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公开(公告)号：CN106961217A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201610866966.2
申请日：2016-09-30
申请人： 基思利仪器公司
发明人： W.C.格克
IPC分类号： H02M3/24
摘要： 本发明的实施例提供用于减少由大负载电流引起的变压器换向畸变的改进的技术和装置。具有两个或更多个阶段的传统电源通常在每个阶段的末尾期间使变压器换向。当负载电流大时，存储在变压器的漏电感中的能量能够在换向期间引起不期望的影响。本发明的实施例通过在换向之前降低跨变压器的初级侧的电压来减少这些影响。在一个实施例中，电容器被添加到变压器的初级侧。开关在换向之前引导电流通过所述电容器，从而允许所述电容器吸收变压器的漏电感能量并且降低初级侧电压。其它合适的部件(诸如，电阻器、二极管、晶体管或另外的变压器绕组)也可被用于在换向之前减小初级侧电压。
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公开(公告)号：CN104836558A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510120716.X
申请日：2015-02-06
申请人： 基思利仪器公司
发明人： K·K·拉克斯
IPC分类号： H03K17/567
CPC分类号： H03K17/04123 , H03K17/04163 , H03K17/08104 , H03K17/6871 , H03K17/6877 , H03K17/689 , H03K17/785
摘要： 本发明涉及隔离的高速开关。一种电路，其被构造用于驱动隔离的高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关，包括被配置用作开关的第一MOSFET和第二MOSFET、电容、与所述电容并联的充电组件、与充电组件串联的第一开关以及与充电组件和电容并联的第二开关。当第二开关断开且第一开关断合时，所述电容中存储的电压被送至第一MOSFET和第二MOSFET的栅极。
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公开(公告)号：CN104244571A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410274826.7
申请日：2014-06-19
申请人： 基思利仪器公司
CPC分类号： H05K1/0213 , H05K1/0225 , H05K1/0256 , H05K1/142 , H05K1/145 , H05K3/306 , H05K3/4038 , H05K3/4697 , H05K2201/0792 , H05K2201/09063 , H05K2201/093 , H05K2201/09618 , H05K2201/0969 , H05K2201/09981 , Y10T29/49139
摘要： 本发明涉及一种具有低电介质吸收的器件，其包括：印刷电路板（PCB）；组件连接区域，包括层叠在所述组件连接区域的顶表面上的第一导体以及层叠在所述组件连接区域的底表面上的第二导体；围绕所述组件连接区域的开口；跨过所述开口将组件连接区域连接到PCB的低泄漏组件；以及由在PCB的顶表面上至少基本上围绕所述开口的第三导体以及在PCB的底表面上至少基本上围绕所述开口的第四导体构成的防护件。
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公开(公告)号：CN103969566A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410044021.3
申请日：2014-01-30
申请人： 基思利仪器公司
发明人： J.A.尼曼
CPC分类号： G01R31/2601 , G01R31/2607 , G01R31/2612
摘要： 本发明涉及SMU RF晶体管稳定性装置。一种RF测试方法和系统，通过所述RF测试方法和系统DC测量路径还能够表现得像适当地端接的RF路径一样。实现这个需要输出HI、LO以及感测HI导体以频率选择性方式被端接，使得所述端接不影响SMUDC测量。一旦所有SMU输入/输出阻抗被控制以及适当地端接以消除反射，只要仪器维持与仪器对仪器的高绝缘(单独的仪器被用在栅极和漏极上，或者在所述器件的输入端和输出端上)，高速器件就将在器件测试期间不再振荡。HI、HO以及感测HI导体的输出端经由三个三轴电缆被耦合到所述DUT的各个节点，所述三个三轴电缆的所述外屏蔽被彼此耦合并且耦合到SMU接地。
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公开(公告)号：CN1004853B
公开(公告)日：1989-07-19
申请号：CN85106483
申请日：1985-08-29
申请人： 基思利仪器公司
发明人： 肯尼思·艾伦·赖德尔 , 托马斯·约瑟·梅戈
摘要： 这里JFET晶体管差动放大器对电表运算放大器来说作为输入级，它呈现高输入阻抗和低泄漏电流。此目的的实现是由给JFET晶体管加置偏压使其工作在漏极电流——栅源电压特性曲线的电阻区而不是饱和区。
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