公开(公告)号：CN106921283A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611012386.3

申请日：2016-11-17

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 罗炯竣 ,  利行健 ,  安保正治

IPC分类号： H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H02M7/5387 ,  H02M7/00 ,  H03K17/567

CPC分类号： H03K17/06 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0825 ,  H01L28/20 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/861 ,  H03K17/127 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/94042 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H02M7/003 ,  H02M7/5387 ,  H02M2001/0054

摘要： 本发明提供一种开关电路，其使第一IGBT与第二IGBT进行开关。控制电路具备第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件，其中，所述第一开关元件被构成为能够对第一IGBT的栅极电流进行控制，所述第二开关元件被构成为能够对第二IGBT的栅极电流进行控制，所述第三开关元件被连接在第一IGBT的电极与第二IGBT的电极之间。当流过IGBT的电流较大时，控制电路实施使第一IGBT与第二IGBT双方导通、断开的第一控制程序，当电流较小时，控制电路实施预先在关断定时之前使第二对象IGBT断开的第二控制程序。在使栅极电流同时流通于第一IGBT与第二IGBT中时，在第三开关元件导通的状态下使第一开关元件与第二开关元件导通。

公开(公告)号：CN105206560A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510651903.0

申请日：2009-02-17

申请人： 先进模拟科技公司

发明人： 唐纳德.R.迪斯尼 ,  理查德.K.威廉斯

IPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/762 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/082 ,  H01L29/417 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76267 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82285 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0825 ,  H01L27/0826 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/732

摘要： 形成在半导体衬底中的隔离的晶体管包括埋设的底隔离区域和填充沟槽，该填充沟槽从衬底的表面向下延伸到底隔离区域。底隔离区域与填充沟槽一起形成衬底的隔离袋。在替代的实施例中，掺杂的侧壁区域从沟槽的底部向下延伸到底隔离区域。衬底不包含外延层，从而克服了与制造外延层有关的许多问题。

公开(公告)号：CN1322589C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200410005258.7

申请日：2004-02-17

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： A·蒂尔科 ,  W·克莱恩

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L29/00 ,  H01L21/328 ,  H01L21/334 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L27/0825 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/732

摘要： 一种半导体结构，包括一第一掺杂型态的一埋藏第一半导体层，该第一掺杂型态的一第二半导体层，其位于埋藏半导体层之上，并较该埋藏第一半导体层的掺杂为少，一第二掺杂型态的一半导体区域，其位于该第二半导体层之上，因此一pn结形成于该半导体区域以及该第二半导体层之间，以及一凹陷，其位于包含该第一掺杂型态的半导体材料的该埋藏第一半导体层中低于该半导体区域的位置，并可较该埋藏第一半导体层的掺杂为少，且其与在该第二半导体层上的该第二掺杂型态的该半导体区域间的距离较大，因此，穿越该pn结的击穿电压高于未提供该凹陷的状况。由此，可以达成具有所需击穿电压的半导体结构以及不具有此凹陷的另一半导体结构同时可产生于具有最佳化HF特性的该埋藏第一半导体层中的目标。

公开(公告)号：CN106920841A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201610893921.4

申请日：2016-10-13

申请人： 福特全球技术公司

发明人： 苏明

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L27/082 ,  H01L27/0825 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004

摘要： 本发明公开一种多区域的功率半导体器件。一种功率半导体器件由具有相似结构的多个区域构成。所述区域中的每个可通过在切换到非导通状态期间的开关损耗来表征。所述器件被构造为使得开关损耗在所述区域中的至少两个区域之间不同。此外，所述器件被构造为使得具有较大的开关损耗的区域在具有较小的开关损耗的区域之前切换到非导通状态。

公开(公告)号：CN102037558B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200980113255.6

申请日：2009-02-17

申请人： 先进模拟科技公司

发明人： 唐纳德·R·迪斯尼 ,  理查德·K·威廉斯

IPC分类号： H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76267 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82285 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0825 ,  H01L27/0826 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/732

摘要： 形成在半导体衬底中的隔离的晶体管包括埋设的底隔离区域和填充沟槽，该填充沟槽从衬底的表面向下延伸到底隔离区域。底隔离区域与填充沟槽一起形成衬底的隔离袋。在替代的实施例中，掺杂的侧壁区域从沟槽的底部向下延伸到底隔离区域。衬底不包含外延层，从而克服了与制造外延层有关的许多问题。

公开(公告)号：CN104660250A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410584966.4

申请日：2014-10-27

申请人： 科域半导体有限公司

发明人： 谢潮声 ,  陈安邦 ,  邓志强

IPC分类号： H03K19/0944 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/0635 ,  H01L21/565 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/84 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0825 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种三端子高压达林顿双极型晶体管功率开关器件，其包括：两个高压双极型晶体管，两者的集电极连接在一起作为集电极端子,第一高压双极型晶体管的基极作为基极端子,第一高压双极型晶体管的发射极连接到第二高压双极型晶体管的基极(内部基极),并且第二高压双极型晶体管的发射极作为发射极端子；二极管,其正极连接到所述内部基极(第一高压双极型晶体管的发射极,或第二高压双极型晶体管的基极)，并且其负极连接到所述基极端子。类似地，可以通过将前述的开关器件的第一高压双极型晶体管替换为高压MOSFET来形成三端子MOSFET/双极型晶体管混合高压开关器件。

公开(公告)号：CN102915964A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210270055.5

申请日：2012-07-31

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 汉斯·莫腾斯 ,  约翰尼斯·唐克斯 ,  埃弗利娜·格里德莱特 ,  托尼·范胡克 ,  皮特鲁斯·马尼

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0825 ,  H01L27/0826

摘要： 本发明公开了一种制造集成电路的方法，该集成电路包括多个双极晶体管，所述双极晶体管包括第一类型双极晶体管和第二类型双极晶体管，该方法包括：提供包括多个第一隔离区域(12)的衬底(10)，每个第一隔离区域通过包括所述双极晶体管之一的集电极杂质的有源区(11)与第二隔离区域隔开；在所述衬底上形成基极叠层(14)；在第一类型双极晶体管的区域中的基极叠层上形成具有第一有效厚度的第一发射极覆盖层(14’)；在第二类型双极晶体管的区域中的基极叠层上形成具有不同于第一有效厚度的第二有效厚度的第二发射极覆盖层(14’)；以及在每个所述双极晶体管的发射极覆盖层上形成发射极(24)。还公开了根据这种方法制成的IC。

公开(公告)号：CN102037558A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980113255.6

申请日：2009-02-17

申请人： 先进模拟科技公司

发明人： 唐纳德·R·迪斯尼 ,  理查德·K·威廉斯

IPC分类号： H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76267 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82285 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0825 ,  H01L27/0826 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/732

摘要： 形成在半导体衬底中的隔离的晶体管包括埋设的底隔离区域和填充沟槽，该填充沟槽从衬底的表面向下延伸到底隔离区域。底隔离区域与填充沟槽一起形成衬底的隔离袋。在替代的实施例中，掺杂的侧壁区域从沟槽的底部向下延伸到底隔离区域。衬底不包含外延层，从而克服了与制造外延层有关的许多问题。

公开(公告)号：CN1708847A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102301.5

申请日：2003-10-24

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： J·贝克 ,  R·拉奇纳 ,  T·梅斯特 ,  H·沙弗 ,  M·塞克 ,  R·斯坦格

IPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L27/082 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0825 ,  H01L29/0821

摘要： 本发明与一种用以制造一晶体管结构的方法有关，其包含具有不同集极宽度的至少一第一与第二双极晶体管。本发明特征于在不同的掺杂区域间的所有接点具有明显的接口。在这个情况下，举例来说，一第一集极区域2.1适合用来作为具有高限制频率fT的一高频率的晶体管，而依第二集极区域2.2则适合用来作为具有增加的崩溃电压的一高压晶体管。

公开(公告)号：CN1623233A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02828380.5

申请日：2002-02-28

申请人： ST微电子公司

发明人： 塞萨尔·龙西斯瓦莱

IPC分类号： H01L27/07

CPC分类号： H01L27/0825 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0744

摘要： 本发明涉及一种具有传统的基极(B)、集电极(C)和发射极(E)端子的类型的、可以集成为达林顿结构的改进双极晶体管结构(1)，包括：在集电极(C)和(B)之间的电阻(R)；以及在基极(B)和发射极(E)之间的闸流晶体管器件(3)SCR。所述电阻(R)是使晶体管结构保持为常导通的高电压电阻，而闸流晶体管是在其栅极端子上使能和驱动的截止电路。