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公开(公告)号：CN118737879A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310328582.5
申请日：2023-03-30
申请人： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种冷却系统及其控制方法，应用于晶圆的冷却，所述冷却系统包括冷却组件和控制组件，所述冷却组件用于对所述晶圆进行冷却；所述控制组件包括控制模块、以及分别与所述控制模块连接的测温模块和降温模块；所述测温模块用于检测所述冷却组件的实时温度；所述控制模块用于根据所述实时温度计算分析以向所述降温模块发送调温指令；所述降温模块与所述冷却组件连接，所述降温模块用于根据所述调温指令对流经所述冷却组件的冷却液体冷却。所述降温模块能对因随着晶圆热量的传递而升温的所述冷却组件进行冷却降温，使得所述晶圆能更快速的降温，大大缩短了晶圆的降温时间，提高了设备产能。
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公开(公告)号：CN118732402A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411230404.X
申请日：2024-09-04
申请人： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
IPC分类号： G03F7/16 , H01L21/027 , G03F7/30
摘要： 本发明涉及半导体制造中的涂胶显影技术领域，提供一种涂胶显影装置、系统和控制方法，该装置包括：液处理模块，用于对晶圆进行包括表面涂层和显影处理的液处理工艺；热处理模块，用于对晶圆进行包括烘烤处理的热处理工艺；层间模块，位于所述液处理模块和所述热处理模块之间，用于存放晶圆，以衔接所述热处理工艺和液处理工艺。该装置用于提升涂胶显影装置中机械手的利用率。
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公开(公告)号：CN118162319A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410453405.4
申请日：2024-04-16
申请人： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
摘要： 本发明属于半导体设备技术领域，具体地说是一种喷头下端盖结构，包括上转接套、中层挡环、环形供液盒及下盖，上转接套的内周面上具有与喷头主体的下端盖安装沿的外螺纹相配合的内螺纹，上转接套的顶部向外周延伸形成环状法兰，中层挡环及环形供液盒分别与环状法兰连接，中层挡环套设于上转接套的外侧，环形供液盒套设于中层挡环的外侧，下盖安装于环形供液盒的下侧。本发明可直接替换现有技术的喷头下端盖，能够实现同时对下盖的内侧和靠近喷嘴头部处的外侧部分进行清洗的效果，可及时清除沾染在下盖的内侧和靠近喷嘴头部处的外侧部分的粉尘，有效减少粉尘跌落到晶圆上的现象，并提升喷涂制程效果，拆装简单方便。
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公开(公告)号：CN118057577A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202211446236.9
申请日：2022-11-18
申请人： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种处理液喷洒方法及装置，所述处理液喷洒方法包括如下步骤：打开喷嘴的上游管路的阀门，向晶圆喷洒处理液；使用喷嘴驱动机构移动所述喷嘴，所述喷嘴的移动方向为所述晶圆的直径方向；在所述处理液在所述晶圆上的喷洒位置移动至所述晶圆的边缘之前，关闭所述阀门并继续移动所述喷嘴，使所述喷嘴与所述阀门之间管路内的所述处理液继续流出并喷洒于所述晶圆，所述喷嘴与所述阀门之间管路内的所述处理液在被施加一个沿喷嘴移动方向的水平力的状态下继续流出至所述晶圆上未被喷洒所述处理液的区域，能够减少晶圆处理液落在晶圆表面后弹起再次落在晶圆表面的现象。
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公开(公告)号：CN117772668A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211151108.1
申请日：2022-09-21
申请人： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆处理液喷洒方法和装置，所述晶圆处理液喷洒方法包括如下步骤：提供表面带有薄膜的晶圆，所述薄膜表面具有盲孔；驱动所述晶圆交替进行正反转；使用第一喷嘴向所述晶圆喷洒清洗液；所述晶圆处理液喷洒方法和装置能够清洗晶圆盲孔内的刻蚀液，减少晶圆盲孔内的材料损失量。
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公开(公告)号：CN117631476A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311753046.6
申请日：2023-12-19
申请人： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供了一种晶圆缓存系统的使用方法和晶圆缓存系统，晶圆缓存系统的使用方法包括以下步骤：提供晶圆缓存装置和控制模块，使层间工艺模块内的晶圆依次途经晶圆曝光前工艺处理模块、晶圆缓存装置和冷却组件后传至曝光模块进行光刻处理，且使晶圆缓存装置中的晶圆缓存工位的数量大于等于晶圆曝光前工艺处理模块中晶圆处理工位的数量；控制模块控制层间工艺模块向晶圆曝光前工艺处理模块内传送晶圆的传片速度，以使晶圆曝光前工艺处理模块和晶圆缓存装置中总的晶圆数量等于晶圆缓存装置中晶圆缓存工位的数量。本发明能使晶圆曝光前工艺处理模块中处理好的晶圆都能全部传送退避至晶圆缓存装置中缓存，避免了对晶圆质量造成影响。
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公开(公告)号：CN117558667A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311526325.9
申请日：2023-11-15
申请人： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , G03F7/16 , G03F7/30 , H01L21/027 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体制造领域，提供了一种涂胶显影设备及控制方法，所述涂胶显影设备包括：片盒模块，所述片盒模块用于储存放置有晶圆的片盒；以及工艺模块，所述工艺模块用于对所述晶圆做工艺处理：其中，所述片盒模块包括：片盒装载单元，所述片盒装载单元用于放置所述片盒；晶圆机械手，所述晶圆机械手用于一次性移动所述片盒中的N个所述晶圆，其中N为大于1的整数；层间机械手，所述层间机械手用于移动所述晶圆机械手上的所述晶圆；以及穿墙单元，所述穿墙单元用于在所述层间机械手和所述工艺模块之间移动所述晶圆，本发明简化了晶圆提取流程，降低了整体设备的长度以及占地面积，使得整体设备精简并且传输效率更高，更稳定。
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公开(公告)号：CN117463578A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210857477.6
申请日：2022-07-20
申请人： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
摘要： 本发明提出了一种改善晶圆上光阻涂布均匀性的方法，在光刻胶涂胶时，涂胶步骤中，1500‑3500rpm/min时的打胶时间设置要小于胶泵总打胶时间(根据粘度不同，通过实验调整时间配比，占打胶时间百分之85％‑95％，随光刻胶粘度增加适当降低打胶时间)，进而留下一部分打胶时间在其下一步骤打出光刻胶，然后再以1000‑3500rpm/min的转速旋转一定时间成膜。提高光刻胶膜厚的均匀性。
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公开(公告)号：CN116991048A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210447043.9
申请日：2022-04-26
申请人： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/311
摘要： 本发明提供了一种深孔结构晶圆去胶方法，包括以扫描的方式向晶圆的表面喷洒去胶液，以实现初步去胶；将初步去胶后的所述晶圆置于药液中浸泡，同时进行超声波震荡；以扫描的方式对药液浸泡后的所述晶圆的表面喷洒去胶液，以实现深度去胶，采用先大面积去胶，再浸泡，再去胶的方式，能够实现对深孔中光刻胶的清洁，极大的减少了深孔中光刻胶的残留量。本发明还提供了一种深孔结构晶圆去胶设备。
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公开(公告)号：CN110161804B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201910542776.9
申请日：2019-06-21
申请人： 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
发明人： 洪旭东
摘要： 本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种涂胶显影设备，所述涂胶显影设备包括片盒单元、增粘工艺单元、涂胶显影工艺单元、接口单元和热处理工艺单元。所述涂胶显影工艺单元内设置有第一显影工艺机械手、第二显影工艺机械手以及涂胶工艺机械手，且所述第一显影工艺机械手、所述第二显影工艺机械手以及所述涂胶工艺机械手在所述涂胶显影单元内上下排列设置，一方面，合理利用了纵向空间，使得结构紧凑，减小了占地面积，另一方面有利于合理利用光刻机的产能，提高了工作效率。本发明还提供了一种涂胶显影系统。
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