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公开(公告)号：CN119789511A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411658383.1
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种平面栅GaN垂直互补场效应晶体管反相器，器件结构自下而上包括衬底、第一晶体管、石墨烯层和第二晶体管，第一源电极和第一漏电极沿水平方向布置在n管GaN沟道层的两端，第二源电极和第二漏电极沿水平方向布置在p管GaN沟道层的两端，在第一晶体管与第二晶体管之间的石墨烯层上布置可同时控制第一晶体管与第二晶体管的栅电极。在此结构基础上，将n型和p型晶体管的漏极用空气桥结构相连接并作为输出端，栅极作为输入端，p型晶体管的源极接高电平，n型晶体管的源极接低电平，实现反相器，其栅控能力强，漏电小，具有高效、低功耗的电子传输特性，在保持高性能的同时，具有更小的占地面积，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN119789509A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411650425.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10D84/82 , H10D84/05 , H10D62/824
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法，所述结构自下而上包括背金属、衬底、氮化镓器件外延层、键合介质层、砷化镓器件外延层、氮化镓器件电极源极、氮化镓器件电极栅极、氮化镓器件电极漏极、砷化镓器件电极源极、砷化镓器件电极栅极、砷化镓器件电极漏极、氮化镓背通孔、砷化镓背通孔、正面通孔、氮化镓外表面电极源极、氮化镓外表面电极漏极，砷化镓器件外延层上表面的电极根据需要进行互联，形成一定功能的集成电路。本发明可以使氮化镓和砷化镓射频器件的电极具有极小的空间间距，减少了高频下长距离传输信号的损耗和寄生参数的影响，并且减小了芯片面积与芯片体积，减少了封装成本。
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公开(公告)号：CN119789463A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411623428.1
申请日：2024-11-13
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种多沟槽金刚石场效应晶体管结构及其制备方法，包括金刚石衬底，终端表面位于金刚石衬底表面，由若干个沟槽的侧面、底面和鳍型台面顶面连接形成，P+金刚石层分别位于金刚石终端表面的两端，源电极位于终端表面的一侧的P+金刚石层之上，漏电极位于终端表面的源电极相对的另一端的的P+金刚石层之上，栅介质覆盖在源电极和漏电极中间的终端表面上，栅电极位于栅介质上，且位于源电极和漏电极的之间，在同一水平侧向尺寸下增大了表面二维空穴气的密度，提高了金刚石晶体管的电流密度，降低了金刚石晶体管的导通电阻，也提高了栅电极对二维空穴气沟道的栅控能力，减少了金刚石晶体管的关态电流和功耗。
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公开(公告)号：CN119519612A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411577109.1
申请日：2024-11-06
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于开关结构的宽带大回退射频Doherty功率放大器，包括功率分配单元、频段选择单元、信号相移单元、信号放大单元、信号合成单元：所述频段选择单元包含射频开关，所述信号放大单元包括主功率放大器、若干辅助功率放大器，所述信号合成单元包括阻抗逆置器、阻抗变换器。本发明通过在辅助功率放大器支路加入射频开关结构，使辅助功率放大器能够在两个相邻窄频段内完成对主功率放大器的有源负载调制，并且应用辅助功率放大器支路与主功率放大器非对称架构，从而拓宽了Doherty功率放大器整体的带宽，同时提高了回退量。
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公开(公告)号：CN119049962A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411160340.0
申请日：2024-08-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种透明氮化镓HEMT中欧姆接触电极的制备方法，其方法包括：在透明氮化镓晶圆材料上光刻源漏欧姆接触区域，对源漏区域进行欧姆凹槽刻蚀，淀积常规不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明的欧姆金属与沟道层氮化镓材料反应，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；酸洗去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明导电材料，与存在大量氮空位形成N型重掺杂的沟道层氮化镓材料和2DEG形成欧姆接触电极；本方法先沉积不透明欧姆金属，再沉积透明导电材料，透明材料通过N型重掺杂区域与2DEG沟道接触，解决了透明材料直接沉积在晶圆上难以形成良好欧姆接触的问题，降低了欧姆接触阻值，提高了透明氮化镓HEMT的输出电流，且工艺简单、易于实现、效果突出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118738116A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411108868.3
申请日：2024-08-13
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种数字刻蚀凹槽栅增强型GaN HEMT器件及其制备方法，该器件自下而上包括依次叠加设置的衬底层、III‑N复合缓冲层、GaN沟道层、III‑N势垒层；III‑N势垒层上设有源电极、漏电极以及自其表面向内部延伸的凹槽，凹槽内覆盖有栅电极；GaN沟道层和III‑N势垒层形成异质结，GaN沟道层和III‑N势垒层形成的异质结界面且靠近GaN沟道层的一侧形成二维电子气沟道；源电极和漏电极均与二维电子气沟道形成欧姆接触，栅电极与二维电子气沟道形成肖特基接触；本发明通过采用槽栅结构，增大栅极与沟道的接触面积，增强栅极对二维电子气沟通的控制能力；通过采用数字刻蚀工艺成功制得表面平整度好的凹槽结构，实现对刻蚀深度的有效调控，避免刻蚀损伤，最终提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN115188841B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210716571.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT结构太赫兹探测器及制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层、栅电极、源电极、漏电极、钝化层和微透镜，其中，衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠；栅电极、源电极、漏电极均位于势垒层上，且栅电极位于源电极和漏电极之间；钝化层位于势垒层、栅电极、源电极和漏电极上；微透镜位于钝化层上，且微透镜的表面呈凸起状以聚焦入射太赫兹波。该太赫兹探测器中设置表面呈凸起状的微透镜以聚焦入射太赫兹波，可以减小GaN HEMT结构太赫兹探测器对太赫兹波的接受面积，提高接受太赫兹波的效率，提高太赫兹探测器的响应度等各项指标，整体上提高该太赫兹探测器的探测信号的性能。
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公开(公告)号：CN118263223A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410208588.3
申请日：2024-02-26
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种功率放大器和低噪声放大器三维集成电路及制备方法，集成电路包括：Ⅲ族氮化物体系、Ⅲ族砷化物体系、第一通孔、第一电极结构、第二通孔、第二电极结构、键合层和若干金属凸块，其中，第一电极结构位于Ⅲ族氮化物体系的一端，通过第一通孔连接控制电路；第二电极结构位于Ⅲ族砷化物体系的一端，通过第二通孔连接控制电路；键合层设置在Ⅲ族氮化物体系和Ⅲ族砷化物体系之间。本发明通过将Ⅲ族氮化物体系和Ⅲ族砷化物体系通过键合层键合在一起，同时实现功率放大器和低噪声放大器，减小了芯片的面积和封装模块之间的连线，从而减小了连线带来的寄生电感，进而减小了射频功率的损耗和延迟，提高了电路的高频性能。
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公开(公告)号：CN115274844A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210716336.2
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种高效转化的太赫兹探测器及制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层、栅电极、源电极和漏电极，其中，衬底层的背面呈凸起状以对从背面入射的太赫兹波进行聚焦；复合缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠于衬底层的上表面；栅电极、源电极、漏电极均位于势垒层上，且栅电极位于源电极和漏电极之间。本发明实施例在太赫兹探测器里面将衬底层设置为凸起状用来聚焦太赫兹波，从而提高探测器接受背面入射太赫兹波的效率，提高了太赫兹探测器各项指标，整体上提高了该太赫兹探测器的探测信号的性能。
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公开(公告)号：CN115241292A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210768280.5
申请日：2022-07-01
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种垂直氮化镓基鳍式射频晶体管及制备方法，射频晶体管包括：衬底层；漏极接触层，所述漏极接触层设置于所述衬底层之上；沟道层，所述沟道层设置于部分所述漏极接触层之上；源极接触层，所述源极接触层设置于所述第二沟道子层之上；两个漏电极，两个所述漏电极均设置于所述漏极接触层的两端，且所述沟道层位于两个所述漏电极之间；两个栅电极，两个所述栅电极均设置于所述第一沟道子层之上，所述第二沟道子层位于两个所述栅电极之间，且所述栅电极的侧边与所述第二沟道子层的侧边相接处；源电极，源电极设置于源极接触层之上。本发明提出一种采用垂直鳍片结构的射频晶体管，栅长由栅电极金属材料的厚度决定，更容易实现超短栅长。
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