具有声波聚焦功能的硅麦克风封装结构及麦克风

    公开(公告)号:CN117082392A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311238995.0

    申请日:2023-09-22

    IPC分类号: H04R1/08

    摘要: 本发明公开了具有声波聚焦功能的硅麦克风封装结构及麦克风,该封装结构包括超表面声学透镜结构以及封装结构本体,封装结构包含有振动膜片,超表面声学透镜结构设置于振动膜片与声源之间的声传播路径上,超表面声学透镜结构能够对经过其的声波聚焦;当封装结构本体上设有透声孔时,透声孔位于振动膜片与声源之间的声传播路径上,且超表面声学透镜结构位于透声孔与声源之间的声传播路径上,超表面声学透镜结构的焦点位于透声孔的中心;当封装结构本体上未设有透声孔时,超表面声学透镜结构的焦点位于振动膜片的中心。本发明通过对硅麦克风封装结构进行优化,在不增大破透声孔尺寸的情况下,能够提高硅麦克风的灵敏度。

    一种基于声学超表面的声波调控麦克风防尘装置及麦克风

    公开(公告)号:CN116939413A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202311007043.8

    申请日:2023-08-10

    IPC分类号: H04R1/08

    摘要: 本发明公开了一种基于声学超表面的声波调控麦克风防尘装置及麦克风,防尘装置包括均为超表面的阻抗匹配区和声波调控区,阻抗匹配区的整体形状为一圆盘形,声波调控区的整体形状为一平凹透镜形,声波调控区的平面一侧与阻抗匹配区连接,阻抗匹配区上与声波调控区连接的一侧设有声波出口,阻抗匹配区上与声波调控区相对的一侧设有声波入口;阻抗匹配区和声波调控区同心设置,阻抗匹配区的厚度≤1/4声波波长,声波调控区的厚度≥阻抗匹配区的厚度;阻抗匹配区和声波调控区的整体厚度≤半个声波波长;声波调控区能够将经过阻抗匹配区的声波聚焦。本发明在提高了吸声系数的同时能够实现声波的调控,具有鲁棒性好、防尘透声的特点。

    拱形发电装置及无线传感装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116742991A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310666656.6

    申请日:2023-06-06

    IPC分类号: H02N2/18 H02N1/04 H02J7/32

    摘要: 本申请公开了一种拱形发电装置及无线传感装置,属于发电技术领域。包括:固定台、第一拱形发电单元以及第二拱形发电单元;第一拱形发电单元包括第一拱形弹性件以及第一压电发电件,第二拱形发电单元包括第二拱形弹性件以及第二压电发电件,固定台具有安装面,第一拱形弹性件安装于以及第二拱形弹性件均安装于安装面,且第一拱形弹性件沿背离安装面的弯曲,第二拱形弹性件沿背离安装面的方向弯曲,第一拱形弹性件的第一端与第二拱形弹性件的第一端抵接,第一拱形弹性件的第一端与第二拱形弹性件的第一端均相对于安装面可活动,第一压电发电件安装于第一拱形弹性件朝向安装面的表面,第二压电发电件安装于第二拱形弹性件朝向安装面的表面。

    基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107381497A

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201710527246.8

    申请日:2017-06-30

    IPC分类号: B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 一种基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法,结构包括由四根直梁支撑的中间质量块,中间质量块前端设置探针,中间质量块前后布置有平衡、工作栅极阵列,平衡、工作栅极阵列相对中间质量块的中心偏移,中间质量块、直梁、探针与SiO2绝缘层不接触,p型Si基底部分区域形成源、漏极,源、漏极之间的区域形成导电沟道,部分区域形成P+电极;制备方法先在P型Si基底制备好源极、漏极、导电沟道、P+电极并热氧生成SiO2绝缘层并进行刻蚀图形化,然后与另一块多晶硅键合,对多晶硅部分区域进行硼离子重掺杂形成工作栅极阵列,前部刻蚀出探针的图形,再刻蚀完成中间质量块,直梁的全部图形化,本发明微力传感器能够用于nN量级微力的测量。

    框架式碰撞发电装置及无线传感装置

    公开(公告)号:CN116131659A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310000160.5

    申请日:2023-01-02

    IPC分类号: H02N2/18 H02J7/32 H02J7/34

    摘要: 本申请实施例提供了一种框架式碰撞发电装置及无线传感装置。该框架式碰撞发电装置包括:外壳、内壳、振动片、压电发电件以及质量块;外壳具有第一容纳腔,振动片的一端固定在第一容纳腔的腔壁上,内壳固定在振动片上;内壳具有第二容纳腔,压电发电件的一端固定在第二容纳腔的腔壁上,质量块连接在压电发电件的另一端,电源管理模块位于第一容纳腔或第二容纳腔中,电源管理模块与压电发电件电连接,电源管理模块用于与待供电件电连接;在外壳晃动的情况下,振动片带动内壳振动,以使压电发电件晃动,且压电发电件弯曲以产生电能,电能传递至电源管理模块。

    基于电容检测原理的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN114279613B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202111592764.0

    申请日:2021-12-23

    IPC分类号: G01L5/165 B81B7/02

    摘要: 一种基于电容检测原理的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法,芯片由载荷传递层、绝缘层、梳齿电容层和玻璃层由上向下组合而成,层间通过硅‑玻阳极键合和硅‑硅键合连接为一个整体;载荷传递层包括载荷传递层固定区和通过T型梁连接的载荷传递层中心刚体;绝缘层包括绝缘层固定区和其内部的可移动区;梳齿电容层包括梳齿动极板电极、梳齿电容、梳齿电容层中心刚体、梳齿定极板电极、Z型导电支撑梁和隔离沟道;玻璃层包括玻璃腔体、以及制备在玻璃腔体上的平板电容极板、内部电极焊盘、金属引线和外部焊盘;本发明芯片在工作时,能够检测六个方向上的力和力矩,具有量程大、灵敏度高、交叉轴灵敏度小和体积小等特点。

    一种压阻式双轴加速度传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN112964905A

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202110150381.1

    申请日:2021-02-03

    IPC分类号: G01P15/12 B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种压阻式双轴加速度传感器芯片及其制备方法,传感器芯片包括键合的传感芯片和玻璃衬底,传感芯片包括芯片外框架、固定半岛、质量块、支撑梁、压阻微梁和铰链梁;芯片外框架的内壁分别设置有一个固定半岛,芯片外框架内部设置有八个质量块,相邻的质量块之间设有运动间隙,连接至同一个固定半岛上的两个质量块之间通过铰链梁连接为一个整体;质量块与固定半岛之间连接有压阻微梁;每个压阻微梁上均制作有压敏电阻,八个压敏电阻通过金属引线与焊盘相连构成两个惠斯通全桥。本发明将支撑元件与敏感元件分离,降低了面内双轴加速度检测中的交叉灵敏度干扰,能够满足对加速度的高灵敏度和高谐振频率测量要求。