公开(公告)号：CN114270271B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202080059125.5

申请日：2020-07-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： H·亚古毕扎德 ,  金珉锡 ,  崔影超 ,  D·M·斯洛特布姆 ,  朴柾泫 ,  J·科特塔尔

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种确定光刻装置的控制设置的方法。该方法包括：基于与一个或多个先前衬底相关联的第一计量数据，获得针对当前衬底上的当前层的第一校正；以及获得针对当前衬底上的当前层的第二校正。第二校正是基于根据与当前衬底上的先前层相关联的第二计量数据确定的残差而获得的。该方法还包括通过组合第一校正和第二校正来确定用于在当前衬底上图案化当前层的光刻装置的控制设置。

公开(公告)号：CN111164515B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201880063422.X

申请日：2018-09-04

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 ,  E·M·休瑟博斯 ,  H·J·L·梅根斯 ,  A·K·埃达玛 ,  L·J·P·维尔希斯 ,  W·S·C·罗洛夫斯 ,  W·J·M·范德文 ,  H·亚古毕扎德 ,  H·E·瑟克里 ,  R·布林克霍夫 ,  T·T·T·乌 ,  M·R·古森 ,  M·范特维斯泰德 ,  寇伟田 ,  M·里杰普斯特拉 ,  M·科克斯 ,  F·G·C·比杰南

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: 公开了一种用于确定传感器系统的操作参数的一个或多个经优化的值的方法，该传感器系统被配置为测量衬底的性质，该方法包括：确定针对多个衬底的质量参数；针对操作参数的多个值，确定使用传感器系统而被获取的针对多个衬底的测量参数；将质量参数的衬底到衬底变化与测量参数的映射的衬底到衬底变化进行比较；以及基于该比较，确定操作参数的一个或多个经优化的值。

公开(公告)号：CN110546575B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201880027060.9

申请日：2018-03-28

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： H·J·G·西蒙斯 ,  E·C·莫斯 ,  魏秀虹 ,  R·马赫穆迪·巴拉姆 ,  H·亚古毕扎德 ,  张祎晨

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种器件制造方法包括：使用光刻设备将第一衬底曝光，以形成包括第一特征的图案化层；对第一衬底进行处理，以将第一特征转移到第一衬底中；确定第一特征在第一衬底中与其标称位置的位移；确定校正，以至少部分地补偿位移；以及使用光刻设备将第二衬底曝光，以形成包括第一特征的图案化层；其中在将第二衬底曝光期间应用校正。

公开(公告)号：CN114270271A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080059125.5

申请日：2020-07-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： H·亚古毕扎德 ,  金珉锡 ,  崔影超 ,  D·M·斯洛特布姆 ,  朴柾泫 ,  J·科特塔尔

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种确定光刻装置的控制设置的方法。该方法包括：基于与一个或多个先前衬底相关联的第一计量数据，获得针对当前衬底上的当前层的第一校正；以及获得针对当前衬底上的当前层的第二校正。第二校正是基于根据与当前衬底上的先前层相关联的第二计量数据确定的残差而获得的。该方法还包括通过组合第一校正和第二校正来确定用于在当前衬底上图案化当前层的光刻装置的控制设置。

公开(公告)号：CN111164515A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880063422.X

申请日：2018-09-04

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 ,  E·M·休瑟博斯 ,  H·J·L·梅根斯 ,  A·K·埃达玛 ,  L·J·P·维尔希斯 ,  W·S·C·罗洛夫斯 ,  W·J·M·范德文 ,  H·亚古毕扎德 ,  H·E·瑟克里 ,  R·布林克霍夫 ,  T·T·T·乌 ,  M·R·古森 ,  M·范特维斯泰德 ,  寇伟田 ,  M·里杰普斯特拉 ,  M·科克斯 ,  F·G·C·比杰南

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: 公开了一种用于确定传感器系统的操作参数的一个或多个经优化的值的方法，该传感器系统被配置为测量衬底的性质，该方法包括：确定针对多个衬底的质量参数；针对操作参数的多个值，确定使用传感器系统而被获取的针对多个衬底的测量参数；将质量参数的衬底到衬底变化与测量参数的映射的衬底到衬底变化进行比较；以及基于该比较，确定操作参数的一个或多个经优化的值。

公开(公告)号：CN110546575A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880027060.9

申请日：2018-03-28

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： H·J·G·西蒙斯 ,  E·C·莫斯 ,  魏秀虹 ,  R·马赫穆迪·巴拉姆 ,  H·亚古毕扎德 ,  张祎晨

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种器件制造方法包括：使用光刻设备将第一衬底曝光，以形成包括第一特征的图案化层；对第一衬底进行处理，以将第一特征转移到第一衬底中；确定第一特征在第一衬底中与其标称位置的位移；确定校正，以至少部分地补偿位移；以及使用光刻设备将第二衬底曝光，以形成包括第一特征的图案化层；其中在将第二衬底曝光期间应用校正。