公开(公告)号：CN102479703A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110375510.3

申请日：2011-11-23

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 托尼·范胡克 ,  约翰尼斯·唐克斯 ,  汉斯·莫腾斯 ,  布兰迪恩·杜利兹 ,  埃弗利娜·格里德莱特

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0821 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

摘要： 公开了一种制造异质结双极晶体管(100)的方法，所述异质结双极晶体管包括衬底(10)，所述衬底的上部区域包括以浅沟槽绝缘区(30)为边界的双极晶体管有源区(20)，所述有源区包括埋入的集电极区，该集电极区的深度延伸到超过浅沟槽绝缘区的深度，所述方法包括：在与有源区相邻的衬底中形成沟槽(44)，沟槽延伸通过浅沟槽绝缘区；用杂质(48，82)至少部分地填充沟槽；以及通过扩展杂质延伸到衬底中深度超过浅沟槽绝缘区的深度，来在衬底中形成集电极沉降。还公开了一种包括通过这种方法制造的异质结双极晶体管的IC。

公开(公告)号：CN102915964B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210270055.5

申请日：2012-07-31

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 汉斯·莫腾斯 ,  约翰尼斯·唐克斯 ,  埃弗利娜·格里德莱特 ,  托尼·范胡克 ,  皮特鲁斯·马尼

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0825 ,  H01L27/0826

摘要： 本发明公开了一种制造集成电路的方法，该集成电路包括多个双极晶体管，所述双极晶体管包括第一类型双极晶体管和第二类型双极晶体管，该方法包括：提供包括多个第一隔离区域(12)的衬底(10)，每个第一隔离区域通过包括所述双极晶体管之一的集电极杂质的有源区(11)与第二隔离区域隔开；在所述衬底上形成基极叠层(14)；在第一类型双极晶体管的区域中的基极叠层上形成具有第一有效厚度的第一发射极覆盖层(14’)；在第二类型双极晶体管的区域中的基极叠层上形成具有不同于第一有效厚度的第二有效厚度的第二发射极覆盖层(14’)；以及在每个所述双极晶体管的发射极覆盖层上形成发射极(24)。还公开了根据这种方法制成的IC。

公开(公告)号：CN102479703B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201110375510.3

申请日：2011-11-23

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 托尼·范胡克 ,  约翰尼斯·唐克斯 ,  汉斯·莫腾斯 ,  布兰迪恩·杜利兹 ,  埃弗利娜·格里德莱特

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0821 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

摘要： 公开了一种制造异质结双极晶体管(100)的方法，所述异质结双极晶体管包括衬底(10)，所述衬底的上部区域包括以浅沟槽绝缘区(30)为边界的双极晶体管有源区(20)，所述有源区包括埋入的集电极区，该集电极区的深度延伸到超过浅沟槽绝缘区的深度，所述方法包括：在与有源区相邻的衬底中形成沟槽(44)，沟槽延伸通过浅沟槽绝缘区；用杂质(48，82)至少部分地填充沟槽；以及通过扩展杂质延伸到衬底中深度超过浅沟槽绝缘区的深度，来在衬底中形成集电极沉降。还公开了一种包括通过这种方法制造的异质结双极晶体管的IC。

公开(公告)号：CN103050400A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210382223.X

申请日：2012-10-10

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 埃弗利娜·格里德莱特 ,  约翰尼斯·唐克斯 ,  托尼·范胡克 ,  皮特鲁斯·马尼 ,  汉斯·莫腾斯 ,  布兰迪恩·杜利兹

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/737 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

摘要： 公开了一种制造双极晶体管的方法，包括：提供衬底(10)，所述衬底包括通过有源区(11)与第二隔离区分离的第一隔离区(12)，所述有源区包括集电极杂质；在所述衬底上方形成叠层，所述叠层包括基极层(14，14’)、所述基极层上方的硅覆盖层(15)以及所述硅覆盖层上方的硅-锗(SiGe)基极接触层(40)；刻蚀所述SiGe基极接触层，以便在所述集电极杂质上方形成发射极窗口(50)，其中所述硅发射极覆盖层用作刻蚀停止层；在所述发射极窗口中形成侧壁间隔(22)；以及用发射极材料(24)填充所述发射极窗口。还公开了一种根据这种方法制造的双极晶体管以及一种包括一个或者多个这种双极晶体管的IC。

公开(公告)号：CN103050400B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210382223.X

申请日：2012-10-10

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 埃弗利娜·格里德莱特 ,  约翰尼斯·唐克斯 ,  托尼·范胡克 ,  皮特鲁斯·马尼 ,  汉斯·莫腾斯 ,  布兰迪恩·杜利兹

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/737 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

摘要： 公开了一种制造双极晶体管的方法，包括：提供衬底(10)，所述衬底包括通过有源区(11)与第二隔离区分离的第一隔离区(12)，所述有源区包括集电极杂质；在所述衬底上方形成叠层，所述叠层包括基极层(14，14’)、所述基极层上方的硅覆盖层(15)以及所述硅覆盖层上方的硅-锗(SiGe)基极接触层(40)；刻蚀所述SiGe基极接触层，以便在所述集电极杂质上方形成发射极窗口(50)，其中所述硅发射极覆盖层用作刻蚀停止层；在所述发射极窗口中形成侧壁间隔(22)；以及用发射极材料(24)填充所述发射极窗口。还公开了一种根据这种方法制造的双极晶体管以及一种包括一个或者多个这种双极晶体管的IC。

公开(公告)号：CN102214572B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110083001.3

申请日：2011-03-31

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 约翰内斯·J·T·M·唐克斯 ,  托尼·范胡克 ,  汉斯·莫腾斯 ,  菲利普·默尼耶-贝拉德

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/66242

摘要： 制造一种双极型晶体管，具有衬底(1)中的集电极(52)以及在所述衬底上形成的基极(57、58)和发射极(59)。所述基极具有基极堆叠区(57)，所述基极堆叠区通过电绝缘间隔物(71)与发射极(59)横向地隔开。所述绝缘间隔物(71)在其顶端的宽度尺寸至少与其底端的宽度尺寸一样大，并且形成Γ形或倾斜形状。这种轮廓减小了在后续工艺中间隔物顶部处的硅化物桥接的风险，同时保持了发射极窗口宽度。

公开(公告)号：CN102479704A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110375526.4

申请日：2011-11-23

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 埃弗利娜·格里德莱特 ,  托尼·范胡克 ,  约翰尼斯·唐克斯 ,  汉斯·莫腾斯 ,  布兰迪恩·杜利兹

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/7322

摘要： 公开了一种制造双极晶体管的方法，包括：提供包括有源区(22)的衬底(10)；沉积叠层；在所述叠层中在有源区上方形成基极窗口(38)；在所述基极窗口中形成至少一个柱子(40)，其中所述柱子的一部分是抗抛光的；在所得到的结构上沉积发射极材料(46)，从而填充所述基极窗口；以及通过抛光来平面化所沉积的发射极材料。还公开了一种根据该方法制造的双极晶体管。

公开(公告)号：CN102129994B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110009451.8

申请日：2011-01-12

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 菲利浦·默尼耶-贝拉德 ,  约翰内斯·约瑟夫斯·斯奥道勒斯·马里纳斯·唐克斯 ,  汉斯·莫腾斯 ,  托尼·范胡克

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7378

摘要： 本申请公开了一种形成异质结双极晶体管的方法，包括：在单晶硅衬底表面上沉积包括多晶硅层和牺牲层的第一叠层；对所述第一叠层图案化以形成延伸到所述衬底的沟槽；沉积硅层；沉积硅-锗-碳层；从所述沟槽的侧壁选择性地去除所述硅-锗-碳层；沉积掺硼的硅-锗-碳层；沉积另外的硅-锗-碳层；沉积掺硼的另外的硅层；在所述沟槽的侧壁上形成电介质间隔物；用发射极材料填充所述沟槽；通过选择性地去除所述第一叠层的牺牲层，暴露出所述沟槽侧壁外部的多晶硅区；将硼杂质注入到所暴露的多晶硅区中以限定基极注入物；以及将所得到的结构暴露到热预算，用于对硼杂质进行退火。还公开了一种通过这种方法形成的异质结双极晶体管。

公开(公告)号：CN102915964A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210270055.5

申请日：2012-07-31

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 汉斯·莫腾斯 ,  约翰尼斯·唐克斯 ,  埃弗利娜·格里德莱特 ,  托尼·范胡克 ,  皮特鲁斯·马尼

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0825 ,  H01L27/0826

摘要： 本发明公开了一种制造集成电路的方法，该集成电路包括多个双极晶体管，所述双极晶体管包括第一类型双极晶体管和第二类型双极晶体管，该方法包括：提供包括多个第一隔离区域(12)的衬底(10)，每个第一隔离区域通过包括所述双极晶体管之一的集电极杂质的有源区(11)与第二隔离区域隔开；在所述衬底上形成基极叠层(14)；在第一类型双极晶体管的区域中的基极叠层上形成具有第一有效厚度的第一发射极覆盖层(14’)；在第二类型双极晶体管的区域中的基极叠层上形成具有不同于第一有效厚度的第二有效厚度的第二发射极覆盖层(14’)；以及在每个所述双极晶体管的发射极覆盖层上形成发射极(24)。还公开了根据这种方法制成的IC。

公开(公告)号：CN102214572A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110083001.3

申请日：2011-03-31

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 约翰内斯·J·T·M·唐克斯 ,  托尼·范胡克 ,  汉斯·莫腾斯 ,  菲利普·默尼耶-贝拉德

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/66242

摘要： 制造一种双极型晶体管，具有衬底(1)中的集电极(52)以及在所述衬底上形成的基极(57、58)和发射极(59)。所述基极具有基极堆叠区(57)，所述基极堆叠区通过电绝缘间隔物(71)与发射极(59)横向地隔开。所述绝缘间隔物(71)在其顶端的宽度尺寸至少与其底端的宽度尺寸一样大，并且形成Γ形或倾斜形状。这种轮廓减小了在后续工艺中间隔物顶部处的硅化物桥接的风险，同时保持了发射极窗口宽度。