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公开(公告)号：CN118366940A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410075542.9
申请日：2024-01-18
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/367
摘要： 本发明公开一种功率模块封装结构，其包括第一基板以及功率组件。第一基板包括位于其表面上的至少一导电层。功率组件包括第一芯片以及第一间隔件。第一芯片具有至少一电极。第一间隔件位于第一基板和第一芯片之间的散热空间并包括绝缘散热层以及多个垂直导电连接件。绝缘散热层位于散热空间内。每一垂直导电连接件贯穿绝缘散热层。绝缘散热层围绕垂直导电连接件和电性隔离垂直导电连接件。垂直导电连接件包括相对的二端，一端电连接导电层，另一端电连接电极，以构成第一芯片与第一基板之间的导电路径与散热路径。
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公开(公告)号：CN118039581A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202310002579.4
申请日：2023-01-03
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367
摘要： 本发明提供一种功率模块，包括至少一个功率元件、绝缘导热层以及散热装置。绝缘导热层具有图案化线路层。功率元件设置于图案化线路层上并电连接至图案化线路层。散热装置包括散热板与散热座。散热板具有相对的第一表面与第二表面，且绝缘导热层设置于第一表面上。散热座部分接合至散热板，并在散热板和散热座之间形成空腔。散热座具有位于空腔中的多个第一散热凸块。
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公开(公告)号：CN103390722A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210212665.X
申请日：2012-06-21
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L35/34
CPC分类号： H01L35/34 , H01L24/95 , H01L2224/95001 , H01L2924/12042 , Y10T29/49895 , Y10T29/53174 , Y10T29/53196 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开一种自组装设备、使元件自组装的方法以及热电元件组装方法。自组装设备，用以组装具有预定高宽比的多个元件。所述自组装设备包括：引导构件、振动装置与磁场产生装置。引导构件具有网格结构。振动装置与引导构件连接，用以振动引导构件。磁场产生装置位于引导构件下，用以产生时变磁场，使各元件转动。通过引导构件的振动、时变磁场以及各元件的自体重量的作用，使各元件经由网格结构定位于引导构件与磁场产生装置之间的底板。
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公开(公告)号：CN106876350B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201510992282.2
申请日：2015-12-25
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/56
摘要： 本发明公开一种功率模块及其制造方法，此功率模块包括承载基板、内连线层、第一芯片、第二芯片、陶瓷接合板、顶部内连线层以及导线架。内连线层位于承载基板上。第一芯片以及第二芯片位于内连线层上，其中第一芯片、第二芯片与内连线层电连接。陶瓷接合板位于内连线层上且设置于第一芯片与第二芯片之间以使第一芯片与第二芯片隔离开来。顶部内连线层位于陶瓷接合板上且覆盖第一芯片与第二芯片。顶部内连线层与第一芯片以及第二芯片电连接。导线架位于顶部内连线层上且与顶部内连线层电连接。
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公开(公告)号：CN102221667B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201010151743.0
申请日：2010-04-15
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种二极管芯片的量测装置及量测方法。二极管芯片设置于热传导元件上。量测装置会先量测二极管芯片的瞬间启动电流，并量测热传导元件的对应于瞬间启动电流的第一温度。当二极管芯片开始操作之后，量测装置再将热传导元件的温度调整至第二温度，以使二极管芯片的电流等于上述的瞬间启动电流。量测装置依据二极管芯片的实功率以及第一温度和第二温度之间的温度差，计算二极管芯片的属性。
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公开(公告)号：CN101937907B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910151818.2
申请日：2009-06-29
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/367 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
摘要： 本发明公开一种芯片堆叠封装结构，其包括多个芯片组、散热装置、基板、电路板以及多个焊球，其中芯片组彼此堆叠在一起，且每一芯片组包括散热结构与芯片。散热结构具有芯片置放凹槽、分布于芯片置放凹槽内的多个贯孔以及自芯片置放凹槽向外延伸的延伸部。芯片设置于芯片置放凹槽内，芯片上具有多个凸块，每一凸块对应设置于散热结构的其中一贯孔内。每一芯片组的散热结构的延伸部与邻接的芯片组的散热结构的延伸部接触。散热装置位于芯片组的顶部。基板位于芯片组的底部。电路板位于基板的下方。焊球位于电路板与基板之间。本发明还包括一种芯片堆叠封装结构的制作方法。
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公开(公告)号：CN102543911A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010616264.1
申请日：2010-12-30
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/373
CPC分类号： H01L23/38 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/53276 , H01L25/0657 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589
摘要： 本发明公开一种半导体装置，其包括一硅基板、多个硅纳米线束、一第一线路层以及一第二线路层。硅基板具有相对的一第一表面与一第二表面及多个贯孔。这些硅纳米线束分别配置于硅基板上的贯孔。第一线路层配置于第一表面并电连接硅纳米线束。第二线路层配置于第二表面并电连接硅纳米线束。
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公开(公告)号：CN101840989A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910128221.6
申请日：2009-03-18
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种热电转换装置，其包括冷端基板、热端基板及堆叠结构，堆叠结构配置于冷端基板与热端基板之间。堆叠结构包括多个热电转换层，每一热电转换层包括热电对层、第一导电材料层与第二导电材料层、第一导热不导电结构及第二导热不导电结构。每一热电转换层分别排列于堆叠结构中。第一导电材料层包括有多个第一导电材料，第一导电材料设置于P型与N型热电转换元件的上方。第二导电材料层包括有多个第二导电材料，第二导电材料设置于P型与N型热电转换元件的下方。第一导热不导电结构分别连接于相邻的两第一导电材料层间，而第二导热不导电结构分别连接于相邻的两第二导电材料层间。
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公开(公告)号：CN100367522C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510087045.8
申请日：2005-07-25
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种具有热电器件的发光二极管封装结构，应用于以芯片倒装焊接方式封装的发光二极管中，主要是将热电器件直接制作于发光二极管封装结构的锡球凸块层内，来取代一部分锡球凸块，借以有效提高发光二极管单元的散热效率，进而增进器件的发光稳定性与可靠度，并降低发光二极管封装整合上的困难与复杂度。
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公开(公告)号：CN105742470A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410753318.7
申请日：2014-12-10
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明公开一种热电模块结构及其制造方法，该热电模块结构包括至少一基板、一热电元件以及一绝缘保护结构。热电元件配置在基板上。绝缘保护结构设置于热电元件的周围。热电元件包括至少三个电极板、一第一型热电材料、一第二型热电材料以及一扩散阻障结构。三个电极板当中的一第一电极板和一第二电极板配置在基板上。第一型热电材料配置在第一电极板上。第二型热电材料配置在第二电极板上。三个电极板当中的一第三电极板配置在第一型热电材料和第二型热电材料上。扩散阻障结构配置在第一型热电材料和第二型热电材料的两端。另外，一种热电模块结构的制造方法也被提出。
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