间的横向距离；第一区的最小横向延伸；在同一第一区段内的邻近的第一区之间的横向距离。
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