-
公开(公告)号：CN112068149A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010521767.4
申请日：2020-06-10
Applicant: 苹果公司
Abstract: 本公开涉及用于感测飞行时间的脉冲重复间隔的选择。感测装置包括辐射源，该辐射源朝向目标场景中的多个点发射光学辐射的脉冲。接收器接收从该目标场景反射的光学辐射，并且输出指示脉冲往返该目标场景中的该点的相应飞行时间的信号。处理和控制电路从脉冲重复间隔(PRI)的允许范围中选择第一PRI和比该第一PRI大的第二PRI，驱动辐射源以第一PRI发射该脉冲的第一序列和以第二PRI发射该脉冲的第二序列，以及处理响应于该脉冲的该第一序列和该第二序列两者而输出的信号，以便计算该目标场景中该点的相应深度坐标。
-
公开(公告)号：CN114256276A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111097688.6
申请日：2021-09-18
Applicant: 苹果公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及具有堆叠单光子雪崩二极管(SPAD)像素阵列的晶体管集成。本文公开了使用具有单光子雪崩二极管(SPAD)的像素阵列的光电检测器。该像素阵列可具有包括用于每个SPAD的一个或多个控制晶体管的配置，该一个或多个控制晶体管与像素并置在同一芯片或晶圆上，并且位于晶圆的与像素阵列的聚光表面相对的表面上。该控制晶体管可被定位或配置用于与键合到像素阵列的晶圆的逻辑芯片互连。该像素可形成于具有掺杂梯度的衬底中。该控制晶体管可被定位在SPAD上或SPAD内，或者与SPAD相邻但与SPAD隔离。各个SPAD与相应控制晶体管之间的隔离可利用浅沟槽隔离区或深沟槽隔离区。
-
公开(公告)号：CN111682039B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010293004.9
申请日：2017-09-22
Applicant: 苹果公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及堆叠式背面照明SPAD阵列。更具体而言，公开了背照式单光子雪崩二极管SPAD图像传感器，其包括垂直堆叠在电路晶圆上方的传感器晶圆。传感器晶圆包括一个或多个SPAD区域，其中每个SPAD区域(400)包括阳极梯度层(402)、定位成与SPAD区域的前表面相邻的阴极区域(404)、以及定位在阴极区域之上的阳极雪崩层(408)。每个SPAD区域通过晶圆间连接器连接到电路晶圆中的电压源和输出电路。深沟槽隔离元件424用于在SPAD区域之间提供电隔离和光隔离。
-
公开(公告)号：CN112068149B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202010521767.4
申请日：2020-06-10
Applicant: 苹果公司
Abstract: 本公开涉及用于感测飞行时间的脉冲重复间隔的选择。感测装置包括辐射源，该辐射源朝向目标场景中的多个点发射光学辐射的脉冲。接收器接收从该目标场景反射的光学辐射，并且输出指示脉冲往返该目标场景中的该点的相应飞行时间的信号。处理和控制电路从脉冲重复间隔(PRI)的允许范围中选择第一PRI和比该第一PRI大的第二PRI，驱动辐射源以第一PRI发射该脉冲的第一序列和以第二PRI发射该脉冲的第二序列，以及处理响应于该脉冲的该第一序列和该第二序列两者而输出的信号，以便计算该目标场景中该点的相应深度坐标。
-
公开(公告)号：CN115480231A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210595722.0
申请日：2022-05-30
Applicant: 苹果公司
Abstract: 本公开涉及单芯片光学收发器。公开了一种光电装置，该光电装置包括第一半导体管芯，该第一半导体管芯具有第一前表面和第一后表面，并且包括至少一个雪崩光电检测器，该至少一个雪崩光电检测器被配置为响应于入射在该第一前表面上的光子而输出电脉冲。第二半导体管芯具有第二前表面和第二后表面，该第二前表面键合到该第一后表面，并且该第二半导体管芯包括耦合到该至少一个雪崩光电检测器的光电检测器接收器模拟电路和被配置为驱动脉冲式光学发射器的发射器驱动电路。第三半导体管芯具有第三前表面和第三后表面，该第三前表面键合到该第二后表面，并且该第三半导体管芯包括逻辑电路，该逻辑电路耦合以控制该光电检测器接收器模拟电路和该发射器驱动电路，并且接收和处理由该至少一个雪崩光电检测器输出的电脉冲。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109791195B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201780057761.2
申请日：2017-07-05
Applicant: 苹果公司
Inventor： 万代新悟 , C·L·尼克拉斯 , R·E·比尔斯 , M·拉芬费尔德 , M·A·雷兹克 , A·施庞特 , R·索科洛夫斯基 , T·凯特茨 , R·阿克曼 , J·D·马奇 , A·J·萨顿
Abstract: 一种电光设备(20)包括激光器(28)，该激光器被配置为朝向场景(38)发射光学辐射的脉冲(36)。检测器(79)阵列(34)被配置为接收从所述场景中的点反射的所述光学辐射并输出指示所接收的辐射的相应到达时间的信号。控制器(26)被耦接以驱动所述激光器朝所述场景中的多个点中的每个点发射所述光学辐射的脉冲序列，并且响应于所述输出信号来找到所述点的相应飞行时间，同时通过统计响应于每个脉冲输出所述信号的检测器的数量来控制所述激光器发射的所述脉冲的功率，并在所述数量大于预定义的阈值时减小所述序列中后续脉冲的功率。
-
公开(公告)号：CN109716525B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201780053272.X
申请日：2017-09-22
Applicant: 苹果公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了背照式单光子雪崩二极管SPAD图像传感器，其包括垂直堆叠在电路晶圆上方的传感器晶圆。传感器晶圆包括一个或多个SPAD区域，其中每个SPAD区域(400)包括阳极梯度层(402)、定位成与SPAD区域的前表面相邻的阴极区域(404)、以及定位在阴极区域之上的阳极雪崩层(408)。每个SPAD区域通过晶圆间连接器连接到电路晶圆中的电压源和输出电路。深沟槽隔离元件424用于在SPAD区域之间提供电隔离和光隔离。
-
公开(公告)号：CN110235024B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201880008411.1
申请日：2018-01-24
Applicant: 苹果公司
IPC: G01S17/08 , G01S17/89 , G01S17/894 , G01S7/486 , G01S7/4865
Abstract: 随时间调制SPAD检测器中一个或多个单光子雪崩二极管(SPAD)的灵敏度。可调制所有SPAD的灵敏度，或者可以不同于针对SPAD的一个区段的方式调制SPAD的另一个区段的灵敏度。本文公开了用于调制灵敏度的各种技术。
-
公开(公告)号：CN111682039A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010293004.9
申请日：2017-09-22
Applicant: 苹果公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及堆叠式背面照明SPAD阵列。更具体而言，公开了背照式单光子雪崩二极管SPAD图像传感器，其包括垂直堆叠在电路晶圆上方的传感器晶圆。传感器晶圆包括一个或多个SPAD区域，其中每个SPAD区域(400)包括阳极梯度层(402)、定位成与SPAD区域的前表面相邻的阴极区域(404)、以及定位在阴极区域之上的阳极雪崩层(408)。每个SPAD区域通过晶圆间连接器连接到电路晶圆中的电压源和输出电路。深沟槽隔离元件424用于在SPAD区域之间提供电隔离和光隔离。
-
公开(公告)号：CN110235024A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880008411.1
申请日：2018-01-24
Applicant: 苹果公司
Abstract: 随时间调制SPAD检测器中一个或多个单光子雪崩二极管(SPAD)的灵敏度。可调制所有SPAD的灵敏度，或者可以不同于针对SPAD的一个区段的方式调制SPAD的另一个区段的灵敏度。本文公开了用于调制灵敏度的各种技术。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.03 seconds)
