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公开(公告)号：CN113661557A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202080026928.0
申请日：2020-03-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·R·古森 , A·V·G·曼格努斯 , L·库因德尔斯玛
Abstract: 与本文公开一致的实施例包括用于多束带电粒子检查系统的图像增强的方法。与本公开一致的系统和方法包括分析代表第一图像和第二图像的信号信息，其中第一图像与一组束中的第一束相关联，并且第二图像与一组束中的第二束相关联；基于分析，检测第一束和第二束相对于样品的定位的扰动；使用第一束和第二束的信号信息获得样品的图像；并使用识别的扰动，校正样品的图像。
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公开(公告)号：CN114631164A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080073990.5
申请日：2020-09-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/153 , H01J37/28
Abstract: 确定由带电粒子束工具获取的图像中的像差的方法包括以下步骤：a)获取样品的两个或更多个图像，其中每个图像以在带电粒子束工具的测量条件中的已知相对差获取；b)针对表示由带电粒子束工具使用的带电粒子束的探测轮廓的像差，选择所估计的像差参数；c)评估误差函数，误差函数指示两个或更多个图像与所估计的两个或更多个图像之间的差，所估计的两个或更多个图像是所估计的像差参数和测量条件中的已知相对差的函数；d)更新所估计的像差参数；e)迭代地执行步骤c)和d)；f)将最终像差参数确定为所估计的提供误差函数的最小值的像差参数。
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公开(公告)号：CN112204694A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980035698.1
申请日：2019-05-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·P·斯马克曼 , 阿尔伯特斯·维克特·盖拉达斯·曼格纳斯 , M·R·古森
IPC: H01J37/317 , H01J37/28 , H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/073
Abstract: 描述一种电子束设备，所述设备包括：‑电子束源，所述电子束源被配置成产生电子束；‑束转换单元，所述束转换单元包括：‑孔阵列，所述孔阵列被配置成从所述电子束产生多个子束；‑偏转器单元，所述偏转器单元被配置成使得所述多个子束中的一组或更多组偏转；‑投影系统，所述投影系统被配置成将所述多个子束投影至物体上，其中所述偏转器单元被配置成使得所述多个子束中的所述一组或更多组偏转以便以不同的入射角照射所述物体，一组中的每个子束在所述物体上具有大体上相同的入射角。
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公开(公告)号：CN111164515A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063422.X
申请日：2018-09-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , E·M·休瑟博斯 , H·J·L·梅根斯 , A·K·埃达玛 , L·J·P·维尔希斯 , W·S·C·罗洛夫斯 , W·J·M·范德文 , H·亚古毕扎德 , H·E·瑟克里 , R·布林克霍夫 , T·T·T·乌 , M·R·古森 , M·范特维斯泰德 , 寇伟田 , M·里杰普斯特拉 , M·科克斯 , F·G·C·比杰南
Abstract: 公开了一种用于确定传感器系统的操作参数的一个或多个经优化的值的方法，该传感器系统被配置为测量衬底的性质，该方法包括：确定针对多个衬底的质量参数；针对操作参数的多个值，确定使用传感器系统而被获取的针对多个衬底的测量参数；将质量参数的衬底到衬底变化与测量参数的映射的衬底到衬底变化进行比较；以及基于该比较，确定操作参数的一个或多个经优化的值。
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公开(公告)号：CN108369389A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680074454.0
申请日：2016-12-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70525 , G03F7/702 , G03F7/70641 , G03F7/70683 , G03F7/7085
Abstract: 光刻设备(LA)在衬底上印制产品特征和至少一个聚焦量测图案(T)。焦点量测图案由反射式掩模版限定，并且使用以倾斜角度(θ)入射的EUV辐射(404)执行印制。聚焦量测图案包括第一特征(422)组的周期性阵列。相邻的第一特征组之间的间隔(S1)远大于每个组内的第一特征的尺寸(CD)。由于倾斜的照射，印制的第一特征作为聚焦误差的函数而变形和/或位移。可以提供第二特征424作为可以看到第一特征的位移的参考。这种变形和/或位移的测量值可以通过测量不对称性作为印制的图案的性质而得到。测量可以在更长的波长下完成，例如在350-800nm的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113424290B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202080014117.9
申请日：2020-02-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·B·汉森 , 任岩 , M·R·古森 , A·V·G·曼格努斯 , E·P·斯马克曼
Abstract: 在各方面中尤其地公开了一种带电粒子检查系统，其包括吸收部件和可编程带电粒子反射镜板，该可编程带电粒子反射镜板被布置为修改束中电子的能量分布并且对束进行整形以减少电子的能量散布和束的像差，其中吸收部件包括限定腔的结构，该腔具有内部表明以及设置在内部表上的超材料吸收体。在操作中，腔沿着束路径的一部分延伸。在其他实施例中，超材料包括吸收结构集合，该吸收结构集合被配置为设置在透明导电层上的吸收结构。进一步，公开了一种使用这种吸收部件并且使用可编程带电粒子反射镜板的方法，其中这种可编程带电粒子反射镜板包括像素集合，该像素集合被配置为生成定制电场以对束进行整形。
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公开(公告)号：CN111164515B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201880063422.X
申请日：2018-09-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , E·M·休瑟博斯 , H·J·L·梅根斯 , A·K·埃达玛 , L·J·P·维尔希斯 , W·S·C·罗洛夫斯 , W·J·M·范德文 , H·亚古毕扎德 , H·E·瑟克里 , R·布林克霍夫 , T·T·T·乌 , M·R·古森 , M·范特维斯泰德 , 寇伟田 , M·里杰普斯特拉 , M·科克斯 , F·G·C·比杰南
Abstract: 公开了一种用于确定传感器系统的操作参数的一个或多个经优化的值的方法，该传感器系统被配置为测量衬底的性质，该方法包括：确定针对多个衬底的质量参数；针对操作参数的多个值，确定使用传感器系统而被获取的针对多个衬底的测量参数；将质量参数的衬底到衬底变化与测量参数的映射的衬底到衬底变化进行比较；以及基于该比较，确定操作参数的一个或多个经优化的值。
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公开(公告)号：CN113678225A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080025747.6
申请日：2020-03-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·V·G·曼格努斯 , M·R·古森 , E·P·斯马克曼
IPC: H01J37/28 , H01J37/244
Abstract: 公开了在多射束装置中测量射束电流的系统和方法。该多射束装置可以包括带电粒子源，该带电粒子源被配置为生成初级带电粒子束，以及孔径阵列。孔径阵列可以包括多个孔径，该多个孔径被配置为由初级带电粒子束形成多个子束；以及检测器，该检测器包括用以检测辐射孔径阵列的初级带电粒子束的至少一部分的电流的电路系统。测量射束电流的方法可以包括：将初级带电粒子束辐射在孔径阵列上并且检测初级带电粒子束的至少一部分的电流。
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公开(公告)号：CN114072892B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202080048378.2
申请日：2020-06-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·V·G·曼格努斯 , M·R·古森
Abstract: 在各方面中尤其地公开了一种用于带电粒子检查系统的相位板(210)，该相位板被配置和布置为修改束(600)中带电粒子的局部相位以减少透镜像差的影响。相位板由孔阵列组成，其中孔的电压和/或遮蔽度被单独或群组地控制。
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公开(公告)号：CN113678225B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080025747.6
申请日：2020-03-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·V·G·曼格努斯 , M·R·古森 , E·P·斯马克曼
IPC: H01J37/28 , H01J37/244
Abstract: 公开了在多射束装置中测量射束电流的系统和方法。该多射束装置可以包括带电粒子源，该带电粒子源被配置为生成初级带电粒子束，以及孔径阵列。孔径阵列可以包括多个孔径，该多个孔径被配置为由初级带电粒子束形成多个子束；以及检测器，该检测器包括用以检测辐射孔径阵列的初级带电粒子束的至少一部分的电流的电路系统。测量射束电流的方法可以包括：将初级带电粒子束辐射在孔径阵列上并且检测初级带电粒子束的至少一部分的电流。
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