公开(公告)号：CN106033709B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201510109734.8

申请日：2015-03-13

申请人： 比亚迪股份有限公司

发明人： 徐纪哲 ,  王骞 ,  尹达 ,  冯子汉 ,  陈王龙

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 为克服现有技术中去除晶圆背面原生氧化层的方法工序复杂、碎片率高的问题，本发明提供了一种酸洗蚀刻方法，包括如下步骤；S1、提供一工作台，工作台内部具有工作腔，所述工作台上表面具有连通工作腔的酸洗口；将晶圆置于工作台上，所述晶圆具有原生氧化层的背面朝下，并且覆盖所述酸洗口；所述晶圆待蚀刻的部位位于所述酸洗口内；S2、在所述晶圆背面形成水膜；S3、在所述工作腔内形成氢氟酸酸雾，使所述氢氟酸酸雾溶于所述水膜，通过内部溶解有氢氟酸的水膜对所述晶圆背面进行蚀刻处理。同时，本发明还公开了采用上述酸洗蚀刻方法的清洗机。本发明提供的酸洗蚀刻方法不需要贴膜和剪膜两道工序，简化了工艺流程，提高了生产效率，并且碎片率低。

公开(公告)号：CN106033709A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510109734.8

申请日：2015-03-13

申请人： 比亚迪股份有限公司

发明人： 徐纪哲 ,  王骞 ,  尹达 ,  冯子汉 ,  陈王龙

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 为克服现有技术中去除晶圆背面原生氧化层的方法工序复杂、碎片率高的问题，本发明提供了一种酸洗蚀刻方法，包括如下步骤；S1、提供一工作台，工作台内部具有工作腔，所述工作台上表面具有连通工作腔的酸洗口；将晶圆置于工作台上，所述晶圆具有原生氧化层的背面朝下，并且覆盖所述酸洗口；所述晶圆待蚀刻的部位位于所述酸洗口内；S2、在所述晶圆背面形成水膜；S3、在所述工作腔内形成氢氟酸酸雾，使所述氢氟酸酸雾溶于所述水膜，通过内部溶解有氢氟酸的水膜对所述晶圆背面进行蚀刻处理。同时，本发明还公开了采用上述酸洗蚀刻方法的清洗机。本发明提供的酸洗蚀刻方法不需要贴膜和剪膜两道工序，简化了工艺流程，提高了生产效率，并且碎片率低。

公开(公告)号：CN118281037A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211726008.7

申请日：2022-12-30

申请人： 比亚迪半导体股份有限公司 ,  宁波比亚迪半导体有限公司

发明人： 刘博丽 ,  卢汉汉 ,  吴海平

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  B60R16/02

摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件及其制备方法、功率模块和车辆，功率半导体器件包括：基底层，基底层包括衬底和外延层，外延层包括元胞区域和终端区域，元胞区域和终端区域间隔设置，元胞区域的正面设置有第一沟槽，第一沟槽呈阶梯状，第一沟槽朝向正面的一侧设置有沟槽栅氧化层，沟槽栅氧化层呈阶梯状，沟槽栅氧化层远离第一沟槽的一侧设置有第一保护层，基底层在第一沟槽背离沟槽栅氧化层的一侧设置有第二保护层。由此，通过在沟槽栅氧化层远离第一沟槽的一侧设置第一保护层，并且在基底层在第一沟槽背离沟槽栅氧化层的一侧设置第二保护层，这样可以实现对沟槽栅氧化层的双重保护，可以提升功率半导体在元胞区域处的耐压特性。

公开(公告)号：CN118263282A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211693124.3

申请日：2022-12-28

申请人： 比亚迪半导体股份有限公司 ,  宁波比亚迪半导体有限公司

发明人： 张磊磊 ,  卢汉汉

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括多个元胞结构，元胞结构包括第一导电类型轻掺杂的第一漂移层和阴极金属层，阴极金属层设置在第一漂移层的上面；在相邻元胞结构之间设置有第二导电类型的第一重掺杂区，第一重掺杂区位于第一漂移层中并且靠近第一漂移层的上表面设置，第一重掺杂区与阴极金属层连接；其中，第一重掺杂区包括多个重掺杂子区，相邻的两个重掺杂子区之间具有间隙，以使得第一漂移层与阴极金属层形成电连接。本发明的半导体器件，可以降低导通压降，降低导通损耗。

公开(公告)号：CN117982143A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211336867.5

申请日：2022-10-28

申请人： 西安比亚迪半导体有限公司

发明人： 李振刚 ,  黄臣

IPC分类号： A61B5/18 ,  B60Q9/00

摘要： 本发明实施例公开了一种驾驶员提醒方法、装置、车辆、存储介质，该方法包括：检测驾驶员是否处于疲劳驾驶状态；当检测驾驶员处于疲劳驾驶状态时，控制静电发生器确定当前静电电压值，并控制静电发生器按照静电电压值发出静电，以提醒驾驶员。本发明在检测驾驶员处于疲劳驾驶状态时，可以通过控制静电发生器发出静电提醒驾驶员，相比于通过声音或光标提醒的方式，提醒效果更明显，可以避免持续的语音提醒或光标提醒使得驾驶员产生疲劳抗性；本发明通过静电发生器确定当前静电电压值，并按照确定的静电电压值发出静电提醒驾驶员，考虑了不同驾驶员所匹配的静电刺激，使得对不同驾驶员的刺激更加明确。

公开(公告)号：CN117922493A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202211238841.7

申请日：2022-10-11

申请人： 西安比亚迪半导体有限公司

发明人： 张凯旋 ,  杨亮亮 ,  黄臣

IPC分类号： B60S1/08 ,  B60S1/02 ,  B60S1/46 ,  B60S1/54 ,  G06V10/82 ,  G06V10/28 ,  G06V10/764 ,  G06N3/0464

摘要： 本发明实施例提供了一种挡风玻璃的清洁方法、系统、车辆、存储介质，该方法包括：获取车辆挡风玻璃的图像；确定图像中的图像特征值，并根据图像特征值确定挡风玻璃的遮挡情况，遮挡情况包括内壁遮挡情况和/或外壁遮挡情况；根据挡风玻璃的遮挡情况，控制挡风玻璃对应的清洁装置进行清洁。本发明通过提取图像特征值来确定挡风玻璃的外壁遮挡情况和/或内壁遮挡情况，全面考虑了挡风玻璃被遮挡的多种情况，避免了误判的情况，提高了对挡风玻璃遮挡情况的识别率；本发明可以根据不同遮挡情况控制清洁装置对挡风玻璃进行清洁，提高了清洁效率。

公开(公告)号：CN109148605B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201710462474.1

申请日：2017-06-19

申请人： 比亚迪半导体股份有限公司 ,  宁波比亚迪半导体有限公司

发明人： 王艳春 ,  周亮

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

摘要： 本发明提出了快恢复二极管及制备方法、电子设备。该快恢复二极管包括：衬底，所述衬底中形成有欧姆接触区；外延层，所述外延层设置在所述衬底上；离子掺杂区，所述离子掺杂区设置在所述外延层中远离所述衬底的一侧；第一金属区，所述第一金属区设置在所述外延层中，且所述第一金属区与所述离子掺杂区相邻设置，所述第一金属区与所述外延层之间形成肖特基接触；第一电极，所述第一电极设置在所述外延层远离所述衬底一侧的表面上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述衬底远离所述外延层的一侧。由此，可以使该快恢复二极管具有较快的反向恢复时间、较小的正向导通压降以及较大的恢复软度。

公开(公告)号：CN109841701B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201711192894.9

申请日：2017-11-24

申请人： 比亚迪半导体股份有限公司 ,  宁波比亚迪半导体有限公司

发明人： 刘东庆

IPC分类号： H01L31/103 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了光电二极管，包括耗尽层、阳极金属，及顺序设置的阴极金属、N型掺杂阴极区、P型掺杂阳极区和绝缘层；阴极金属、N型掺杂阴极区和P型掺杂阳极区电性导通，耗尽层封闭于N型掺杂阴极区与P型掺杂阳极区之间，阳极金属的一端穿过绝缘层并与P型掺杂阳极区电性导通。还提供了光电二极管的制造工艺：在N型掺杂阴极区上外延生长出感光区；在感光区的上外延生长出P型掺杂阳极区；在P型掺杂阳极区上生长出绝缘层；在绝缘层上的接触窗口处沉积阳极金属，在N型掺杂阴极区背离P型掺杂阳极区的一侧沉积阴极金属；耗尽感光区形成耗尽层。P型掺杂阳极区和N型掺杂阴极区封闭耗尽层，避免耗尽层外露，有效消除表面漏电，明显增加信噪比。

公开(公告)号：CN111697071A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910181261.0

申请日：2019-03-11

申请人： 深圳比亚迪微电子有限公司

发明人： 刘东庆

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16

摘要： 本发明公开了MOS场效应晶体管及制备的方法、电子设备。该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上设置有碳化硅外延层，对半导体衬底的碳化硅外延层一侧进行掺杂，以形成阱区，并在所述阱区中形成源极区；在所述外延层远离所述半导体衬底一侧形成氧化层；在所述氧化层远离所述外延层的一侧键合Si晶圆片，并对所述Si晶圆片进行减薄剥离处理，以形成Si层；对所述Si层进行氧化处理，以形成栅极氧化层，所述栅极氧化层由所述氧化层以及经过所述氧化处理的Si层构成；在所述栅极氧化层远离所述外延层的一侧，形成栅极结构。该方法可在不影响器件的耐压性和可靠性的同时，提升栅极氧化层与SiC之间的界面质量，从而可以提高MOS场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN111261509A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201811456891.6

申请日：2018-11-30

申请人： 宁波比亚迪半导体有限公司

发明人： 钱炜彬

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用。该在硅基体中蚀刻沟槽的方法包括：在硅基体的上表面上形成保护图案；利用干法蚀刻对所述硅基体未被所述保护图案覆盖的上表面进行蚀刻，其中，所述干法蚀刻采用的蚀刻混合气体中含有氯气、溴化氢和氦氧气体。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，在实现较窄的沟槽宽度时也可以得到需求的沟槽深度，所形成的沟槽接近垂直、无损伤、平坦光滑，且纵横比高。