公开(公告)号：CN105190837A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480025553.0

申请日：2014-05-09

申请人： 马特森技术有限公司

发明人： 弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ,  史蒂文·帕克斯 ,  马丁·朱克

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32513 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32522 ,  H01J2237/166

摘要： 提供了用于在等离子体处理系统中保护真空密封件的系统和方法。该等离子体处理系统可以包括限定侧壁的真空室以及围绕侧壁的至少一部分包绕的感应线圈。在真空室的侧壁与散热器之间可以定位有真空密封件。在侧壁与散热器之间可以联接有导热桥。此外，导热桥可以相对于真空密封件定位成使得导热桥将从侧壁或任何热源至散热器的导热路径重新定向成使得热路径绕开真空密封件。

公开(公告)号：CN106463324A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201680001356.4

申请日：2016-03-17

申请人： 马特森技术有限公司

发明人： 弗拉迪米尔·纳戈尔尼

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提供了一种用于控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性的装置、系统和方法。在一个实施方式中，等离子体处理装置可以包括等离子体处理室和布置在所述等离子体处理室之上的RF罩。介电窗可以将等离子体处理室和RF罩分开。装置可以包括布置在介电窗之上的等离子体生成线圈。等离子体生成线圈能够进行操作以在被激励时在等离子体处理室中生成电感耦合等离子体。装置还包括布置在RF罩内接近等离子体生成线圈的至少一部分的导电表面。导电表面被布置成在等离子体生成线圈被激励时在导电表面与等离子体生成线圈之间生成方位角可变电感耦合。

公开(公告)号：CN108475634A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780006126.1

申请日：2017-01-11

申请人： 马特森技术有限公司

发明人： 弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ,  马绍铭 ,  维贾伊·M·瓦尼亚普拉 ,  赖恩·M·帕库尔斯基

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0206 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32651 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273

摘要： 提供了用于使用可变图案分离网格在等离子体处理设备中处理衬底的系统、方法和设备。在一个示例实现方式中，等离子体处理设备可以具有等离子体室和与等离子体室分离的处理室。该设备还可以包括将等离子体室与处理室分离的可变图案分离网格。可变图案分离网格可以包括多个网格板。每个网格板可以具有一个或更多个孔的网格图案。该多个网格板中的至少一个网格板可以相对于该多个网格板中的其他网格板移动，使得可变图案分离网格可以提供多个不同的复合网格图案。

公开(公告)号：CN110741459A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201880038243.0

申请日：2018-02-28

申请人： 马特森技术有限公司 ,  北京屹唐半导体科技有限公司

发明人： 马绍铭 ,  弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ,  D·V·德塞 ,  瑞安·M·帕库尔斯基

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供了利用后等离子体气体注入的等离子体处理。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括等离子体室。该设备包括与等离子体室隔开的处理室。处理室包括可进行操作以支撑工件的基板保持器。该设备包括被配置为在等离子体室中产生等离子体的等离子体源。该设备包括将等离子体室与处理室隔开的分离格栅。分离格栅可以被配置为过滤等离子体中产生的一种或多种离子，并允许中性粒子通过而从等离子体室到达处理室。该设备可以包括至少一个气体端口，该至少一个气体端口被配置为将气体注入穿过分离格栅的中性粒子。

公开(公告)号：CN106463324B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201680001356.4

申请日：2016-03-17

申请人： 马特森技术有限公司 ,  北京屹唐半导体科技有限公司

发明人： 弗拉迪米尔·纳戈尔尼

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提供了一种用于控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性的装置、系统和方法。在一个实施方式中，等离子体处理装置可以包括等离子体处理室和布置在所述等离子体处理室之上的RF罩。介电窗可以将等离子体处理室和RF罩分开。装置可以包括布置在介电窗之上的等离子体生成线圈。等离子体生成线圈能够进行操作以在被激励时在等离子体处理室中生成电感耦合等离子体。装置还包括布置在RF罩内接近等离子体生成线圈的至少一部分的导电表面。导电表面被布置成在等离子体生成线圈被激励时在导电表面与等离子体生成线圈之间生成方位角可变电感耦合。

公开(公告)号：CN105190837B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201480025553.0

申请日：2014-05-09

申请人： 马特森技术有限公司

发明人： 弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ,  史蒂文·帕克斯 ,  马丁·朱克

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32513 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32522 ,  H01J2237/166

摘要： 提供了用于在等离子体处理系统中保护真空密封件的系统和方法。该等离子体处理系统可以包括限定侧壁的真空室以及围绕侧壁的至少一部分包绕的感应线圈。在真空室的侧壁与散热器之间可以定位有真空密封件。在侧壁与散热器之间可以联接有导热桥。此外，导热桥可以相对于真空密封件定位成使得导热桥将从侧壁或任何热源至散热器的导热路径重新定向成使得热路径绕开真空密封件。

公开(公告)号：CN110870038A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880038219.7

申请日：2018-02-28

申请人： 马特森技术有限公司 ,  北京屹唐半导体科技有限公司

发明人： 马绍铭 ,  弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ,  D·V·德塞 ,  瑞安·M·帕库尔斯基

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提供了等离子体处理设备。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。该设备包括可进行操作以在处理室中支撑工件的基座。该设备包括等离子体室。等离子体室沿着等离子体室的电介质侧壁的垂直表面限定有源等离子体产生区域。该设备包括沿垂直方向定位在处理室和等离子体室之间的分离格栅。该设备包括围绕等离子体室延伸的多个感应线圈。多个感应线圈中的每一个可以沿着垂直方向设置在不同的位置。多个感应线圈中的每一个可进行操作以在沿着等离子体室的电介质侧壁的垂直表面的有源等离子体产生区域中产生等离子体。

公开(公告)号：CN110731000A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201880038239.4

申请日：2018-02-28

申请人： 马特森技术有限公司 ,  北京屹唐半导体科技有限公司

发明人： 马绍铭 ,  弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ,  D·V·德塞 ,  瑞安·M·帕库尔斯基

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提供了具有处理均匀性控制的等离子体剥离工具。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。该设备包括在处理室中的第一基座，其可进行操作以支撑工件。第一基座可以限定第一处理站。等离子体处理设备可以包括在处理室中的第二基座，其可进行操作以支撑工件。第二基座可以限定第二处理站。该设备可以包括设置在第一处理站上方的第一等离子体室。第一等离子体室可以与第一感应等离子体源相关联。第一等离子体室可以通过第一分离格栅与处理室隔开。该设备可以包括设置在第二处理站上方的第二等离子体室。第二等离子体室可以与第二感应等离子体源相关联。第二等离子体室可以通过第二分离格栅与处理室隔开。

公开(公告)号：CN110730999A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201880038182.8

申请日：2018-02-28

申请人： 马特森技术有限公司 ,  北京屹唐半导体科技有限公司

发明人： 马绍铭 ,  弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ,  D·V·德塞 ,  瑞安·M·帕库尔斯基

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提供了一种用于处理工件的等离子体处理设备。在一个示例性实施例中，一种用于处理工件的等离子体处理设备包括：处理室，通过分离格栅与处理室隔开的等离子体室，以及被配置为在等离子体室中产生等离子体的感应耦合等离子体源。该设备包括设置在处理室内的基座，其被配置为支撑工件。该设备被配置为在第一平坦表面处将处理气体注入等离子体室的第一气体注入区，和被配置为在第二平坦表面处将处理气体注入等离子体室的第二气体注入区。分离格栅具有多个孔，该多个孔被配置为允许在等离子体中产生的中性粒子通过而到达处理室。

公开(公告)号：CN109564845A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049926.1

申请日：2017-05-10

申请人： 马特森技术有限公司

发明人： 维贾伊·M·瓦尼亚普拉 ,  马绍铭 ,  弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ,  赖恩·M·帕库尔斯基

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/32 ,  H01L21/67248

摘要： 提供了用于等离子体处理装置的隔离栅网。在一些实施方案中，等离子体处理装置包括等离子体室。等离子体处理装置包括处理室。处理室可以与等离子体室隔开。该装置可以包括隔离栅网。隔离栅网可以将等离子体室与处理室隔开。该装置可以包括温度控制系统。温度控制系统可以配置成调节隔离栅网的温度以影响对基底的等离子体处理的均匀性。在一些实施方案中，隔离栅网可以在隔离栅网的整个截面上具有变化厚度的轮廓，以影响中性物质的通过隔离栅网的流动。