磁性传感器装置和电子罗盘设备

    公开(公告)号:CN102364354A

    公开(公告)日:2012-02-29

    申请号:CN201110166034.4

    申请日:2011-06-15

    Inventor: 佐藤秀树

    CPC classification number: G01C17/38 G01C17/28

    Abstract: 本发明提供了磁性传感器装置和电子罗盘设备。该磁性传感器装置可连接到数据处理装置并且是与数据处理装置物理分离的电路。在磁性传感器装置中,检测单元检测磁场并输出表示检测到的磁场的模拟磁数据。转换单元将模拟磁数据转换成数字磁数据。缓冲存储器的容量能够存储由给定数量的数字磁数据形成的统计学群体。控制单元响应于第一触发来操作检测单元连续输出模拟磁数据,随后从转换单元连续接收对应于模拟磁数据的数字磁数据,并且将接收到的数字磁数据累积在缓冲存储器中从而形成统计学群体。该控制单元还响应于第二触发来向数据处理装置提供累积在缓冲存储器中、并由给定数量的数字磁数据形成的统计学群体。

    三轴磁传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101203769A

    公开(公告)日:2008-06-18

    申请号:CN200680008060.1

    申请日:2006-03-17

    Abstract: 本发明提供的三轴磁传感器,形成有由多个磁阻效应元件条通过偏置磁铁串联连接结构的磁阻效应元件。X轴传感器的磁阻效应元件和Y轴传感器的磁阻效应元件形成在相对衬底平面为平行的平面上。其磁化灵敏度方向为相对各磁阻效应元件条的长度方向为垂直的方向,且X轴传感器的磁阻效应元件和Y轴传感器的磁阻效应元件的磁化方向以相互正交的方式形成。Z轴传感器的磁阻效应元件形成在由衬底平面突出设置着的突出部的斜面上,其磁化方向以位于所述斜面内的方式形成。Z轴传感器的灵敏度方向以相对所述磁阻效应元件条的长度方向为垂直的方向形成。

    磁传感器及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101142494A

    公开(公告)日:2008-03-12

    申请号:CN200680008164.2

    申请日:2006-03-15

    Abstract: 本发明提供一种小型磁传感器,其在一块半导体基板上配置多个巨大磁阻元件来检测三轴方向的磁场强度。在半导体基板上形成厚膜,在其平坦面上设置构成X轴传感器和Y轴传感器的巨大磁阻元件,另一方面,利用在厚膜上形成的多个槽的斜面来形成构成Z轴传感器的巨大磁阻元件。至于槽的形成,可以采用反应性离子蚀刻或高密度等离子CVD法。且也可以在厚膜与钝化膜之间形成绝缘膜,把它作为阻蚀层利用。也可以把各槽的斜面由第一斜面和第二斜面构成,把感磁部形成在倾斜角大的第二斜面上。为了使各槽的斜面形状和倾斜正确化,也可以形成与巨大磁阻元件的形成没有直接关系的虚拟斜面。

    地磁传感器和地磁传感器校正方法、温度传感器和温度传感器校正方法、地磁检测装置

    公开(公告)号:CN1879006A

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200580001079.9

    申请日:2005-10-07

    CPC classification number: G01K7/01 G01C17/38

    Abstract: 就地磁传感器1而言,控制逻辑电路11对地磁传感器1进行控制。当将地磁传感器1安装在移动电话设备中时,控制逻辑电路11从地磁传感器电路12读取与环境磁场相关的测定值,从所述测定值获得偏移值,并且将其存储在熔丝式存储器13中。在由地磁传感器1进行测定时,控制逻辑电路11从熔丝式存储器13读取偏移值,并且使用所述值校正地磁传感器12的测定值。就温度传感器201而言,控制逻辑电路211对温度传感器201进行控制。在制备温度传感器201期间,控制逻辑电路211从温度传感器电路212读取与环境温度相关的特性的测定结果,从该结果获得初始值和校正值,并且将所述值存储在熔丝式存储器213中。在操作温度传感器201时,控制逻辑电路211从熔丝式存储器213读取初始值和校正值,并且使用所述值对温度传感器电路212的测定值进行校正。在LSI发货检验期间测定磁传感器的校正系数a11-a22。把从这些校正系数a11-a22获得的校正数据D1-D4写入到熔丝式存储器315中。在地磁检测期间,控制电路308把磁传感器310和311的检测输出Sx和Sy输入到内部寄存器。从熔丝式存储器315读取校正数据D1-D4。使用公式(309)至(312)校正检测输出Sx和Sy。

    磁传感器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1251182C

    公开(公告)日:2006-04-12

    申请号:CN02102703.X

    申请日:2002-01-23

    Abstract: 本发明涉及一种磁传感器,在单个基片上形成多个配置有钉扎层的磁阻效应元件,钉扎层具有彼此相交的方向的固定磁化轴。在衬底(10)上形成了将成为两个磁隧道效应元件(11、21)的磁层,作为磁阻效应元件。形成由NiCo制成的磁场施加磁层,使其在平面图中夹持磁层。给磁场施加磁层施加磁场。磁场施加磁层在箭头A所示的方向上磁化之后,除去磁场。结果,通过磁场施加磁层的剩磁磁化,给将成为磁隧道效应元件(11、21)的磁层施加箭头B所示的方向的磁场,从而在箭头B所示的方向上钉扎了将成为磁隧道效应元件(11、21)的磁层的钉扎层的磁化。

    磁传感器的制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1740804A

    公开(公告)日:2006-03-01

    申请号:CN200510097891.8

    申请日:2002-01-23

    Abstract: 本发明涉及一种磁传感器的制造方法,磁传感器包括包含钉扎层和自由层的磁阻效应元件,磁阻效应元件具有随由钉扎层的磁化方向和自由层的磁化方向形成的相对角度变化的电阻值,该方法包括步骤:准备以下列方式构成的磁铁阵列,即在正方形格的格点处设置多个永久磁铁,每个永久磁铁的磁极的极性与和其相邻并距离最短的其它磁铁磁极的极性不同;设置薄片于磁铁阵列上,在此薄片中,包含磁层的层已经形成;磁层至少将成为钉扎层;利用在一个磁极和与其相邻的并且距离最短的另一个磁极之间形成的磁场,钉扎将成为钉扎层的磁层的磁化方向。使用本方法,可以在单个基片上容易地制造其中钉扎层的磁化方向彼此相交的的磁传感器。

    方位数据生成方法、方位传感器单元以及便携式电子装置

    公开(公告)号:CN1734236A

    公开(公告)日:2006-02-15

    申请号:CN200510089981.2

    申请日:2005-08-09

    CPC classification number: G01C17/38

    Abstract: 输入来自地磁传感器的数据,并基于输入的数据测量磁场数据,所述地磁传感器在三个轴向上检测磁场。连续存储测量的磁场数据,并判断如此存储的多个磁场数据是否位于三维方位空间的同一平面内。当判断出多个磁场数据位于三维方位空间的同一平面内时,基于磁场数据并依照预定算法来计算存储的磁场数据所位于的圆弧的中心坐标,并将其作为临时偏移值。在计算出临时偏移值后,用该临时偏移值校正测量的磁场数据,并基于该校正的磁场数据执行算术运算来确定方位数据。

    用于测量地磁传感器磁偏的方法与装置以及便携电子装置

    公开(公告)号:CN1715834A

    公开(公告)日:2006-01-04

    申请号:CN200510078958.3

    申请日:2005-06-13

    Abstract: 一种为测量装备在具有存储器的便携信息终端装置中的地磁传感器磁偏而设计的方法。该地磁传感器具有对地磁场的磁灵敏度并受磁化影响而引起磁偏。在本方法中,测量地磁传感器的输出,以根据地磁传感器的输出连续地提供地磁场的测量数据。将测量数据存储到存储器中。当存储在存储器中的测量数据的数目达到预定数目时,从存储器中读取测量数据,并基于从存储器中读取的预定数目的测量数据来估算磁偏的偏移值。

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