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公开(公告)号：CN106185797B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610596130.5
申请日：2006-06-29
申请人： PST传感器(私人)有限公司
发明人： 大卫·托马斯·布里顿 , 马尔吉特·黑廷
摘要： 本发明涉及半导体纳米粒子。本发明的纳米粒子包含单一元素或包含多种元素的化合物，所述的元素在第II、III、IV、V、VI族中的一族或多族中。纳米粒子的尺寸在1nm至500nm范围内，并且包含0.1至20原子％的氧或氢。纳米粒子典型地通过粉碎块状高纯度硅而形成。纳米粒子的一种应用在于制备油墨，所述的油墨可以通过简单的印刷方法用来限定半导体器件的活性层或结构。
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公开(公告)号：CN104185780A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201380014957.5
申请日：2013-01-30
申请人： PST传感器(私人)有限公司
发明人： 大卫·托马斯·布里顿 , 马尔吉特·黑廷
CPC分类号： G01K7/22 , G01J1/44 , G01K1/02 , G01K7/16 , G01K2213/00 , G01L1/18 , G01L1/205 , G01L1/225 , G01L9/045
摘要： 本发明公开了一种传感器装置，所述传感器装置包括以图案设置在基板上的分隔开的多个传感元件的阵列。每一个传感元件被电连接成使得通过每一个传感元件单独测量的物理变量能够由外部仪器记录和/或显示。感测装置可以为温度感测装置，在这种情况下，传感元件为温度感测元件，例如负温度系数(NTC)热敏电阻器。可选地，感测装置可以为应变或压力感测装置或者光学成像装置，在这种情况下，传感元件包括压电式电阻器或光敏电阻器。传感元件可以连接在共用源或写全-读一的配置中、连接在共用输出或写一-读全的配置中、或者以包括X行和Y列的阵列连接在写X-读Y配置中。
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公开(公告)号：CN103874538B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280043459.9
申请日：2012-06-15
申请人： PST传感器(私人)有限公司
发明人： 大卫·托马斯·布里顿 , 曼弗雷德·鲁道夫·斯克里巴
IPC分类号： B01J13/02 , C01B21/068 , C01B31/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/36 , C01B33/02 , C22C27/04
CPC分类号： B01J19/088 , B01J13/02 , B22F9/30 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B21/068 , C01B32/152 , C01B32/16 , C01B32/956 , C01B33/027 , C01B33/029 , C01P2004/04 , C01P2004/30 , C01P2004/64 , C22C27/04 , C30B7/14 , C30B29/60
摘要： 本发明提供了一种通过一种以上前体流体的合成制备在1nm至1000nm大小范围内的纳米粒子的方法，所述方法包括提供包含至少一种前体流体的流体介质和在所述流体介质内产生电火花以导致所述至少一种前体流体在相对热的等离子体区中的热解，以制备至少一种自由基物种。通过在所述等离子体区周围的较冷的反应区中的所述流体介质中成核以形成纳米粒子，此处所述自由基物种在构成所述纳米粒子的物质的合成中起反应物或催化剂的作用。通过具有在0.01Hz至1kHz之间的频率和0.01J和10J之间的总能量的放电产生所述火花。所述纳米粒子可以包含硅，或硅的化合物或合金，并且典型地可用于电子和电学用途中。
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公开(公告)号：CN106185797A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610596130.5
申请日：2006-06-29
申请人： PST传感器(私人)有限公司
发明人： 大卫·托马斯·布里顿 , 马尔吉特·黑廷
CPC分类号： C30B29/605 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B29/06 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , B82B3/00 , C30B29/60 , H01L29/772
摘要： 本发明涉及半导体纳米粒子。本发明的纳米粒子包含单一元素或包含多种元素的化合物，所述的元素在第II、III、IV、V、VI族中的一族或多族中。纳米粒子的尺寸在1nm至500nm范围内，并且包含0.1至20原子％的氧或氢。纳米粒子典型地通过粉碎块状高纯度硅而形成。纳米粒子的一种应用在于制备油墨，所述的油墨可以通过简单的印刷方法用来限定半导体器件的活性层或结构。
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公开(公告)号：CN103210703A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054588.3
申请日：2011-09-13
申请人： PST传感器(私人)有限公司
发明人： 大卫·托马斯·布里顿 , 马尔吉特·黑廷
CPC分类号： H05K1/16 , H01C1/02 , H01C7/008 , H01G2/10 , H01G11/28 , H01G11/48 , H01G11/82 , H05K1/0306 , H05K1/0326 , H05K1/0386 , H05K1/092 , H05K1/162 , H05K1/167 , H05K3/12 , H05K3/281 , H05K3/4015 , H05K2201/0323 , H05K2201/10287 , H05K2203/0278 , Y02E60/13
摘要： 电子元件组件包括印刷的元件结构，所述印刷的元件结构包括沉积在衬底上的半导体墨、绝缘墨和导电墨中的至少一种。元件结构限定至少一个接触区域，具有设置在接触区域上或者设置成邻近接触区域的连接导线。至少一个电绝缘材料层包封元件结构。衬底和电绝缘材料层中的至少一个包括封装材料。元件结构可以印刷在诸如纸张或者其它软质材料的衬底上，该衬底固定至诸如聚乙烯的绝缘封装材料层。替代地，衬底可以是绝缘封装材料层本身。施加硬质或软质衬底的变化例是可行的，并且公开了电子元件组件的各种示例。
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公开(公告)号：CN101248222B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN200680031074.5
申请日：2006-08-23
申请人： PST传感器(私人)有限公司
发明人： 大卫·托马斯·布里顿 , 马尔吉特·黑廷
IPC分类号： H01L21/228 , C09D11/52 , C30B29/60 , C30B31/04 , B82Y10/00
CPC分类号： B82Y10/00 , C09D11/52 , C30B29/605 , C30B31/04 , H01L21/228
摘要： 本发明涉及一种掺杂半导体材料的方法。本质上，所述方法包括将一定量的粒子半导体材料与离子盐或离子盐制剂混合。优选地，该粒子半导体材料包含尺寸在1nm至100μm范围内的纳米粒子。更优选地，该粒度在50nm至500nm的范围内。优选的半导体材料是本征和冶金级硅。本发明延伸至包含掺杂的半导体材料以及粘合剂和溶剂的可印刷组合物。本发明还延伸至由具有p和n型性质的可印刷组合物的层形成的半导体装置。
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公开(公告)号：CN104204749A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380014961.1
申请日：2013-01-30
申请人： PST传感器(私人)有限公司
发明人： 大卫·托马斯·布里顿 , 马尔吉特·黑廷
摘要： 本发明提供一种应变补偿温度传感器，所述应变补偿温度传感器包括第一热变电阻器和与第一热变电阻器串联连接的基本上与温度无关的第二电阻器。至少一个电接触件允许同时在这两个电阻器上施加电势差。热变电阻器和基本上与温度无关的电阻器均对机械应变灵敏。这允许对于传感器的机械变形自动地校正来自传感器的温度读数。热变电阻器和基本上与温度无关的电阻器为基本上相似的结构，优选地相邻于彼此位于共用基板中或者共用基板上，由此对施加到所述电阻器的机械力具有相似的响应。
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公开(公告)号：CN103210290A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054592.X
申请日：2011-09-13
申请人： PST传感器(私人)有限公司
发明人： 大卫·托马斯·布里顿 , 马尔吉特·黑廷
摘要： 提供一种生成温度感应器件的方法。该方法包括至少一个硅层和至少一个电极或接触件以限定热敏电阻器结构。至少所述硅层通过印刷形成，而所述硅层和所述电极或接触件中的至少一个在其印刷期间由一衬底支撑。优选地，采用包括尺寸范围在10纳米至100微米中的硅颗粒以及由粘合剂和合适的溶剂构成的液态载体的墨，通过印刷形成多个电极或接触件。在一些实施例中，衬底为其温度待测量的对象物。替换地，衬底可以是模板，可以是保护性地，或者可以是柔性或者刚性的材料。公开了各种器件的几何形状。
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公开(公告)号：CN108291844A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680067301.3
申请日：2016-11-16
申请人： PST传感器(私人)有限公司
发明人： 史蒂芬·大卫·琼斯 , 伊曼纽尔·奥耶库·约纳 , 马吉特·哈廷 , 大卫·托马斯·布里顿
IPC分类号： G01K7/24
摘要： 混合电子感测部件包括附接至模拟电路的集成电路，在该模拟电路中集成有至少一个感测元件。混合感测部件响应于其环境条件的可量化变化而提供数字形式的输出。感测功能与数据处理分开，这减小了由于处理器中的功耗而导致的自发热的影响。
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公开(公告)号：CN104662670A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380049979.5
申请日：2013-09-20
申请人： PST传感器(私人)有限公司
发明人： 大卫·托马斯·布里顿 , 马尔吉特·黑廷 , 斯坦利·道格拉斯·沃顿
IPC分类号： H01L29/96
CPC分类号： H01L29/705 , H01C7/1013 , H01L29/04 , H01L29/0692 , H01L29/72 , H01L49/02 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0504
摘要： 公开了一种电子装置及其制造方法。该装置包括半导体材料本体和限定了至少三个导电触点以形成相应端子的导电材料。所述半导体材料与所述导电触点至少部分地重叠以限定该装置，使得所述装置在任意一对端子之间的电特性与变阻器的电特性相对应。所述半导体材料本体是以印刷或涂覆而沉积的层。所述每对端子之间的变阻器特性能够按以下方式在一个端子与任意两个另外的端子之间切换电流：当存在正电流流入第一端子时，可忽略不计的电流流过施加有正电位的第二端子，并且正电流从相对于第二端子保持负电位的第三端子流出。当存在负电流流出第一端子时，正电流流入第二端子并且可忽略不计的电流流过第三端子。
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