公开(公告)号：CN108292637A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068468.1

申请日：2016-10-13

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A.乔德胡里 ,  J.比蒂 ,  P.乔德哈里

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29021 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29149 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29163 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29172 ,  H01L2224/29176 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/16153 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1659 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/00012

Abstract: 描述了帮助冷却半导体封装（诸如多芯片封装（MCP））的方法、系统和装置。一种半导体封装包括衬底上的部件。该部件可以包括一个或多个半导体管芯。该封装还可以包括多基准集成式散热器（IHS）解决方案（也被称为智能IHS解决方案），在这里该智能IHS解决方案包括智能IHS盖。该智能IHS盖包括在智能盖的中心区域中形成的腔。该智能IHS盖可以在部件上，以使得该腔对应于该部件。第一热界面材料层（TIM层1）可以在部件上。单独IHS盖（IHS块）可以在TIM层1上。该IHS块可以被插入腔中。此外，中间热界面材料层（TIM-1A层）可以在IHS块和腔之间。

公开(公告)号：CN108172559A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201710967563.1

申请日：2017-10-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 日根清裕 ,  古泽彰男 ,  北浦秀敏 ,  酒井一树

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/29 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29213 ,  H01L2224/29217 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29257 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供一种耐受因接合面积大而产生的大的热应力、抑制因反复温度变化引起的龟裂的发生和发展的安装结构体。本发明的安装结构体，是2个构件通过在与所述2个构件的界面处分别具有第1界面层和第2界面层的接合材料层进行接合而得的安装结构体，所述接合材料层包含第1金属间化合物和应力缓和物，所述第1金属间化合物具有球状、柱状和椭球状中的任一种形状并具有与所述第1界面层和所述第2界面层相同的晶体结构，并且所述第1金属间化合物闭塞所述第1界面层和所述第2界面层之间的一部分，所述应力缓和物填充所述第1金属间化合物的周围并以Sn为主成分。

公开(公告)号：CN103715178B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201210459988.9

申请日：2012-11-15

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 张景尧 ,  张道智 ,  庄东汉 ,  李俊彦

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种双相介金属互连结构及其制作方法。所述双相介金属互连结构介于芯片与载板之间，包括第一介金属相、第二介金属相、第一焊接金属层以及第二焊接金属层。第二介金属相包覆第一介金属相，且第一介金属相与第二介金属相含有不同的高熔点金属。第一焊接金属层与第二焊接金属层分别配置于第二介金属相的相对两侧，其中第一介金属相是用以填补第二介金属相形成时产生的微孔洞缺陷。

公开(公告)号：CN107863332A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710854614.X

申请日：2017-09-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·阿德马 ,  T·贝尔托 ,  M·埃曼 ,  P·弗兰克 ,  E·格雷茨 ,  K·卡尔洛夫斯基 ,  E·纳佩特施尼格 ,  W·罗布尔 ,  T·施密特 ,  J·塞弗特 ,  F·瓦格纳 ,  S·韦勒特

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2924/13055 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L24/83 ,  H01L2021/60007 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/0132

Abstract: 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。

公开(公告)号：CN104520976B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201380041827.0

申请日：2013-03-11

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 植田充彦 ,  佐名川佳治 ,  明田孝典 ,  林真太郎

IPC: H01L21/52 ,  B23K20/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  B23K20/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在基板上安装多个芯片的安装方法，包括在基板上临时地接合所述多个芯片中每个的临时接合过程，以及在基板上牢固地接合临时接合在基板上的所述多个芯片中每个的主要接合过程。在临时接合过程中，包括第一步骤和第二步骤的第一基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第一步骤中，基板(1)中的第一金属层和芯片中的第二金属层被定位。在第二步骤中，第二金属层和第一金属层通过固相扩散接合而临时地接合。在主要接合过程中，包括第三步骤和第四步骤的第二基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第三步骤中，识别临时接合于基板的芯片的位置。在第四步骤中，通过液相扩散接合使第二金属层和第一金属层经受主要接合。

公开(公告)号：CN104051397B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201410089178.8

申请日：2014-03-12

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： J.赫格劳尔 ,  M-A.库特沙克 ,  李德森 ,  G.洛曼 ,  R.奥特伦巴 ,  W.佩因霍普夫

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49517 ,  H01L21/561 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025

Abstract: 本发明涉及包括非整数引线间距的封装器件及其制造方法。公开了包括非整数引线间距的封装芯片、系统和用于制造封装芯片的方法。在一个实施例中，一种封装器件包括第一芯片、包装第一芯片的封装以及从封装突出的多个引线，其中所述多个引线包括不同的非整数倍引线间距。

公开(公告)号：CN103985667B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201310556722.0

申请日：2013-11-11

Applicant: 财团法人交大思源基金会

Inventor： 陈智 ,  刘道奇 ,  黄以撒 ,  刘健民

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83208 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明是有关于一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构及其制备方法，其中制备方法包括：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板上设有一第一铜膜，第二基板上设有一第一金属膜，第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将第一铜膜及第一金属膜相互接合以形成接点，其中第一铜膜的第一接合面与第一金属膜的第二接合面相互对应。

公开(公告)号：CN103681538B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310532609.9

申请日：2013-09-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N·厄施勒 ,  K·特鲁诺夫 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079

Abstract: 本发明涉及半导体芯片及其制造方法和焊接半导体芯片与载体的方法。公开了一种半导体芯片，具有半导体本体和施加到半导体本体上的芯片金属化，该芯片金属化具有背离半导体本体的下侧。具有数目为N1≥1或者N1≥2的第一子层以及数目为N2≥2的第二子层的层堆叠被施加到下侧上。第一子层和第二子层交替地相继地被布置，使得在能够由第一子层构成的每一个第一对的第一子层之间布置有至少一个第二子层，并且在能够由第二子层构成的每一个第二对的第二子层之间布置有至少一个第一子层。每一个第一子层都具有合金金属或者由合金金属组成，每一个第二子层都具有焊料或者由焊料组成，该焊料能够与邻接有关的第二子层的第一子层的合金金属一起构成金属间相。

公开(公告)号：CN103325746B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310088580.X

申请日：2013-03-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 黄美菁 ,  林平顺 ,  黄美晶

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49579 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01029

Abstract: 在一个实施例中，半导体封装包括具有第一夹的夹框架，所述第一夹具有第一支撑结构、第一杆、以及设置在半导体封装的正面上的第一接触部分。第一支撑结构邻近半导体封装的相对背面。第一杆连接第一接触部分与第一支撑结构。第一晶圆设置在第一夹的第一支撑结构之上。第一晶圆具有位于半导体封装的正面上的第一接触焊盘。密封剂材料包围第一晶圆和第一夹。

公开(公告)号：CN106356308A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610557638.4

申请日：2016-07-15

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： M·J·瑟登 ,  F·J·卡尼

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/27849 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L24/30 ,  H01L2224/301 ,  H01L2224/83359

Abstract: 本公开涉及管芯结合到板。一种将在管芯表面上具有第一和第二金属层的多个管芯结合到板的方法，包括向板上放置第一管芯以及将所述第一管芯和所述板放入回流炉中，所述板包括陶瓷或衬底板或金属引线框架之一，且具有可焊接表面。该方法包括在第一回流温度下进行回流第一时间段，直到第一金属板层和第一管芯的第一和第二金属管芯层中的至少一个形成合金，以将第一管芯粘附到板。该合金的熔化温度比第一回流温度高。因此，可以在稍晚时间增加额外的管芯并进行回流，以附着到板，而不会导致第一管芯到板的结合失效。