公开(公告)号：CN107873063B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201680022293.0

申请日：2016-04-18

申请人： II-VI有限公司

发明人： W-Q·许 ,  C·刘 ,  埃尔金·E·伊斯勒 ,  乔瓦尼·巴尔巴罗萨 ,  查尓斯·D·坦纳 ,  托马斯·E·安德森

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/01 ,  C23C16/56 ,  C23C16/511 ,  C23C16/02

摘要： 在金刚石膜、基材或窗的形成方法中，提供一种硅基材，并且金刚石膜、基材或窗CVD生长在硅该基材的表面。生长的金刚石膜、基材或窗具有≥100的长径比，其中所述长径比是金刚石膜、基材或窗的最大尺寸除以金刚石膜的厚度所得的比值。可任选地从金刚石膜、基材或窗上除去或分离该硅基材。

公开(公告)号：CN107873063A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201680022293.0

申请日：2016-04-18

申请人： II-VI有限公司

发明人： W-Q·许 ,  C·刘 ,  埃尔金·E·伊斯勒 ,  乔瓦尼·巴尔巴罗萨 ,  查尓斯·D·坦纳 ,  托马斯·E·安德森

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/01 ,  C23C16/56 ,  C23C16/511 ,  C23C16/02

摘要： 在金刚石膜、基材或窗的形成方法中，提供一种硅基材，并且金刚石膜、基材或窗CVD生长在硅该基材的表面。生长的金刚石膜、基材或窗具有≥100的长径比，其中所述长径比是金刚石膜、基材或窗的最大尺寸除以金刚石膜的厚度所得的比值。可任选地从金刚石膜、基材或窗上除去或分离该硅基材。

公开(公告)号：CN107534019A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680008845.2

申请日：2016-02-03

申请人： II-VI有限公司

发明人： W-Q·许 ,  C·刘 ,  G·巴巴罗萨 ,  E·E·伊斯勒 ,  T·E·安德森 ,  C·J·克莱辛格尔 ,  N·利希滕斯坦

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L33/64 ,  H01S5/02

CPC分类号： H01L23/3732 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0655 ,  H01L33/641 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40151 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83463 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/8347 ,  H01L2224/83471 ,  H01L2224/83479 ,  H01L2224/8348 ,  H01L2224/83484 ,  H01L2224/83493 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/37099

摘要： 复合衬底包括电绝缘部分、片、层或片段和导电部分、片、层或片段的交替图案的热沉衬底，以及用于支撑电绝缘部分和导电部分的交替图案的轴、底座或板。具有P‑N结的有源器件可以安装在热沉衬底上。电绝缘部分、片、层或片段可以由金刚石形成，而导电部分、片、层或片段可以由金属或含金属合金形成。

公开(公告)号：CN105992835A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201580005770.8

申请日：2015-01-21

申请人： II-VI有限公司

发明人： W-Q·许 ,  埃尔金·E·伊斯勒 ,  C·刘 ,  查尓斯·D·坦纳 ,  查尓斯·J·克莱辛格尔 ,  迈克尔·阿格哈亚尼安

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/46 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C01B31/06 ,  C04B41/50

CPC分类号： C30B25/02 ,  C01B32/25 ,  C04B35/52 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B35/634 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5002 ,  C04B41/85 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C23C16/274 ,  C23C16/279 ,  C23C16/463 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/046 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30 ,  C04B41/4531

摘要： 多层基板包括在复合层上CVD生长的金刚石层。该复合层包括金刚石和碳化硅与任选的硅的颗粒。该复合层中的金刚石的载荷水平(按体积计)可为≥5％、≥20％、≥40％、或≥60％。该多层基板能够用作光学器件；用于检测辐射粒子或电磁波的检测器；用于切割、钻孔、机械加工、碾磨、研磨、抛光、涂布、粘结、或钎焊的装置；制动装置；密封条；导热体；电磁波导体；在升高的温度下或在低温条件下用于腐蚀性环境、强氧化性环境、或强还原性环境的化学惰性装置；或用于抛光或平坦化其它器件、晶圆或膜的装置。

公开(公告)号：CN114411118A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210096370.4

申请日：2015-01-21

申请人： II-VI有限公司

发明人： W-Q·许 ,  埃尔金·E·伊斯勒 ,  C·刘 ,  查尓斯·D·坦纳 ,  查尓斯·J·克莱辛格尔 ,  迈克尔·阿格哈亚尼安

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  C23C16/56 ,  G01N21/65 ,  C04B41/50 ,  C23C16/24

摘要： 多层基板包括在复合层上CVD生长的金刚石层。该复合层包括金刚石和碳化硅与任选的硅的颗粒。该复合层中的金刚石的载荷水平(按体积计)可为≥5％、≥20％、≥40％、或≥60％。该多层基板能够用作光学器件；用于检测辐射粒子或电磁波的检测器；用于切割、钻孔、机械加工、碾磨、研磨、抛光、涂布、粘结、或钎焊的装置；制动装置；密封条；导热体；电磁波导体；在升高的温度下或在低温条件下用于腐蚀性环境、强氧化性环境、或强还原性环境的化学惰性装置；或用于抛光或平坦化其它器件、晶圆或膜的装置。

公开(公告)号：CN107534019B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201680008845.2

申请日：2016-02-03

申请人： II-VI有限公司

发明人： W-Q·许 ,  C·刘 ,  G·巴巴罗萨 ,  E·E·伊斯勒 ,  T·E·安德森 ,  C·J·克莱辛格尔 ,  N·利希滕斯坦

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L33/64 ,  H01S5/02

摘要： 复合衬底包括电绝缘部分、片、层或片段和导电部分、片、层或片段的交替图案的热沉衬底，以及用于支撑电绝缘部分和导电部分的交替图案的轴、底座或板。具有P‑N结的有源器件可以安装在热沉衬底上。电绝缘部分、片、层或片段可以由金刚石形成，而导电部分、片、层或片段可以由金属或含金属合金形成。