公开(公告)号：CN103578544A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310316771.7

申请日：2013-07-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 穆复宸 ,  王彦卓 ,  何晨 ,  理查德·K·埃吉基

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C29/021 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/349 ,  G11C29/028

Abstract: 公开了用于调整非易失性存储器(NVM)单元的编程/擦除偏置条件以改进NVM系统的性能和产品寿命的方法和系统。系统实施例包括具有NVM控制器（212）、偏压发生器（150）和NVM单元阵列（204）的集成NVM系统（102）。此外，NVM系统可以在存储电路中存储性能退化信息（130）和编程/擦除偏置条件信息（132）。所公开的实施例基于性能退化确定来调整NVM单元的编程/擦除偏置条件，性能退化确定例如基于温度的性能退化确定和基于临时验证的性能退化确定。

公开(公告)号：CN101772809B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200880101808.1

申请日：2008-06-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： J·S·朝伊 ,  王彦卓

IPC: G11C7/20 ,  G11C7/24 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C5/147 ,  G11C5/143 ,  G11C5/145

Abstract: 一种电路和方法减小了在存储器阵列(12)中由两个电源电压下降到预定值以下所引起的干扰。存储器控制逻辑(22)使用逻辑电源域来工作。比逻辑电源域的电压高的电压响应于振荡器(18)振荡而产生。该较高电压被用来操作存储器阵列(12)。当逻辑电源域至少达到第一电平或值时，用存储器控制逻辑(22)来控制振荡器(18)的工作。当逻辑电源域在第一电平以下时，振荡器(18)被禁用。振荡器(18)的禁用具有防止产生较高电压的作用。这有利于在较高电压可能没有得到适当控制时防止较高电压到达存储器阵列(12)。

公开(公告)号：CN103680620A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310381540.4

申请日：2013-08-28

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 穆复宸 ,  王彦卓

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C16/3468

Abstract: 本发明涉及使用软编程的非易失性存储器(NVM)。一种半导体存储器器件（10）包括存储器控制器（12）、以及耦合以与所述存储器控制器通信的存储器单元的阵列（20）。所述存储器控制器被配置成使用第一软程序电压和第一软程序验证水平执行第一软程序操作（56），以及确定是否已经达到第一电荷捕获阈值（54）。当已经达到所述第一电荷捕获阈值的时候，使用第二软程序电压和第二软程序验证水平执行第二软程序操作（56）。

公开(公告)号：CN101772809A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200880101808.1

申请日：2008-06-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： J·S·朝伊 ,  王彦卓

IPC: G11C7/20 ,  G11C7/24 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C5/147 ,  G11C5/143 ,  G11C5/145

Abstract: 一种电路和方法减小了在存储器阵列(12)中由两个电源电压下降到预定值以下所引起的干扰。存储器控制逻辑(22)使用逻辑电源域来工作。比逻辑电源域的电压高的电压响应于振荡器(18)振荡而产生。该较高电压被用来操作存储器阵列(12)。当逻辑电源域至少达到第一电平或值时，用存储器控制逻辑(22)来控制振荡器(18)的工作。当逻辑电源域在第一电平以下时，振荡器(18)被禁用。振荡器(18)的禁用具有防止产生较高电压的作用。这有利于在较高电压可能没有得到适当控制时防止较高电压到达存储器阵列(12)。

公开(公告)号：CN104134459A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410180987.X

申请日：2014-04-30

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 穆复宸 ,  王彦卓

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/14

Abstract: 公开了带有可变验证操作的非易失性存储器(NVM)。一种编程/擦除(204,206)非易失性存储器(NVM)阵列(104)的方法，包括：基于所述NVM阵列的温度(112)确定第一数目(NREG)。所述第一数目的编程/擦除脉冲被施加(308)于所述NVM阵列。在开始施加之后已达到所述第一数目之后，首次执行所述NVM的第一验证(304)。

公开(公告)号：CN103578543A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310316735.0

申请日：2013-07-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 穆复宸 ,  王彦卓

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

Abstract: 公开了用于对非易失性存储器(NVM)单元的偏置条件进行基于温度的调整以改进NVM系统的性能和产品寿命的方法和系统。系统实施例包括具有NVM控制器（212）、偏压发生器（150）和NVM单元阵列（204）的集成NVM系统（102）。此外，NVM系统可以在存储电路中存储基于温度的偏置条件信息。所公开的实施例基于温度测量选择和运用NVM单元的偏置条件。