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公开(公告)号：CN109786238A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811352456.9
申请日：2018-11-14
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 一种相对于第二特征件选择性去除第一特征件的方法，所述第一特征件包含含Sn的第一IV族材料，所述第二特征件包含第二IV族材料，所述方法包括：-在加工室中提供具有上表面的基板，其中第一特征件和第二特征件设置在上表面上，其中，含Sn的第一IV族材料包含掺杂元素，-在加工室中对基板进行加热，并且随后；-进行蚀刻处理，所述蚀刻处理包括：o将蚀刻气体引入加工室，o对基板施加蚀刻气体，其中，蚀刻气体是基于氯或基于溴的气体。
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公开(公告)号：CN109786238B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201811352456.9
申请日：2018-11-14
申请人： IMEC 非营利协会 , 鲁汶天主教大学
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 一种相对于第二特征件选择性去除第一特征件的方法，所述第一特征件包含含Sn的第一IV族材料，所述第二特征件包含第二IV族材料，所述方法包括：在加工室中提供具有上表面的基板，其中第一特征件和第二特征件设置在上表面上，其中，含Sn的第一IV族材料包含掺杂元素，在加工室中对基板进行加热，并且随后；进行蚀刻处理，所述蚀刻处理包括：将蚀刻气体引入加工室，对基板施加蚀刻气体，其中，蚀刻气体是基于氯或基于溴的气体。
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公开(公告)号：CN105304494A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510435539.4
申请日：2015-07-22
申请人： IMEC非营利协会
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L27/092
CPC分类号： H01L27/0922 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/02645 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/045 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/66522 , H01L27/092 , H01L29/1054 , H01L29/7849
摘要： 一种形成用于NMOS晶体管装置的锗通道层的方法，该方法包括：a.提供具有侧壁的沟槽，所述侧壁由介电材料结构限定并邻接硅基材的表面；b.在所述表面上的所述沟槽中种植晶种层，所述晶种层具有前表面，所述前表面包含具有(111)取向的分面；c.在所述沟槽中的所述晶种层上种植应变弛豫缓冲层，所述应变弛豫缓冲层包含硅锗；d.在所述应变弛豫缓冲层上种植包含锗(Ge)的通道层；以及相关NMOS晶体管装置和CMOS装置。
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公开(公告)号：CN105304494B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201510435539.4
申请日：2015-07-22
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L27/092
CPC分类号： H01L27/0922 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/02645 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/045 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7848
摘要： 一种形成用于NMOS晶体管装置的锗通道层的方法，该方法包括：a.提供具有侧壁的沟槽，所述侧壁由介电材料结构限定并邻接硅基材的表面；b.在所述表面上的所述沟槽中种植晶种层，所述晶种层具有前表面，所述前表面包含具有(111)取向的分面；c.在所述沟槽中的所述晶种层上种植应变弛豫缓冲层，所述应变弛豫缓冲层包含硅锗；d.在所述应变弛豫缓冲层上种植包含锗(Ge)的通道层；以及相关NMOS晶体管装置和CMOS装置。
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