公开(公告)号：CN103715178B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201210459988.9

申请日：2012-11-15

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 张景尧 ,  张道智 ,  庄东汉 ,  李俊彦

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种双相介金属互连结构及其制作方法。所述双相介金属互连结构介于芯片与载板之间，包括第一介金属相、第二介金属相、第一焊接金属层以及第二焊接金属层。第二介金属相包覆第一介金属相，且第一介金属相与第二介金属相含有不同的高熔点金属。第一焊接金属层与第二焊接金属层分别配置于第二介金属相的相对两侧，其中第一介金属相是用以填补第二介金属相形成时产生的微孔洞缺陷。

公开(公告)号：CN103715178A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201210459988.9

申请日：2012-11-15

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 张景尧 ,  张道智 ,  庄东汉 ,  李俊彦

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种双相介金属互连结构及其制作方法。所述双相介金属互连结构介于芯片与载板之间，包括第一介金属相、第二介金属相、第一焊接金属层以及第二焊接金属层。第二介金属相包覆第一介金属相，且第一介金属相与第二介金属相含有不同的高熔点金属。第一焊接金属层与第二焊接金属层分别配置于第二介金属相的相对两侧，其中第一介金属相是用以填补第二介金属相形成时产生的微孔洞缺陷。