公开(公告)号：CN117220632A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311022079.3

申请日：2023-08-14

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  陈淑莹 ,  樊雨佳 ,  许淑宁 ,  周瑾 ,  邢伟川 ,  杜航海 ,  张苇杭 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/25 ,  H03H3/08

摘要： 本发明提供了一种具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件，涉及表面波器件技术领域。器件从下至上依次包括：衬底、压电薄膜、压电覆盖层；在压电薄膜内，从上表面自下设置有若干均匀分布的凹槽，且凹槽下表面与压电薄膜下表面不接触，在凹槽内嵌有叉指电极，叉指电极和凹槽高度相同；其中，叉指电极通过压电薄膜以及压电覆盖层的压电效应，完成信号的转换并以声表面波形式传播。该声表面波器件，能减小布拉格反射和声学散射，从而产生更剧烈的位移，SAW能被更有效的激发，能够有效提高叉指换能器的能量转换效率，增强机电耦合系数；同时更容易降低由于叉指电极表面和压电薄膜上表面暴露在空气中对器件特性产生的影响，降低损耗。

公开(公告)号：CN115910781A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211434356.7

申请日：2022-11-16

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  危虎 ,  邢伟川 ,  侯松岩 ,  张苇杭 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L29/20

摘要： 本发明公开了大尺寸晶圆透明GaN HEMT器件的制备方法，具体为：在大尺寸硅基氮化镓HEMT晶圆上进行系列器件制备工艺，包括欧姆电极制备、台面隔离和肖特基栅极制备等；在正面工艺结束后将晶圆翻转临时键合到载片上；将硅基氮化镓HEMT晶圆的硅衬底去除；然后将透明衬底与氮化镓异质晶圆紧密地结合起来；最后解晶圆正面的临时键合。本发明的方法，借助硅基氮化镓HEMT晶圆，可以实现6英寸、8英寸或者更大尺寸晶圆制备；在硅衬底上完成外延生长和器件制备后将其转移到透明衬底上，保证了整体透明性，避免了直接在透明衬底晶圆上加工GaN HEMT器件。

公开(公告)号：CN115117209A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210769781.5

申请日：2022-07-01

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  许淑宁 ,  樊雨佳 ,  徐美 ,  危虎 ,  周瑾 ,  邢伟川 ,  张苇杭 ,  冯欣 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08

摘要： 本发明公开了一种氮化镓异质结双极型光子晶体管及其制备方法，包括：衬底；以及依次设置于衬底上的成核层、缓冲层；集电区，设置于缓冲层上；集电极，设置于集电区上的一端；下多量子阱层，设置于集电区上的另一端；集电极与下多量子阱层之间存在间隔；基区，设置于下多量子阱层上；基极，设置于基区上的一端；其中，基极和集电极设置于同一侧；上多量子阱层，设置于基区上的另一端；基极与上多量子阱层之间存在间隔；发射区，设置于上多量子阱层上；发射极，设置于发射区上的一端；发射极与集电极设置于不同侧；其中，集电区、下多量子阱层、基区、上多量子阱层和发射区的材料均为三族氮化物。本发明同时具有晶体管和LED的功能。

公开(公告)号：CN114899232A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210419893.8

申请日：2022-04-21

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  何佳琦 ,  邢伟川 ,  冯欣 ,  杨伟涛 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种基于氮化镓的透明晶体管及其制备方法，该结构自下而上依次包括衬底层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的电极；其中衬底层采用透明材料，沟道层材料为氮化镓，势垒层材料为镓铝氮或铟镓氮，电极采用透明导电材料。本发明提供了一种氮化镓基晶体管，通过选取可见光区间透明的材料制备晶体管，改善了结构的整体透光率，并提出了可行的制备方法，可将其应用于透明电子学领域。

公开(公告)号：CN114899227A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210492930.8

申请日：2022-05-07

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 徐美 ,  刘志宏 ,  樊雨佳 ,  许淑宁 ,  邢伟川 ,  周瑾 ,  杨伟涛 ,  冯欣 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66

摘要： 一种增强型氮化镓基晶体管，自下而上包括衬底、复合缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层上设置有P型氮化物帽层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极，P型氮化物帽层在侧面和顶面均被栅电极包围，钝化层布设于栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间；栅电极与势垒层形成肖特基接触，源电极和漏电极均与势垒层形成欧姆接触；沟道层与势垒层之间形成异质结，且极化效应在异质结界面的沟道层一侧形成二维电子气沟道。该P型氮化物帽层耗尽了沟道中的部分二维电子气，提高了器件的阈值电压，实现增强型器件的目的，P型氮化物帽层周围的栅电极解决了常规P型氮化物增强型器件栅控能力弱、导通电阻大等问题，且减小了栅长，提高了频率特性。

公开(公告)号：CN118156307A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410152688.9

申请日：2024-02-03

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  王兆峰 ,  许淑宁 ,  樊雨佳 ,  徐美 ,  邢伟川 ,  张苇杭 ,  赵胜雷 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种基于隧穿结的P沟道晶体管结构及其制备方法，结构包括衬底、成核层、缓冲层、N型沟道层、势垒层、P型沟道层、P型掺杂层、N型掺杂层、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极；衬底、成核层、缓冲层、N型沟道层、势垒层、P型沟道层、P型掺杂层、N型掺杂层依次层叠，且P型掺杂层和N型掺杂层中开设有栅凹槽；源电极位于N型掺杂层表面且位于栅凹槽的一侧；漏电极位于N型掺杂层表面且位于栅凹槽的另一侧；栅介质层位于栅凹槽的表面和N型掺杂层的表面；栅电极位于栅凹槽中的栅介质层上且位于N型掺杂层上的部分栅介质层上。该结构通过在P型掺杂层上设置N型掺杂层，提高了P型氮化镓沟道晶体管的电流和跨导。

公开(公告)号：CN117153867A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311022048.8

申请日：2023-08-14

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  许淑宁 ,  樊雨佳 ,  徐美 ,  周瑾 ,  邢伟川 ,  张苇杭 ,  侯松岩 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/205 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种垂直FinFET结构的晶体管及其制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、漏极接触层；设置于漏极接触层之上的漂移层；设置于鳍部之上的沟道层；设置于沟道层之上的源极接触层；设置于漂移基底层之上的第一势垒层和第二势垒层；设置于漂移基底层之上的两个栅电极；设置于第一势垒层、源极接触层和第二势垒层之上的源电极；设置于漏极接触层上表面的两端的两个漏电极。本发明可以利用异质结结构的自发极化和压电极化特性在界面附近形成高迁移率的二维电子气导电沟道，由此可以显著提高载流子迁移率和导电性。

公开(公告)号：CN115312378A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211024320.1

申请日：2022-08-24

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  何佳琦 ,  邢伟川 ,  侯松岩 ,  张苇杭 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，该方法包括：在氮化镓HEMT晶圆上淀积不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明欧姆金属与氮化镓HEMT晶圆表面的三族氮化物材料反应，三族氮化物材料中的氮缺失，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；用酸洗的方法去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明欧姆接触材料，与具有大量氮空位、形成N型重掺杂的三族氮化物形成良好的欧姆接触。常规氮化镓HEMT制备方法中通过高温退火使金属电极与异质结形成欧姆接触，但是金属电极不透明；而采用透明材料作为电极时，通过高温退火无法与氮化镓HEMT结构形成良好的欧姆接触。本发明可解决该问题，且工艺简单、易于实现，性能良好，效果突出。

公开(公告)号：CN115020490A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210721823.8

申请日：2022-06-24

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  何佳琦 ,  赵雪利 ,  许淑宁 ,  危虎 ,  邢伟川 ,  游淑珍 ,  杨伟涛 ,  周瑾 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种具有非极性沟道的增强型GaN基HEMT器件结构及其制备方法，该结构自下而上依次包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的源电极、栅电极和漏电极；其中，沟道层和势垒层具有一台阶，台阶上表面为三族氮化物半导体的极型面，台阶侧面为三族氮化物半导体的非极型面。源电极和漏电极设在台阶上表面，栅电极覆盖台阶侧面。在台阶侧面附近、沟道层和势垒层的界面处，由于三族氮化物半导体非极型面的极化系数很弱，栅电极不加偏压的时候无二维电子气产生，从而得到增强型GaN基HEMT器件。

公开(公告)号：CN114975624A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210767532.2

申请日：2022-07-01

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  樊雨佳 ,  徐美 ,  许淑宁 ,  邢伟川 ,  周瑾 ,  危虎 ,  杨伟涛 ,  冯欣 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种高线性度GaN基HEMT器件结构及其制备方法，该结构从下往上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，势垒层上方设有漏电极、栅电极，漏电极与栅电极之间的势垒层上方为第一钝化层；势垒层和沟道层的一端部设置有凹槽，凹槽中设置有源电极，源电极与栅电极之间的势垒层上方为第二钝化层，漏电极与二维电子气形成欧姆接触；源电极与二维电子气形成肖特基接触，使源电阻RS随沟道电流的增大而减小，从而提高了GaN基HEMT的跨导平坦度和线性度。