公开(公告)号：CN102017162B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200980113919.9

申请日：2009-04-23

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 蔡军

IPC分类号： H01L29/872

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/10 ,  H01L29/402 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

摘要： 一种集成式低泄漏肖特基二极管具有接近MOS栅极的一侧的肖特基势垒结，其中漂移区的一端在所述栅极的相对侧上。在本发明的一个实施例中，在肖特基金属及栅极氧化物下面是P-层上N-层的RESURF结构，其还形成在所述二极管的阴极处终止的所述漂移区。所述N-层及P-层在所述栅极下方具有朝上的凹面形状。栅极电极及所述肖特基金属连接到所述二极管的阳极。P-层位于所述RESURF结构与NISO区之间，其具有到所述阳极的电连接。所述肖特基金属下方的P+层通过P阱与所述P-层接触。

公开(公告)号：CN101553932B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200780043578.3

申请日：2007-11-27

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 蔡军

IPC分类号： H01L29/70 ,  H01L29/73

CPC分类号： H01L29/7394 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847

摘要： 一种横向绝缘栅极双极晶体管(LIGBT)包含半导体衬底和所述半导体衬底中的阳极区。所述衬底中的第一导电型的阴极区与所述阳极区横向间隔开，且所述衬底中的第二导电型的阴极区位于所述第一导电型的所述阴极区附近且位于其与所述阳极区相对的一侧上。所述半导体衬底中的漂移区在所述阳极区与所述第一导电型的所述阴极区之间延伸。绝缘栅极操作地耦合到所述第一导电型的所述阴极区，且位于所述第一导电型的所述阴极区的与所述阳极区相对的一侧上。绝缘间隔物上覆于所述第二导电型的所述阴极区上。所述绝缘间隔物和所述第二导电型的所述阴极区的横向尺寸大体相等且大体小于所述第一导电型的所述阴极区的横向尺寸。

公开(公告)号：CN101553932A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200780043578.3

申请日：2007-11-27

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 蔡军

IPC分类号： H01L29/70 ,  H01L29/73

CPC分类号： H01L29/7394 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847

摘要： 一种横向绝缘栅极双极晶体管(LIGBT)包含半导体衬底和所述半导体衬底中的阳极区。所述衬底中的第一导电型的阴极区与所述阳极区横向间隔开，且所述衬底中的第二导电型的阴极区位于所述第一导电型的所述阴极区附近且位于其与所述阳极区相对的一侧上。所述半导体衬底中的漂移区在所述阳极区与所述第一导电型的所述阴极区之间延伸。绝缘栅极操作地耦合到所述第一导电型的所述阴极区，且位于所述第一导电型的所述阴极区的与所述阳极区相对的一侧上。绝缘间隔物上覆于所述第二导电型的所述阴极区上。所述绝缘间隔物和所述第二导电型的所述阴极区的横向尺寸大体相等且大体小于所述第一导电型的所述阴极区的横向尺寸。

公开(公告)号：CN102301483A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006272.2

申请日：2010-02-02

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 蔡军

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明涉及一种半导体装置(100)，其具有固持PMOS装置(110、112)的N-阱区域(18)及固持NMOS装置(114、116)的P型区域(14)。装置(110)及(114)具有高阈值，且装置(112)及(116)具有低阈值。所述PMOS装置通过所述N-阱(18)与衬底(10)结隔离，且所述NMOS装置通过N型层(13)与所述衬底隔离。场氧化物区域(20)横向隔离所述PMOS装置与所述NMOS装置。所述高阈值CMOS装置(110、114)将所述低阈值CMOS装置连接到相对轨道Vdd及Vss。控制端子(121)接通所述高阈值装置以使所述低阈值装置快速切换。在备用模式中，所述高阈值装置关断且存在非常低的泄漏电流。

公开(公告)号：CN101960574A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980108187.4

申请日：2009-03-10

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 蔡军

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816

摘要： 一种LDMOS装置包含：第一导电率类型的衬底；所述衬底上的外延层；所述外延层的下部分中的与所述第一导电率类型相反的第二导电率类型的掩埋阱，所述外延层在掩埋层下面为所述第一导电率类型。所述装置进一步包含位于漏极与栅极氧化物上的栅极及源极两者之间的场氧化物且具有在所述外延层中所述掩埋阱上面的所述第二导电率类型的鞍形垂直掺杂梯度，使得所述外延层中所述掩埋阱上面及所述场氧化物的中央部分下面的掺杂剂浓度低于所述场氧化物的最靠近所述漏极及最靠近所述栅极的边缘处的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN101632178A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200880007869.1

申请日：2008-03-07

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 蔡军

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7834

摘要： 低电压、中间电压和高电压CMOS装置具有：上部缓冲层，其具有与源极和漏极相同的导电性类型，且在所述源极和漏极以及栅极下延伸但不经过所述栅极的中部；以及下部块缓冲层，其具有与所述上部缓冲层相反的导电性类型，且从所述上部缓冲层下延伸经过所述栅极的所述中部，从而在所述栅极下形成所述两个块缓冲层的重叠。可使用两个遮蔽层来针对NMOS和PMOS FET两者植入所述上部缓冲层和所述下部块缓冲层。对于中间电压和高电压装置，所述上部缓冲层连同所述下部块缓冲层一起提供resurf区。

公开(公告)号：CN101573799A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780048921.3

申请日：2007-12-31

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 蔡军

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 互补RF LDMOS晶体管具有在分裂栅极氧化物上的栅电极。具有第二导电类型的源极间隔物从具有第一导电类型的源极分接点横向延伸到大约最薄栅极氧化物上方的所述栅电极的边缘。具有第一导电类型的主体从大约所述源极分接点的底部中心延伸到衬底表面，且位于所述分裂栅极氧化物的大部分薄截面下方。所述源极间隔物大约为栅极侧壁氧化物的长度且与栅电极自对准。所述主体也与栅电极自对准。漏极由至少一个缓冲区围绕，所述至少一个缓冲区自对准于最厚栅极氧化物上方的所述栅电极的另一边缘且延伸到所述漏极下方且在所述最厚栅极氧化物下方横向延伸。所述源极分接点与漏极两者与所述栅极侧壁氧化物自对准，且因此与所述栅电极横向间隔开。

公开(公告)号：CN103633090A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310585095.3

申请日：2010-02-02

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 蔡军

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明涉及高速度低功率消耗的隔离模拟互补金属氧化物半导体单元。一种半导体装置，其包括低阈值PMOS装置，其形成于N型区域上方，所述低阈值PMOS的源极及漏极形成于由N-区域环绕的P-区域中；低阈值NMOS装置，其形成于P型区域中，所述低阈值NMOS的源极及漏极形成于由P-区域环绕的N-区域中；第一和第二衬底偏置产生器，其各自连接至所述低阈值装置中的一者以用于产生衬底偏置；电压源，其用于在备用模式期间产生衬底偏置以减少泄漏电流；其中低电压阈值由所述低阈值装置的源极及漏极区域以及其相应的相反极性的环绕区域建立。

公开(公告)号：CN100502039C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580034355.1

申请日：2005-09-14

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 蔡军 ,  迈克尔·哈利斯特德 ,  吉姆·G·霍尔特

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659

摘要： 本发明揭示一种形成于衬底上的高压PMOS器件，所述衬底具有第一导电类型的高压井，所述高压井形成于第二导电类型的外延层中，所述高压PMOS器件包括一对位于衬底上并至少部分地位于高压井上方的场氧化物区。在衬底上所述场氧化物区之间形成绝缘栅极。在高压井中且与栅极的外边缘自对准地形成堆叠的异质-掺杂缘。在高压井中在栅极的内边缘之间并与栅极的内边缘自对准地形成第一导电类型的缓冲区。在缓冲区中在栅极的内边缘之间并与栅极的内边缘自对准地形成第二导电类型的漂移区。所述漂移区包含具有缓慢掺杂剂浓度变化的区，并包含第二导电类型的漏极区。

公开(公告)号：CN101632178B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880007869.1

申请日：2008-03-07

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 蔡军

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7834

摘要： 低电压、中间电压和高电压CMOS装置具有：上部缓冲层，其具有与源极和漏极相同的导电性类型，且在所述源极和漏极以及栅极下延伸但不经过所述栅极的中部；以及下部块缓冲层，其具有与所述上部缓冲层相反的导电性类型，且从所述上部缓冲层下延伸经过所述栅极的所述中部，从而在所述栅极下形成所述两个块缓冲层的重叠。可使用两个遮蔽层来针对NMOS和PMOS FET两者植入所述上部缓冲层和所述下部块缓冲层。对于中间电压和高电压装置，所述上部缓冲层连同所述下部块缓冲层一起提供resurf区。