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公开(公告)号：CN108780788A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201680081525.X
申请日：2016-04-27
申请人： EO科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/268 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L23/544
摘要： 本发明提供一种雷射标记装置。所述雷射标记装置包含：雷射照射单元，其对加工对象物的第一面照射雷射束；及加压单元，其对上述加工对象物的与上述第一面为相反面的第二面进行加压，以使上述加工对象物的上述第一面平坦化；且上述加压单元包含第一加压部，其通过接触方式对上述第二面的边缘区域进行加压；及至少一个第二加压部，其通过非接触方式对上述第二面的中间区域进行加压而将第二加压部与上述第二面的相隔距离保持为特定距离以内。
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公开(公告)号：CN106463498A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480079462.5
申请日：2014-07-01
申请人： EO科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544
CPC分类号： H01L21/67282 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/0869 , B23K26/359 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L21/268 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2223/54433 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种利用激光打标机对通过晶片切割工艺所分割的多个晶粒进行打标的方法。所公开的晶粒打标方法包括：在包括晶粒的所述晶片上设置具有相互重叠的部分的多个扫描区域的步骤；利用线扫描摄像机对所述晶片的扫描区域进行多次扫描过程的步骤；收集位于所述多个扫描区域不重叠的区域中的所述晶粒各自的位置信息的步骤；通过图像合成而收集位于所述多个扫描区域重叠的区域中的所述晶粒各自的位置信息的步骤；以及利用所述激光打标机对所述位置信息被收集的所有晶粒分别进行打标的步骤。
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公开(公告)号：CN108292623A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680066029.7
申请日：2016-04-27
申请人： EO科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/68
摘要： 一种晶圆对准方法及使用该方法的对准设备，晶圆对准方法包含如下步骤：在设定有X轴及y轴的平台上安装包含用以实现对准的凹口(notch)的晶圆的步骤；在拍摄晶圆的第1影像后，使晶圆旋转180，然后拍摄晶圆的第2影像的步骤；比较第1影像与第2影像而使晶圆的中心移动至平台的x轴上的步骤；在拍摄晶圆的第3影像后，使晶圆旋转180度，然后拍摄晶圆的第4影像的步骤；比较第3影像与第4影像，使晶圆的中心移动至平台的y轴上而使晶圆的中心与平台的中心一致的步骤；及使晶圆旋转而使通过凹口的晶圆的中心线与平台的对准线一致的步骤。
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公开(公告)号：CN108780788B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201680081525.X
申请日：2016-04-27
申请人： EO科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/268 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种雷射标记装置。所述雷射标记装置包含：雷射照射单元，其对加工对象物的第一面照射雷射束；及加压单元，其对上述加工对象物的与上述第一面为相反面的第二面进行加压，以使上述加工对象物的上述第一面平坦化；且上述加压单元包含第一加压部，其通过接触方式对上述第二面的边缘区域进行加压；及至少一个第二加压部，其通过非接触方式对上述第二面的中间区域进行加压而将第二加压部与上述第二面的相隔距离保持为特定距离以内。
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公开(公告)号：CN106463497B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201480079450.2
申请日：2014-08-11
申请人： EO科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种利用激光对附着有加工用带的晶片进行打标的方法。所公开的激光打标方法包括：使波长为532nm的激光束透过被附着在所述晶片的一面上的所述加工用带的步骤；以及使所述波长为532nm的激光束以预定速度移动，以在所述晶片的一面上执行打标操作的步骤，其中，所述波长为532nm的激光束具有8kHz至40kHz的频率和0.8W至2W的输出功率。
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公开(公告)号：CN106463498B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201480079462.5
申请日：2014-07-01
申请人： EO科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种利用激光打标机对通过晶片切割工艺所分割的多个晶粒进行打标的方法。所公开的晶粒打标方法包括：在包括晶粒的所述晶片上设置具有相互重叠的部分的多个扫描区域的步骤；利用线扫描摄像机对所述晶片的扫描区域进行多次扫描过程的步骤；收集位于所述多个扫描区域不重叠的区域中的所述晶粒各自的位置信息的步骤；通过图像合成而收集位于所述多个扫描区域重叠的区域中的所述晶粒各自的位置信息的步骤；以及利用所述激光打标机对所述位置信息被收集的所有晶粒分别进行打标的步骤。
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公开(公告)号：CN108701678B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201680081524.5
申请日：2016-04-27
申请人： EO科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/683 , H01L21/66 , H01L21/268 , H01L21/68
摘要： 本发明涉及一种标记位置校正装置及方法，于对晶圆上所具备的半导体芯片执行标记作业前，利用位置校正用加工膜测定及校正标记位置，藉此于进行标记作业时，可标记至每个半导体芯片上的准确位置。根据实施例的晶圆标记位置校正装置包含：支持台，其用于支持位置校正用加工膜；雷射头，其用于对位置校正用加工膜照射雷射束而形成图案；视觉相机，其用于获得图案的位置信息；移动平台，其用于使支持台于水平方向上移动；及控制部，其用于对图案的位置信息与设定于雷射头的标记位置信息进行比较而使图案位置与标记位置一致。
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公开(公告)号：CN108701678A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680081524.5
申请日：2016-04-27
申请人： EO科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/683 , H01L21/66 , H01L21/268 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L23/544
摘要： 本发明涉及一种标记位置校正装置及方法，于对晶圆上所具备的半导体芯片执行标记作业前，利用位置校正用加工膜测定及校正标记位置，藉此于进行标记作业时，可标记至每个半导体芯片上的准确位置。根据实施例的晶圆标记位置校正装置包含：支持台，其用于支持位置校正用加工膜；雷射头，其用于对位置校正用加工膜照射雷射束而形成图案；视觉相机，其用于获得图案的位置信息；移动平台，其用于使支持台于水平方向上移动；及控制部，其用于对图案的位置信息与设定于雷射头的标记位置信息进行比较而使图案位置与标记位置一致。
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公开(公告)号：CN106463497A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480079450.2
申请日：2014-08-11
申请人： EO科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种利用激光对附着有加工用带的晶片进行打标的方法。所公开的激光打标方法包括：使波长为532nm的激光束透过被附着在所述晶片的一面上的所述加工用带的步骤；以及使所述波长为532nm的激光束以预定速度移动，以在所述晶片的一面上执行打标操作的步骤，其中，所述波长为532nm的激光束具有8kHz至40kHz的频率和0.8W至2W的输出功率。
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