公开(公告)号：CN103715178B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201210459988.9

申请日：2012-11-15

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 张景尧 ,  张道智 ,  庄东汉 ,  李俊彦

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种双相介金属互连结构及其制作方法。所述双相介金属互连结构介于芯片与载板之间，包括第一介金属相、第二介金属相、第一焊接金属层以及第二焊接金属层。第二介金属相包覆第一介金属相，且第一介金属相与第二介金属相含有不同的高熔点金属。第一焊接金属层与第二焊接金属层分别配置于第二介金属相的相对两侧，其中第一介金属相是用以填补第二介金属相形成时产生的微孔洞缺陷。

公开(公告)号：CN103985667B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201310556722.0

申请日：2013-11-11

Applicant: 财团法人交大思源基金会

Inventor： 陈智 ,  刘道奇 ,  黄以撒 ,  刘健民

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83208 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明是有关于一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构及其制备方法，其中制备方法包括：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板上设有一第一铜膜，第二基板上设有一第一金属膜，第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将第一铜膜及第一金属膜相互接合以形成接点，其中第一铜膜的第一接合面与第一金属膜的第二接合面相互对应。

公开(公告)号：CN104661786A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201280076109.2

申请日：2012-09-28

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： M.温普林格 ,  B.雷班

IPC: B23K20/02 ,  H01L23/488

CPC classification number: B32B37/16 ,  B23K20/02 ,  B23K20/023 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  B32B37/10 ,  B32B37/12 ,  B32B38/0036 ,  B32B2309/025 ,  B32B2309/12 ,  B32B2311/12 ,  C23C14/24 ,  C23C16/44 ,  C23C28/02 ,  C25D5/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29647 ,  H01L2224/29664 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/29684 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  H01L23/488 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 涂覆及接合衬底的方法。本发明涉及一种经由沉积第一材料而对第一衬底(1)涂覆第一扩散接合层(5)的方法，其在第一衬底(1)的第一表面(1o)上形成第一扩散接合层(5)，以使该第一扩散接合层(5)形成具有小于1μm的与该第一表面(1o)平行的平均粒直径H的粒表面。此外，本发明涉及一种采用以下步骤，尤其是以下流程将已如此涂覆的第一衬底(1)接合至具有第二扩散接合层(4)的第二衬底(3)的方法：-使第一衬底(1)的第一扩散接合层(5)与第二衬底(3)的第二扩散接合层接触，-将该衬底(1、3)压在一起而形成该第一及第二衬底(1、3)间的永久金属扩散接合。

公开(公告)号：CN102676093A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210063005.X

申请日：2012-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  盛田美希

IPC: C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  C09J7/02 ,  H01L21/58 ,  H01L21/68

CPC classification number: C08G59/3209 ,  C08G59/621 ,  C08L61/04 ,  C09J7/29 ,  C09J133/068 ,  C09J163/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85097 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/92165 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y02P20/582 ,  Y10T428/2874 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及芯片接合薄膜及其用途。本发明的目的在于提供在固化前后可以得到充分的胶粘力和高温下的弹性模量，作业性良好，并且在芯片接合薄膜与被粘物的边界处不积存气泡(空隙)，也可以耐受耐湿回流焊接试验的可靠性高的芯片接合薄膜、以及具有该芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜、以及半导体装置的制造方法。本发明的芯片接合薄膜，其含有重均分子量50万以上的含有缩水甘油基的丙烯酸类共聚物(a)和酚醛树脂(b)，所述含有缩水甘油基的丙烯酸类共聚物(a)的含量x相对于酚醛树脂(b)的含量y的重量比(x/y)为5以上且30以下，并且实质上不含有重均分子量5000以下的环氧树脂。

公开(公告)号：CN102938401B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210135408.0

申请日：2012-05-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权兴奎 ,  俞裁旭 ,  金铉澈 ,  李秀昶 ,  罗珉玉

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16221 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/06503 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供了一种堆叠式封装件，所述堆叠式封装件包括：下封装件，下封装件包括下封装件基板和设置在下封装件基板上的下半导体芯片；上封装件，上封装件包括上封装件基板和设置在上封装件基板上的上半导体芯片；紧固元件，紧固元件形成在下半导体芯片的顶表面和上封装件基板的底表面之间；无卤素封装件间连接件，无卤素封装件间连接件将下封装件基板连接到上封装件基板。

公开(公告)号：CN1978122B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610164237.9

申请日：2006-12-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶原良一 ,  伊藤和利

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  H01L23/488

CPC classification number: C22C13/02 ,  B23K35/02 ,  B23K35/025 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/01 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12708 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 提供一种使用了在大于等于280℃的耐热性、小于等于400℃时的接合性、焊锡的供给性、润湿性、高温保持可靠性以及温度循环可靠性方面优良的高温无铅焊锡材料的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置由以Sn、Sb、Ag和Cu为主要构成元素、具有42wt％≤Sb/(Sn+Sb)≤48wt％、5wt％≤Ag＜20wt％、3wt％≤Cu＜10wt％且5wt％≤Ag+Cu≤25wt％的组成、剩下的部分由其它的不可避免的杂质元素构成的高温焊锡材料接合了半导体元件与金属电极构件。

公开(公告)号：CN100536102C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200680010504.5

申请日：2006-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中谷诚一 ,  北江孝史 ,  山下嘉久 ,  一柳贵志 ,  辛岛靖治

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83888 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0695 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的倒装片安装体，包括：电路基板(213)，具有多个连接端子(211)；半导体芯片(206)，具有与连接端子(211)相对配置的多个电极端子(207)；箱形状的多孔片(205)，设在半导体芯片(206)的电极端子(207)的形成面的相反侧，在半导体芯片(206)的外周边向电极端子(207)的形成面侧弯折，并抵接在电路基板(213)上；电路基板(213)的连接端子(211)与半导体芯片(206)的电极端子(207)通过焊料层(215)电连接，并且电路基板(213)与半导体芯片(206)由树脂(217)固定。由此，可以提供能够将半导体芯片安装到电路基板上的、生产性及可靠性良好的倒装片安装体和其安装方法及其安装装置。

公开(公告)号：CN101151723A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010504.5

申请日：2006-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中谷诚一 ,  北江孝史 ,  山下嘉久 ,  一柳贵志 ,  辛岛靖治

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83888 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0695 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的倒装片安装体，包括：电路基板(213)，具有多个连接端子(211)；半导体芯片(206)，具有与连接端子(211)相对配置的多个电极端子(207)；箱形状的多孔片(205)，设在半导体芯片(206)的电极端子(207)的形成面的相反侧，在半导体芯片(206)的外周边向电极端子(207)的形成面侧弯折，并抵接在电路基板(213)上；电路基板(213)的连接端子(211)与半导体芯片(206)的电极端子(207)通过焊料层(215)电连接，并且电路基板(213)与半导体芯片(206)由树脂(217)固定。由此，可以提供能够将半导体芯片安装到电路基板上的、生产性及可靠性良好的倒装片安装体和其安装方法及其安装装置。

公开(公告)号：CN108382020A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810007302.X

申请日：2018-01-04

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 陈继宏 ,  约瑟夫·P·多恩池 ,  罗伯特·J·珀特尔

IPC: B32B15/04 ,  B32B15/01

CPC classification number: H01L21/185 ,  H01L21/324 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/83379 ,  B32B15/04 ,  B32B15/01 ,  B32B15/017 ,  B32B15/043

Abstract: 本发明涉及硅或锗部件的低应力结合。一种方法包括提供第一部件、第二部件和在第一部件和第二部件之间的结合材料。所述第一部件和所述第二部件由从硅和锗组成的组中选择的第一材料制成。所述结合材料包括与所述第一材料不同的第二材料。该方法包括将所述第一部件、所述结合材料和所述第二部件布置在炉中；以及通过将所述第一部件、所述第二部件和所述结合材料加热到预定温度持续预定时间段来形成结合部件，所述预定时间段之后是预定凝固时间段。所述预定温度大于包括所述第一材料和所述第二材料的合金的共晶温度的1.5倍并且小于所述第一材料的熔化温度。

公开(公告)号：CN103985667A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201310556722.0

申请日：2013-11-11

Applicant: 财团法人交大思源基金会

Inventor： 陈智 ,  刘道奇 ,  黄以撒 ,  刘健民

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83208 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明是有关于一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构及其制备方法，其中制备方法包括：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板上设有一第一铜膜，第二基板上设有一第一金属膜，第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将第一铜膜及第一金属膜相互接合以形成接点，其中第一铜膜的第一接合面与第一金属膜的第二接合面相互对应。